【正文】 物晶體測(cè)定霍普特曼Herber t Haup tman卡爾Jerome Karle a 電子顯微鏡 ig 掃描隧道顯微鏡 er布羅克豪斯 rockho use 中子譜學(xué)沙爾 hull 中子衍射直接法解析結(jié)構(gòu)1915 物理 晶體結(jié)構(gòu)的X射線分析1937 物理 電子衍射1986 物理1994 物理1962 化學(xué) 蛋白質(zhì)的結(jié)構(gòu)測(cè)定1985 化學(xué)第一章 晶體學(xué)基礎(chǔ) ?晶體特性 ?晶體結(jié)構(gòu)與空間點(diǎn)陣 ?倒易點(diǎn)陣 ? 均 勻 性： 晶體內(nèi)部各個(gè)部分的宏觀性質(zhì)是相同的。c = b*b* a* 晶帶定律 根據(jù)晶帶的定義，同一晶帶中所有晶面的法線都與晶帶軸垂直。b* a*a* a*陣點(diǎn)坐標(biāo)為 000， 1/2 1/2 0 ◆ 體心點(diǎn)陣， I 除 8個(gè)頂點(diǎn)外，體心上還有一個(gè)陣點(diǎn)，因此，每個(gè)陣胞含有兩個(gè)陣點(diǎn)， 000，1/2 1/2 1/2 ◆ 面心點(diǎn)陣。 ? 對(duì) 稱 性： 晶體的理想外形和晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)都具有特定的對(duì)稱性。 ? 倒易矢量及性質(zhì)： 從倒易點(diǎn)陣原點(diǎn)向任一倒易陣點(diǎn)所連接的矢量叫倒易矢量，表示為： r* = Ha* + Kb* + L c* 兩個(gè)基本性質(zhì) 兩個(gè)基本性質(zhì) ： 1) r*垂直于正點(diǎn)陣中的 HKL晶面 2) r*長(zhǎng)度等于 HKL晶面的晶面間距 dHKL的倒數(shù) 從性質(zhì)可看出，如果正點(diǎn)陣與倒易點(diǎn)陣具有同一坐標(biāo)原點(diǎn)，則正點(diǎn)陣中的一個(gè)晶面在倒易點(diǎn)陣中只須一個(gè)陣點(diǎn)就可以表示，倒易陣點(diǎn)用它所代表的晶面指數(shù)標(biāo)定，正點(diǎn)陣中晶面取向和面間距只須倒易矢量一個(gè)參量就能表示。b* a*我們把這個(gè)關(guān)系式叫作 晶帶定律 。b* a*a = c*晶體 X射線衍射學(xué)基礎(chǔ) 中 南 大 學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院 蘇 玉 長(zhǎng) X射線衍射分析技術(shù) 材料：你們最關(guān)心的是什么？ 性能：你認(rèn)為與哪些因素有關(guān)？ 結(jié)構(gòu)：有哪些檢測(cè)分析技術(shù)？ 緒論 ?物質(zhì)的性質(zhì)、材料的性能決定于它們的組成和微觀結(jié)構(gòu)。c = c*a* a*由于 r*與 r垂直，所以： 由此可得： Hu+Kv+Lw=0 這也就是說(shuō)，凡是屬于 [uvw]晶帶的晶面，它們的晶面指數(shù)（