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基于gtm900c的防傾覆短信報警系統(tǒng)設(shè)計畢業(yè)設(shè)計論文(留存版)

2025-04-27 09:48上一頁面

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【正文】 看門狗定時器 雙數(shù)據(jù)指針 掉電標(biāo)識符 AT89S52 的功能特性描述 AT89S52是一種低功耗、高性能 CMOS8位微控制器,具有 8K 在畢業(yè)設(shè)計(論文) 10 系統(tǒng)可編程 Flash 存儲器。 GTM900C模塊產(chǎn)品特性 表 31 GTM900C 的產(chǎn)品特性表 工作頻段 EGSM900/GSM1800 雙頻 最大發(fā)射功率 EGSM900 Class4(2W) GSM1800 Class1(1W) 接收靈敏度 106dBm 工作溫度 正常工作溫度 :20176。 AT+CXXX 消息發(fā)送和寫入命令 發(fā)送消息: AT+CMGS 使用設(shè)置命令,可 將 SMS( SMSSUBMIT)從 TE發(fā)送到網(wǎng)絡(luò)側(cè)。 14 ADC I 0- 模擬數(shù)字采樣 最高輸入電壓 15 PWON I 開 /關(guān)機(jī)控制信號 低電 平有效 16 UART_DSR0 O (177。 UART 接口的功能特性 UART 接口與外界進(jìn)行串行通信,支持 電平輸入和輸出。 RAM 類型的存儲器易于使用、性能好,可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數(shù)據(jù)。最初的鐵電存儲器采用兩晶體管 /兩電容器 (2T/2C)的結(jié)構(gòu),導(dǎo)致元件體積相對過大。前期的 FRAM 每個存儲單元使用兩個場效應(yīng)管和兩個電容,稱為 “ 雙管雙容 ”( 2T2C),每個存儲單元包括數(shù)據(jù)位和各自的參考位。串行 FRAM與傳統(tǒng)的 24 、 25 型的 E2PROM 引腳及時序兼容,可以直接替換,如 Microchip、 Xicor 公司的同型號產(chǎn)品,但各項性能要好得多,性能比較如表 1 所示。程序存儲器必須是非易失性的并且要相對低廉,且比較容易改寫,而使用 FRAM會受訪問次數(shù)的限制。要保證代碼不會意外地被改寫,僅需斷開 J2即可。 8.中斷信號輸出 (IRQ)和總線兼容,定鬧中斷、周期性中斷、時鐘沈陽建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(論文) 44 更新周期結(jié)束中斷可分別由軟件屏蔽,也可分別進(jìn)行測試。 隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展,慣性傳感器件在過去的幾年中成為最成功 ,應(yīng)用最廣泛的微機(jī)電系統(tǒng)器件之一,而微加速度計 (microaccelerometer)就是慣性傳感器件的杰出代表。如圖 3 所示,左邊電極浸入深度小,則導(dǎo)電液減少,導(dǎo)電的離子數(shù)減少,電阻 RI增大,相對極則導(dǎo)電液增加,導(dǎo)電的離子數(shù)增加,而使電阻 RIII 減少,即 RIRIII。電流流過熱線,熱線產(chǎn)生熱量,使熱線保持一定的溫度。這對于要測量相對傾角的場合非常有用。重力沈陽建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(論文) 53 垂直軸與加速度傳感器靈敏軸之間的夾角就是傾斜角了 當(dāng)貴重物品發(fā)生傾覆時,由于物品本身的異常運(yùn)動情況被加速度傳感器所監(jiān)測到,通過系統(tǒng)設(shè)定的分析、處理,系統(tǒng) CPU 控制 GTM900C 模塊發(fā)出短信報警。隨著嵌入式計算功能的成本繼續(xù)減少, “ 智能 ” 器件將被更多地應(yīng)用。 智能傳感器必須具備通信功能 , 最起碼,除了滿足最基本應(yīng)用的反饋信號, ‘ 智能 ’ 傳感器必須能傳輸其它信息。 ( 3) 鐵電存儲器 , 采用了能夠保證掉電數(shù)據(jù)不丟失的鐵電存儲器 。 典型應(yīng)用場合 角度測量,水平調(diào)整,零位調(diào)整 傾角開關(guān)(十二路開關(guān)信號), 安全控制,監(jiān)控,報警 機(jī)械臂,大壩,建筑,橋梁角度測量 對準(zhǔn)控制,彎曲控制。氣體擺式慣性器件就是根據(jù)一原理研制的。若液體擺 水平時,則 RI=RIII。 當(dāng)傾角傳感器靜止時也就是側(cè)面和垂直方向沒有加速度作用,那么作用在它上面的只有重力 加速度。 6.