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led發(fā)光機理ppt課件(留存版)

2025-03-03 14:56上一頁面

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【正文】 表示它代表價帶頂和導帶底的能量間隙。 5)壽命長 :光通量衰減到 70%的標稱壽命為 10萬 h。它的發(fā)光限于 自發(fā)輻射 。 ? 在構成半導體晶體的原子內部 , 存在著不同的能帶 。s ,f為頻率 據(jù) f=c/λ( c=3*10^8m/s ) 可得 λ=hc/Eg ≈1240/Eg( mm) LED發(fā)射波長的公式推導 Ec Ef Ev 導帶 禁帶 Eg 價帶 滿帶 10 ? 光的 峰值波長 λ與發(fā)光區(qū)域的半導體材料 禁帶寬度E g有關,即 λ≈1240/Eg( mm) 式中 Eg的單位為電子伏特( eV)。 ) 6)可靠耐用 :沒有鎢絲、玻殼等容易損壞的部件,非正常報廢的可能性很小,維護費用極為低廉。電子吸收光子自價帶 k 狀態(tài)躍遷到導帶 k’狀態(tài)時除了滿足能量守恒以外,還必須符合 準動量守恒的 選擇定則 ,即 具有這種帶隙結構的半導體稱為直接帶隙半導體 在討論本征吸收時, 光子的動量可以略去 ,因為本征吸收光子的波矢為 104 cm1,而在能帶論中布里淵區(qū)的尺度為 2 π /晶格常數(shù),數(shù)量級是 108 cm1,因此本征光吸收中,因此光吸收的躍遷選擇定則可以近似寫成 這就是說,在躍遷過程中,波矢可以看做是不變的,在能帶的 E(k)圖上,初態(tài)和末態(tài)幾乎在同一條豎直線上,這樣的躍遷常稱為豎直躍遷。 24 25 貼片式 SMD 中功率 LED 26 27 28 29 半導體的能帶結構 : 對半導體來說,電子填滿了一些能量較低的能帶,稱為 滿帶 ,最上面的滿帶稱為 價帶 ;價帶上面有一系列空帶, 最下面的空帶稱為導帶 。 LED光源較傳統(tǒng)光源的優(yōu)點 19 4)電壓適度且功耗低 :LED使用低壓電源, 供電電壓為 6~ 24V,根據(jù)產品不同而異,所以它是一個比使用高壓電源更安全的電源,特別適用于公共場所。 發(fā)光二極管 LED LD與 LED的比較 ? 半導體發(fā)光二極管 ( LED) 與半導體激光二極管 ( LD
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