【正文】 ispersion in ferroelectrics [J]. Mater. Scie. And Engi. B, 2022, 118: 26 參考文獻(xiàn) 29 [10] Yimnirun R, Laosiritaworn Y, Wongsaenmai S, et al. Scaling behavior of dynamic hysteresis in soft lead zirconate titanate bulk ceramics [J]. Appl. Phys. Lett., 2022, 89: 162901 [11] Orihara H, Hashimoto S, Ishibashi Y. A Theory of DE Hysteresis Loop Based on the Avrami Model [J]. J. Phys. Soc. Jpn., 1994, 63: 10311035 [12] Yimnirun R, Wongmaneerung R, Wongsaenmai S, et al. Dynamic hysteresis and scaling behavior of hard lead zirconate titanate bulk ceramics [J]. Appl. Phys. Lett., 2022, 90: 112908 [13] Chapman D W. Some thin ‐ film Properties of a New Ferroelectric Composition [J]. J. Appl. Phys., 1969, 40: 23812385 [14] Ding Y, Liu J S, Qin H X, et al. Why lanthanumsubstituted bismuth titanate bees fatigue free in a ferroelectric capacitor with platinum electrodes [J]. Appl. Phys. Lett., 2022, 78: 41754177 [15] Liu J M, Yu H, Pan B,Chen,X,Y,et al. Dynamic scaling of hysteresis dispersion in ferroelectrics [J]. Mater. Scie. And Engi. B, 2022, 118: 26 參考文獻(xiàn) 30 a 您好，為你提供優(yōu)秀的畢業(yè)論文參考資料，請(qǐng)您刪除以下內(nèi)容， O(∩_∩)O 謝謝！！！A national survey was recently launched to evaluate the eye health of Chinese children andteenag June 6, China39。s suggestion that a special day be marked in the year for the global practice of the stressbusting regimen, which is already a multibillion dollar industry in the United States. Modi said in the speech: Yoga is an invaluable gift of India39。研究選題體現(xiàn)了導(dǎo)師高瞻遠(yuǎn)矚開(kāi)闊敏銳的思維 ， 實(shí)驗(yàn)工作凝聚了導(dǎo)師 大量的心血。在 a/b軸擇優(yōu)取向的 Bi4Ti3O12薄膜中，電場(chǎng)幅值 E0較低時(shí)，對(duì)應(yīng)于非 a/b軸取向晶粒 180186。而在 a/b 軸高擇優(yōu)取向度 Bi4Ti3O12薄膜（ 3)的標(biāo)度關(guān)系中 ，指數(shù) a在低頻段為正值，說(shuō)明頻率較低時(shí)回線面積隨電場(chǎng)頻率 f 的增加而增加（幅度很?。?，這時(shí)電疇翻轉(zhuǎn)速率能跟得上外電場(chǎng)的變化；頻率增大到高頻段后指數(shù) a變?yōu)樨?fù)值，這時(shí) a/b軸高擇優(yōu)取向度 Bi4Ti3O12薄膜的回線面積隨電場(chǎng)頻率 f的增大而減小。 求得標(biāo)度關(guān)系指數(shù)為 a=， b=，標(biāo)度關(guān)系為： A∝ f 0。電疇極化翻轉(zhuǎn)需要一段時(shí)間來(lái)完成，所以交變電場(chǎng)的頻率也會(huì)影響電疇翻轉(zhuǎn)的多少，宏觀表現(xiàn)出回線形狀也跟隨隨頻率的變化而變化。 4）執(zhí)行程序得到電滯回線，并導(dǎo)出數(shù)據(jù)。 Yimnirun等得到軟 PZT陶瓷和硬 PZT陶瓷在高低 E0下的標(biāo)度關(guān)系 [10,12]，得出低電場(chǎng)時(shí)氧空位導(dǎo)致的磁疇釘扎使得兩者標(biāo)度關(guān)系的不同，高電場(chǎng)時(shí)標(biāo)度關(guān)系的主要影響因素變?yōu)榭煞D(zhuǎn)疇的多少。第二章 動(dòng)力學(xué)標(biāo)度及其意義 6 第二章 動(dòng)力學(xué)標(biāo)度 及其意義 鐵電體的極化翻轉(zhuǎn)可以用電疇翻轉(zhuǎn)來(lái)描述，晶體的自發(fā)極化會(huì)使晶體兩端產(chǎn)生束縛電荷，從而產(chǎn)生一個(gè)退極化場(chǎng)，結(jié)果會(huì)使靜電能升高。 