【正文】 ） min=3V，最大輸入、輸出壓差（ Vi－ Vo） max＝ 40V。 變壓器耦合：級(jí)與級(jí)之間采用變壓器耦合連接，其優(yōu)點(diǎn)是級(jí)與級(jí)之間能夠較好 的匹配，耗能少，缺點(diǎn)是通頻帶較窄，只有幾百茲到幾千赫茲，非線性失真較大，加上本身體積大、笨重、價(jià)格較貴等等特點(diǎn)，一般只使用在需要節(jié)省能源的功率輸出級(jí)。 各級(jí)的輸入線，前置電路輸入輸線，出線最好采用屏蔽以極大地降低感應(yīng)噪音，提高信噪比。 由于本人的水平和經(jīng)驗(yàn)有限，在本文中也暴露出諸多的弱點(diǎn)，難免有很多疏漏之處，衷心希望各位老師指正。常用的接地方式有逐級(jí)串聯(lián)接地法與并聯(lián)一點(diǎn)接地法。 設(shè)計(jì)直流穩(wěn)壓電源電路原理圖 圖 1 直流穩(wěn)壓電源電路圖 2． 6 總體電路 低頻功率放大器是一個(gè)小型的電路系統(tǒng)，要將各級(jí)進(jìn)行合理布局，一般按照電路的順序一級(jí)一級(jí)的布局，每一級(jí)的地線要盡量接在一起，連線盡量短，否則很容易出現(xiàn)自激。電容量在 F 以下的電容器，如 C C4 、 C6 、 C7 等選用優(yōu)質(zhì)的 MKP 系列電容器，必要時(shí)應(yīng)選用無感金屬化聚丙烯電容器，如 C C5等等。 轉(zhuǎn)折頻率2Lf以及xLf R R RP1 不能取的太大，否則運(yùn)放飄移電流的影響就不可忽略，也不能太小，否則流過它們的電流將超過運(yùn)放的輸出能力，一般取幾歐到幾百千歐。 其中： 從圖 的電路可以看出，通過 R C 、 Ra 反饋到輸入端的信號(hào)極小，這一支路的反饋信號(hào)大部分被信號(hào)源短路，同樣，信號(hào) U1 通過 Rc、 Rb 加到反相輸入端的也極小，可見， Rc 對(duì)電路的影響相當(dāng)于開路。 在圖 （ a）的電路里， 1fZR? 2 11FZR jwC?? 當(dāng) C1取值較大時(shí)，其容抗只有在低頻時(shí)才有較大的變化，頻率越低， ZF 越大，電路增益越高，這樣就達(dá)到了低音提升的目的。 其耦合電容等，考慮信號(hào)低頻率低，均采用耐壓 50V、容量為 33μ的電解電容。 因此，所設(shè)計(jì)的低頻功率放大電路，既能有效實(shí)現(xiàn)隔離，完成電路阻抗匹配，又能在一個(gè)頻率范圍內(nèi)進(jìn)行信號(hào)均衡放大的實(shí)用性電路。 基于 Multisim的 實(shí)用低頻功率放大器仿真設(shè)計(jì) 學(xué)員 : 指導(dǎo)教員： 單位： 目錄 第一部分 摘要、引言 一 ………………………………… 二、 …………………………………低頻功放的概念 三、 …………………………………設(shè)計(jì)框架的形式 四 …………………………………系統(tǒng)總增益 第二部分 各部分電路的選擇與設(shè)計(jì) 一、 …………………………………輸入級(jí)的設(shè)計(jì) 二、 ………………………………前置放大級(jí)的設(shè)計(jì) 1， 電路的設(shè)計(jì) 2， 電路參數(shù)的計(jì)算 三、 ………………………………音頻控制級(jí)的設(shè)計(jì) 1， 反饋式高低音電路的設(shè)計(jì)電路工作原理 2， 設(shè)計(jì)方法 四、 …………………………末級(jí)功率放大級(jí)的設(shè)計(jì) 1， 基本要求 2， 電路形式的要求 3， 末級(jí)功放參數(shù)計(jì)算 五、 …………………………供電電路與接地 六、 …………………………總體電路 第三部分 問題與分析 結(jié)束語 參考文獻(xiàn) 正文 摘要 低頻功率的理念 低頻功率放大器是一種能量轉(zhuǎn)換電路，在輸入信號(hào)的作用下，電路把直流電源的能量，通過前置放大級(jí)，功率放大級(jí)，轉(zhuǎn)換 成隨輸入信號(hào)變化的輸出功率送給負(fù)載。 均衡部分，借鑒了音頻放大電路的音調(diào)控制電路，將音調(diào)控制的輸出信號(hào)送入功放，提升到所需的額定輸出功率。 輸入端電阻 R1 取 100kΩ電阻（應(yīng)遠(yuǎn)大于前級(jí)輸出阻抗），并一個(gè)小電容 改善輸入特性。 在圖 （ b）的電路里，把容量較小 C3放在輸入電路中，此電路 1 11//fZR jwC? 2FZR? 由于 C3容量較小，只有在高頻時(shí) Zf隨頻率明顯的變化，頻率越高，電路增益越高，達(dá)到了高頻提升的目的。 高頻提升： 其中 ： 高頻衰減： 式中： 其規(guī)律為： 中頻區(qū)增益為 0dB，ω =ω ’ H 時(shí)增益為177。 LM324內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖 。 因?yàn)殡娐凡捎玫耐噍斎?，其?大倍數(shù) 431 7 0oViU RA UR? ? ? ? 故： 4369RR? 因?yàn)?3R 不宜過小 ?取 3R 為標(biāo)稱值 620? ，則得： 4369RR? 4369RR? =? 因?yàn)?R3不宜過小 取 R3為標(biāo)準(zhǔn)值 620Ω，則得： R4=69R3 = 取標(biāo)稱值 43 kΩ . R1原則上應(yīng)遠(yuǎn)大于前級(jí)電路的內(nèi)阻，本設(shè)計(jì)選用阻值為100kΩ的標(biāo)稱電阻。 將已經(jīng)設(shè)計(jì)好的各級(jí)電路連接起來，組成一個(gè)完整的低頻功率放大器電路。應(yīng)根據(jù)具體情