mems基本結(jié)構(gòu)ppt課件(留存版)
【正文】 0 ~ 2 5 0 ? 106/℃泊松比 面內(nèi) 035面外 0 . 1 ~ 0 . 4 5楊氏模量 7 . 5 ~ 1 5 G P a剪切模量 1 ~ 1 0 G P a殘余應(yīng)力 /楊氏模量 0 . 0 1 1 ? 0 . 0 0 1殘余應(yīng)力 拉應(yīng)力光敏聚酰亞胺工藝參數(shù) ? 光刻 – 甩膠： 1100rpm， 水平放置 ~2h， 自動均勻化； – 預(yù)烘：溫度通常在 90℃ 左右 ， 10分鐘； – 曝光：在 300W汞燈下曝光 2分鐘左右； – 顯影：專用顯影液 2分鐘左右 ， 加超聲； – 堅膜：溫度 120℃ ～ 140℃ ， 時間 30分鐘左
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