【正文】 定在所待測(cè)晶體（ hkl）面的 2θ位置上，使手搖轉(zhuǎn)軸固定在上述柱面的 θ角位置上，然后將晶體沿軸向 360176。粗磨后的晶片表面比較光整，刀痕損傷完全去除，但在光學(xué)顯微鏡下可以觀察到金剛石磨料引起的細(xì)劃痕。 LOGO 。拋光機(jī)磨盤轉(zhuǎn)速為 65~70rpm，研磨后的晶片在拋光絨布上拋光 1小時(shí)。若 360176。 自八十年代以來，國外科技工作者相繼開始對(duì) CZT進(jìn)行研究，但由于 CZT材料主要用于軍事行業(yè)，所以國內(nèi)外對(duì)CZT材料的加工很少報(bào)道，即使有報(bào)道也是鳳毛麟角。倒角有兩個(gè)目的，一是為防止晶片與研磨壓塊粘接不牢，二是防止晶片在研磨過程中掉渣。當(dāng)研磨壓力在 11Kpa左右時(shí)，即可得到較高的去除率，加工后表面粗糙度也能為后序加工做好準(zhǔn)備。用 2%的 Br2MeOH溶液對(duì)晶片進(jìn)行化學(xué)拋光 5min，然后再用去離子水清洗三次，每次 3min。此法只需觀察CdSe晶體解理面上臺(tái)階的走向，便可確定CdSe晶體的 C軸方向，即解理面上臺(tái)階延伸的方向?yàn)?CdSe晶體的 C軸方向，并采用 X射線衍射法對(duì)結(jié)果進(jìn)行了驗(yàn)證。 Company Logo 外延襯底材料 如： MCT探測(cè)器的外延襯底 CZT的用途 探測(cè)器材料 如： X射線、γ 射線探測(cè)器 Company Logo CZT的用途 Company Logo 晶錠到晶片 定向 切割 研拋 Company Logo CZT晶片的加工現(xiàn)狀 20世紀(jì) 60年代以前，半導(dǎo)體晶片拋光大都采用機(jī)械拋光，通過機(jī)械運(yùn)動(dòng)用磨料磨除晶片的凸起部分，可得到鏡面表面，但表面損傷極其嚴(yán)重。實(shí)驗(yàn)中分粗磨、細(xì)拋、化學(xué)拋光三個(gè)步驟對(duì)已切割的晶片進(jìn)行正反兩面的加工，以獲得厚度均一，表面平