【正文】 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － 形成空間電荷區(qū) 下一頁 返回 上一頁 退出 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? 1. PN 結(jié)加正向電壓 （正向偏置） PN 結(jié)變窄 P接正、 N接負(fù) 外電場(chǎng) IF 內(nèi)電場(chǎng)被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)，形成較大的擴(kuò)散電流。 死區(qū) 下一頁 返回 上一頁 退出 正向?qū)▍^(qū) 當(dāng)外加正向電壓大于死區(qū)電壓時(shí)，二極管由不導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通，當(dāng)電壓再繼續(xù)增加時(shí)，電流將急劇增加，而二極管的電壓卻幾乎不變，此時(shí)二極管的電壓稱為正向?qū)▔航?。二極管擊穿后單向?qū)щ娦员黄茐模踔吝^熱而燒壞。 12V A B +3V 0V DB DA Y 下一頁 返回 上一頁 退出 兩個(gè)二極管的陰極接在一起 取 B 點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電位。 常用的有 2EF等系列。 下一頁 返回 上一頁 退出 單相橋式整流電路 2. 工作原理 u 正半周， VaVb， 二極管 D D3 導(dǎo)通， D D4 截止 。 1. 電路結(jié)構(gòu) – + + – a Tr D uo u b RL io u ?t O uo O t ?U2U2U2?下一頁 返回 上一頁 退出 4. 參數(shù)計(jì)算 (1) 整流電壓平均值 Uo (2) 整流電流平均值 Io LL RURUI o ??(3) 流過每管電流平均值 ID oD II ?(4) 每管承受的最高反向電壓 UDRM 22D R M UU ?) d( s in2π2 1 2πο ttU ???? 20 .4 5U?oU下一頁 返回 上一頁 退出 整流二極管的選擇 平均電流 ID 與最高反向電壓 UDRM 是選擇整流二極管的主要依據(jù)。 在電路中與適當(dāng)電阻配合，能起到穩(wěn)定電壓的作用。 下一頁 返回 上一頁 退出 例 2: 圖中電路，輸入端 A的電位 VA=+3V， B的電位 VB=0V，求輸出端 Y的電位 VY。 外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦浴? U(V) 0 50 25 I (mA) 20 40 60 (?A) 40 20 由圖中可見，二極管的伏安特性是非線性的，大致可分為四個(gè)區(qū) ——死區(qū)、正向?qū)▍^(qū)、反向截止區(qū)和反向擊穿區(qū)。 a b c 4. 在外加電壓的作用下， P 型半導(dǎo)體中的電流 主要是 ， N 型半導(dǎo)體中的電流主要是 。 空穴 溫度愈高，晶體中產(chǎn)生的自由電子便愈多。 對(duì)電路進(jìn)行分析計(jì)算時(shí)，只要能滿足技術(shù)指標(biāo)，就不要過分追究精確的數(shù)值。 自由電子和 空穴成對(duì)地產(chǎn)生的同時(shí)，又不斷復(fù)合。 PN 結(jié)加正向電壓時(shí)， PN結(jié)變窄，正向電流較大，正向電阻較小， PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。 U(V) 0 50 25 I (mA) 20 40 60 (?A) 40 20 硅管正向?qū)▔航禐?~， 鍺管的正向?qū)▔航禐?~。 3. 反向峰值電流 IRM 指二極管加最高反向工作電壓時(shí)的反向電流。 V1陽 =－ 6 V， V2陽 =0 V， V1陰 = V2陰 = － 12 V UD1 = 6V， UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 優(yōu)先導(dǎo)通， D1截止。 發(fā)光二極管的 工作電壓為 ~ 3V，工作電流為幾 ~十幾 mA。 ? 3. 工作波形 uD2uD4 1. 電路結(jié)構(gòu) ? － uo uD ?t ?t RL u io uo 1 2 3 4 a b + – + – ? － u t ?U2U2U2?下一頁 返回 上一頁 退出 單相橋式整流電路 2. 工作原理 ? 3. 工作波形 uD2uD4 1. 電路結(jié)構(gòu) RL u io uo 1 2 3 4 a b + – + – u 正半周， VaVb， 二極 管 3 導(dǎo)通， 4 截止 。 整流原理： 利用二極管的單向?qū)щ娦? 下一頁 返回 上一頁 退出 t ?uD O 單相半波整流電路 2.