【摘要】《模擬電子技術(shù)》測(cè)試題六一、填空題:(28分,每空1分)1、BJT是控制器件,F(xiàn)ET是控制器件。2、用萬(wàn)用表的歐姆檔對(duì)二極管進(jìn)行正反兩次測(cè)量,若兩次讀數(shù)都為∞,則此二極管_____;若兩次讀數(shù)都接近零,則此二極管_____________;若讀數(shù)一次很大,一次讀數(shù)小,則此二極管______________。,對(duì)_______信號(hào)有較強(qiáng)的抑制能力,而
2025-07-14 00:15
【摘要】1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價(jià)元素,形成N型半導(dǎo)體。2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價(jià)元素,變成為P型半導(dǎo)體。3、在本征半導(dǎo)體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導(dǎo)體中,自由電子濃度C空穴濃度。5、本征半導(dǎo)體溫度升高以后自
2025-06-24 23:32
【摘要】《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題綜合(第1、2章)一、選擇題1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價(jià)元素,形成N型半導(dǎo)體。2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價(jià)元素,變成為P型半導(dǎo)體。3、在本征半導(dǎo)體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導(dǎo)體中,自由電子濃度C空穴濃
2025-06-07 02:14