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大學(xué)物理電通量高斯定理(留存版)

2025-02-27 19:36上一頁面

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【正文】 S?dE?閉合曲面取定 11( ) d dnniiSSiiE S E S??? ? ?????e SS1 0dd?? ? ? ? ? ????niiiqΦ E S E S?1( ) dniSiES?????2) 哪些電荷對閉合曲面 的 有貢獻? s思考: 1) 高斯面上的 與那些電荷有關(guān)? E?eΦ1) 高斯面上的電場強度為 所有 內(nèi)外電荷的總電場強度 . 4) 僅高斯面 內(nèi) 的電荷對高斯面的 電通量 有貢獻 . 2) 高斯面為封閉曲面 . 3) 穿進高斯面的電通量為 負 ,穿出為 正 . 總 結(jié) 所有電荷 曲面內(nèi)的電荷 例: 如右圖所示,閉合面 S內(nèi)有一點電荷 q, P點為 S面上一點,在 S面外 A點處有一點電荷 q′,若將 q′移至 B點, 則( )。 ( 4)根據(jù)高斯定理計算出電場強度大小。 dS n???eSE d S?x O 例: 一電場強度為 的均勻電場 , 的方向與 x軸正方向平行,則通過圖中一半徑為 R的半球面的電通量為 EEA、 πR2E B、 πR2E/ 2 C、 2πR2E D、 0 D B 三 高斯定理 e SS1 0dd?? ? ? ? ? ????niiiqΦ E S E S
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