1958年的第二屆電介質(zhì)會(huì)議上 Anderson 提出了軟膜理論，而 Cochran 則獨(dú)立地進(jìn)行了更詳 細(xì)的研究。結(jié)果表明 a/b 軸高擇優(yōu)取向度的 Bi4Ti3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系為：低頻段 A∝ ；高頻段 A∝ f 。 KDP 時(shí)期 ? 鐵電熱力學(xué)理論，在 RS 為唯一的已知的鐵電體的將近 20年期間，關(guān)于鐵電性的微觀機(jī)理仍然無(wú)從分析，直到 1935年至1938年， Busch和 Scherrer發(fā)現(xiàn)磷酸二氫鉀（ KDP）及其許多同構(gòu)晶Ps P +Pr ?Ec E +Ec 0 ?Pr 第一章 鐵電材料綜述 2 體也具有類似于 RS 的特殊介電行為。 表 1 鐵電薄膜的主要性能及應(yīng)用 物理效應(yīng) 對(duì)應(yīng)的應(yīng)用 介電性 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)，薄膜陶瓷電容，微波器件 (諧振器、探測(cè)器、波導(dǎo) )，薄膜傳感器、與硅太陽(yáng)能電池集成的儲(chǔ)能電容器 壓電性 SAW，微型壓電驅(qū)動(dòng)器，線性位置控制器件 熱釋電性 熱釋電探測(cè)器及探測(cè)器列陣 鐵電性 鐵電隨 機(jī)存取存儲(chǔ)器 (FRAM)，鐵電激光光盤 電光效應(yīng) 全內(nèi)反光開(kāi)關(guān)，光波導(dǎo)，光偏振器，光記憶與顯示器 聲光效應(yīng) 聲光偏轉(zhuǎn)器 光折變效應(yīng) 光調(diào)制器，光全息存儲(chǔ)器 非線性光學(xué)效 光學(xué)倍頻器 (二次諧波發(fā)生 ) 第一章 鐵電材料綜述 4 應(yīng) 其中鐵電存儲(chǔ)器是鐵電薄膜的最主要應(yīng)用 ，具有 低工作電壓、低能耗、讀寫速度快等優(yōu)點(diǎn) ，包括鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (FRAM)、鐵電效應(yīng)晶體管 (FEET)以及鐵電動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (FDRAM)。主要的方面有： 第一，回線的面積 A代表疇翻轉(zhuǎn)消耗的能量既疇翻轉(zhuǎn)數(shù)量的多少，電滯回線是由于鐵電疇在外電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下翻轉(zhuǎn)而導(dǎo)致的，翻轉(zhuǎn)包括新疇成核和生長(zhǎng)兩個(gè)過(guò)程。 實(shí)驗(yàn)采用美國(guó) Randiant Technology 公司生產(chǎn)的 RT Premier П 型標(biāo)準(zhǔn)鐵電測(cè)試儀，采用虛地模式進(jìn)行鐵電測(cè) 量。青島大學(xué)本科畢業(yè)論文（設(shè)計(jì)） 15 第四章 Bi4Ti3O12薄膜的回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度 Bi4Ti3O12鐵電薄膜（ 1）的回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度 圖 是隨機(jī)取向 Bi4Ti3O12鐵電薄膜樣品（ 1）的 XRD 掃面圖譜與標(biāo)準(zhǔn)粉末衍射圖譜的對(duì)比圖，可以看出該樣品的 XRD掃描圖譜與標(biāo)準(zhǔn)粉末衍射圖譜十分相似，（ 117）衍射峰最強(qiáng)約是（ 200/020/0012）的五倍左右，這可以證明樣品薄膜 結(jié)構(gòu)特征類似于粉末樣品，無(wú)取向分布趨勢(shì)，表明該樣品為隨機(jī)取向 Bi4Ti3O12鐵電薄膜。觀察電滯回線形狀隨幅值 E0的變化可知，在電場(chǎng)幅 值 E0的測(cè)試區(qū)間（ 450750kv/cm）內(nèi) ,回線都趨于飽和。 由圖 (b)， a 值在高頻和低頻不同，分別在高頻和低頻條件下求解。所以 a/b軸擇優(yōu)取向 Bi4Ti3O12薄膜大于隨機(jī)取向 Bi4Ti3O12鐵電薄膜翻轉(zhuǎn)過(guò)程中消耗的能量。 結(jié)論 26 結(jié)論 ，高電場(chǎng)條件下隨機(jī)取向 Bi4Ti3O12薄膜的標(biāo)度關(guān)系為： A∝ f 。s smoggy days. If the smog is severe, I39。ll wear a mask, or just ignore the smog and go on jogging, she said. For those who are not so athletic, jogging also has its attractions. Wu Houbin started roughly two years ago, when he was severely obese. Within two months, his weight dropped from 82 kilograms to 64 kilograms. The success helped him recover health, and he has made friends. Jogging does not require speed, but stamina. If you want to stick to the game, you need to take it as a mission, a habit, and then eventually a hobby, Wu said. But persevering with jogging is not always easy. Jogging is beneficial for heartlung function, and the skeletal system, but doctors say improper technique damages the joints, especially the knees and ankles. Excessive jogging wears down the body, and harms one39。 