【正文】 紫峰的變化 : 峰位紅移 ,峰強迅速增加 (是由于退火導致 ZnO薄膜晶體質量的改善，從而使得激子的發(fā)光機制發(fā)生改變所致 :由自由激子到 EHP發(fā)射 ) 950oC樣品 :紫峰峰強急劇下降 v 綠峰峰位的變化 :由 505nm紅移至 525nm, 同時譜帶的寬度變窄 . v AFM圖像 (下頁 )所顯示的結果 :即隨著退火溫度的升高，薄膜的表面形貌發(fā)生由六角向四角晶相的相變，這種相變是不徹底的，包含著六角和四角兩種相。 4)具有 pin夾層結構的 ZnO 同質 pn 結的制備：（其中 SiO2層采用 SiO2粉末吧、射頻濺射制備而成，上下電極為 ITO薄膜材料或 Al 合金） 引線 上電極 nZnO ( ~ 1μ) SiO2 (~ 1nm) pZnO ( ~ 1μ) 環(huán)行下電極 SiO2隔離層 (3nm) Si(100)襯底() 5) ZnO 薄膜的結構特性： ZnO 薄膜表面的 原子力顯微鏡圖象。 因為 射頻濺射可高效地分解氧分子 ，并將離解的氧原子輸送到薄膜中氧的格位上 。 5. 掌握 濺射功率的物理意義分析： 1）功率較小，不能有效地將氧分子離解為原子； 不能達到有效的濺射粒子動能； 2）功率過大，使鋅靶很快地蒸發(fā)，造成生長鋅 膜和破壞設備。圖中 390 nm為紫外激光，來自于束縛激子與 EHP發(fā)射 。 在 ZnO /Si 系統(tǒng)中極有 可能是非晶 態(tài) SiO2 20 30 40 50 60 70 8002004006008001000120014001600圖 3. ? = 1o時 4( 上 ) 和 1( 下 ) 樣品的 G X RD 譜。 PZnO 和 nZnO之間也需生長 1nm SiO2晶體薄層－這對于生長高質量的突變型結非常重要 。 當 a = c = 0 , b = 1 時： T = nm 140 nm。520nm，弱 v950oC: 390nm,弱 。當生長 n型 ZnO薄膜時，在反應室中 O2 /Ar 的之比為 1 /1。 3. 我們將上述方法移植到 射頻濺射 中 ， 取得了大于 80％的 p型成品率 。 4. 掌握 濺射速率的物理意義分析： 2020/11/23 10 p 型和 n型 ZnO薄膜的光學和結構特性 v 襯底材料的選擇 v p 型 ZnO薄膜的生長方法 磁控濺射法、熱擴散法 v n 型 ZnO薄膜的生長方法 磁控濺射法、化學液相沉積 v p 型和 n型 ZnO薄膜的光學、電 v 學和結構特性 v 高溫退火導致的熱擴散和新化 合物的產生 不同襯底材料的比較 v在選擇襯底的時候應考慮的因素： （ i） 襯底材料的晶體結構要匹配 。 515 nm為綠色熒光，來自氧空位的躍遷機制。? = 1 . 0oZ n O ( 1 0 3 )S i ( 1 1 3 )Zn2S i O4 ( 2 2 3 )Zn2S i O4 ( 1 1 3 )Z n O ( 1 0 2 )Zn2S i O4 ( 2 2 0 )Z n O ( 0 0 2 ) Intensity(arb.unit)2 ? ( d e g r e e )800o(上 )和原生 (下 )樣品的 GXRD譜。 結論與研究展