【正文】 缺點。到了 20世紀 80年代，功率場效管（ MOSFET）、絕緣柵極晶體管 (IGBT)、MOS 控制晶 閘 管（ MCT）以及靜電 感應(yīng)功率器件的誕生為逆變器向大容量方向奠定了基礎(chǔ)，因此電力電子器件的發(fā)展為逆變技術(shù)高頻化，大容量創(chuàng)造了條件。 1 一、前言 利用晶 閘 管電路把直流轉(zhuǎn)變成交流電，這種對應(yīng)于整流的逆向過程，定義為逆變 [1]。 20世紀 70年代，可關(guān)斷晶 閘 管（ GTO）、電力晶體管（ BJT）的誕生使逆變技術(shù)得到發(fā)展應(yīng)用。而在一些 ACAC轉(zhuǎn)換時還需要 DCAC轉(zhuǎn)換作為中介。 個人 認為對于逆變器的拓撲結(jié)構(gòu)元件越多，逆變器的 開關(guān)工作狀態(tài)設(shè)置要合理性，以致逆變器散熱性好，開關(guān)不會出現(xiàn)燒毀；三電平 SVPWM 控制策略，由于它的狀態(tài)相對于二電平SVPWM控制過多，狀態(tài)間的轉(zhuǎn)換有時還需要借助其他的基本狀態(tài)，因而，選擇有效的中間狀態(tài)是很重要的；三電平逆變器是將 DC 轉(zhuǎn)換成 AC，因此 DC 部分的電容中點電壓漂移和窄脈沖問題需要解決； 逆變器如果使用軟開關(guān)技術(shù)可以減小逆變器的體積、重量，提高逆變器的開關(guān)頻率。 （ 3）逆變器通過控制系統(tǒng)中電子開關(guān)的開通和斷開來完成 DCAC。對逆變器的拓 撲結(jié)構(gòu)和調(diào)制策略也進行深入的研究，本文首先論述中高壓三電平逆變器的發(fā)展現(xiàn)狀，然后重點分析三電平逆變器的控制策略。隨著科技的不斷發(fā)展，各種儀器對逆變器的要求越來越高，各種行業(yè)對電氣設(shè)備的控制要求也越來越高。對三電平逆變器的研究，不僅僅停留在理論上，控制技術(shù)方面，而且在系統(tǒng)設(shè)計和工程應(yīng)用等方面都會深入研究。其中 SPWM控制技術(shù)使得逆變器的性能得到提高，安全性更好，干擾更小。數(shù)字化控制技術(shù)比模擬控制技術(shù)具有控制靈活，系統(tǒng)升級容易，數(shù)字控制的微處理器