a/b 軸高擇優(yōu)取向度的 Bi4Ti3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系為：低頻段 A∝ ；高頻段 A∝ f 。 和 180186。圖 低頻的擬合圖，擬合優(yōu)度 R2分別為 。最大剩余極化強(qiáng)度值 Pr在 20181。圖中顯示電滯回線的面積 A、剩余極化強(qiáng)度 Pr、矯頑場(chǎng) Ec值都隨電場(chǎng)幅值 E0的增大而增大，并且其增大趨勢(shì)隨 E0的值的增加而趨向平緩，回線形狀趨向飽和，說(shuō)明這時(shí)電疇極化翻轉(zhuǎn)已經(jīng)基本完成。間隔一秒后開(kāi)始施加一個(gè)周期的測(cè)量三角波來(lái)測(cè)試記錄數(shù)據(jù)，三角波采用臺(tái)階形電壓，隔一定時(shí)間上升一段電壓，記錄一次數(shù)據(jù)，通過(guò)積分感應(yīng)電流計(jì)算出電極表面電荷，單位面積上的電荷即為剩余極化強(qiáng)度值。通過(guò)觀察回線的面積和形狀隨交變電場(chǎng)外電場(chǎng)幅值 E0和頻率 f的變化規(guī)律可以得到新疇成核和長(zhǎng)大的細(xì)節(jié) [4]。具有大的剩余 極化強(qiáng)度和良好的抗疲勞特性等優(yōu)點(diǎn)，用其制成的鐵電存儲(chǔ)器具有較高的儲(chǔ)存壽命和極低的漏電流等優(yōu)點(diǎn)，且可以極大的縮小器件體積，有利于器件集成 [1]。在理論研究方面， Muller 首先將熱力學(xué)理論應(yīng)用于鐵電體，并將這一理論應(yīng)用于更一般的情 況。由于Bi4Ti3O12鐵電薄膜的自發(fā)極化矢量靠近 a 軸，近 a 軸生長(zhǎng)的 Bi4Ti3O12鐵電薄膜具有大的剩余極化強(qiáng)度。 1945 年發(fā)現(xiàn)了室溫相對(duì)介電常數(shù)高達(dá) 1000 至3000的鈦酸鋇（ barium titanate， BaTiO3，簡(jiǎn)稱為 BT）陶瓷，而后在 1945年和 1946年 Wul和 Goldman報(bào)道了鈦酸鋇陶瓷的鐵電性。而不同應(yīng)用領(lǐng)域的器件對(duì)性能青島大學(xué)本科畢業(yè)論文（設(shè)計(jì)） 5 的要求不同，要求利用其不同方向?qū)?yīng)的不同性能，如非揮發(fā)性鐵電存儲(chǔ)器 (NVFRAM)對(duì)極化強(qiáng)度的要求很高 [13]、而 MEMS 要求好的壓電性能，只有不同均勻取向的薄膜才能滿足這些不同要求。 鐵電材料動(dòng)力學(xué)標(biāo)度的研究現(xiàn)狀 在二十世紀(jì)初， 等人從三維 O(N)對(duì)稱性的 ( 2)2和 (Φ 2)3模型推導(dǎo)出回線面積 A在低頻和高頻時(shí)的標(biāo)度關(guān)系， 低頻下： 2/30 1/3 ∝A Ef?? 高頻下： 20 1 ∝A Ef?? 該標(biāo)度關(guān)系最初是應(yīng)用于鐵磁系統(tǒng)，鑒于鐵電體和鐵磁體的回線形成機(jī)制類似，它進(jìn)而被推廣到鐵電系統(tǒng)中，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其合理性。 2）將信號(hào)輸出端和接收端連接到待測(cè)材料電容結(jié)構(gòu)的兩個(gè)電極。 圖 (a)(b)為外電場(chǎng)幅值 E0=520(kv/cm)情況下的 隨機(jī)取向Bi4Ti3O12 鐵電薄膜電滯回線隨外電場(chǎng)頻率的變化關(guān)系，頻率范圍是5005000Hz。頻率區(qū)間為4006000Hz，圖中顯示電滯回線的面積 A隨外電場(chǎng)頻率 f 的增大而減小。隨機(jī)取向 Bi4Ti3O12薄膜（ 621）的標(biāo)度關(guān)系中，指數(shù) a 在測(cè)試區(qū)間（ 5005000Hz）內(nèi)為負(fù)值，說(shuō)明測(cè)試區(qū)間內(nèi)，隨外電場(chǎng)頻率增加隨機(jī)取向 Bi4Ti3O12薄膜中有越來(lái)越多的疇翻轉(zhuǎn)速率跟不上外電場(chǎng)的變化。 疇翻轉(zhuǎn)的過(guò)程中伴隨著應(yīng)變能，所以 90186。 參考文獻(xiàn) 27 致 謝 本文是在導(dǎo)師盧朝靖教授和張永成老師的悉心指導(dǎo)下完成的。t conducive to raising a child. She planned to have children once she had achieved career success so she could provide a stable environment for her