有 128個 RAM單元與軟件 音響器,其中 14個作為字節(jié)時鐘和控制寄存器, 114字節(jié)為通用 RAM,所有 ARAM 單元數(shù)據(jù)都具有掉電保護(hù)功能。 8051 的 RD信號與 PSEN 信號相 “ 與 ” 后作為 U3的輸出允許,所以 U3 作為程序或數(shù)據(jù)存儲器使用。 DRAM的作用與成本是 FRAM無法比擬的,事實證明, DRAM 不是 FRAM所能取代的。 FRAM 與其它存儲技術(shù)比較 目前 Ramtron 公司的 FRAM 主要包括兩大類:串行 FRAM 和并行 FRAM。但受鐵電晶體特性制約, FRAM仍有最大訪問(讀)次數(shù)的限制。鐵電薄膜被放置于CMOS 基層之上,并置于兩電極之間,使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造過程。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器 SRAM( static random access memory)和動態(tài)存儲器 DRAM ( dynamic random access memory)。) 復(fù)位信號 低電平有效,對模塊復(fù) 位 32 LPG O (177。 沈陽建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(論文) 25 圖 34 天線接口連接器尺寸圖(單位: mm) 表 37 信號連接器接口功能表 序號 信號名稱 I/O 接口電平 功能 備注 1 VBAT I - 電源 建議典型值: 2 VBAT I 3 VBAT I 4 VBAT I 5 VBAT I 6 GND 地 7 GND 8 GND 9 GND 沈陽建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(論文) 26 10 GND 11 USB_D+ I/O 僅用于模塊調(diào)測 ,設(shè)計時懸空 12 USB_D I/O 僅用于模塊調(diào)測 ,設(shè)計時懸空 13 VBUS I 僅用于模塊調(diào)測 , 設(shè)計時懸空。 AT+CXXX=? 查詢命令 該命令用于返回參數(shù)的當(dāng)前值。 主要功能 : GSM/GPRS Phase 2/2+ ; GSM 短信業(yè)務(wù); GPRS CLASS 10數(shù)據(jù)業(yè)務(wù);支持 Group3, Class2 傳真業(yè)務(wù);電路交換業(yè)務(wù)(, );分組交換數(shù)據(jù)業(yè)務(wù) () ;FR/HR/EFR/AMR 語音編碼;呼叫轉(zhuǎn)移、等待、保持、呼叫前轉(zhuǎn);多方通話、來電顯示、可選鈴聲 接口特性: 40pin zip 連接器;紅外串口接口; SIM 接口;2 路模擬音頻輸入輸出接口;電源輸入接口和充電管理; ADC輸入;全雙工串行接口, TTL電平;支持 , ; TCP/IP擴(kuò)展 AT指令集 . 畢業(yè)設(shè)計(論文) 13 GTM900C模塊產(chǎn)品定位 華為 GTM900C 無線模塊是一款兩頻段 GSM/GPRS 無線模塊。本文介紹了用 AT89S52單片 機(jī)實現(xiàn)的基于 GTM短信模塊的 防傾覆系統(tǒng),以及 AT89S52 單片機(jī)的功能特點、 GTM 短信模塊工作原理、傳感器工作原理。 傳統(tǒng)的防傾覆系統(tǒng)非常復(fù)雜而且要把設(shè)備拆卸下來也很麻煩,因此影響到了物品的便攜性。伴隨著 電子技術(shù)的飛速發(fā)展, 防傾覆 系統(tǒng)已從原來的簡單化、局部化向智能化、集成化發(fā)展。使用 Atmel 公司高密度非易失性存儲器技術(shù)制造,與工業(yè) 80C51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容 [3]。 C~ +70176。發(fā)送成功后,消息參考值 mr將返回給 TE。) 數(shù)據(jù)準(zhǔn)備就緒 17 UART_RI0 O (177。UART 接口的信號除了 RXD0、 TXD0 是高電平有效之外,其余所有信號均為低電平有效。 非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。最近隨著鐵電材料和制造工藝的發(fā)展,在鐵電存儲器的每一單元內(nèi)都不再需要配置標(biāo)準(zhǔn)電容器。 2021 年 Ramtron設(shè)計開發(fā)了更先進(jìn)的 單管單容 ( 1T1C)存儲單元。并行 FRAM價格較高但速度快,由于存在 預(yù)充 問題,在時序上有所不同不能和傳統(tǒng)的 SRAM直接替換。 沈陽建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(論文) 39 FRAM與單片機(jī)接口 下面介紹并行 FRAM FM1808 與 8051/52 的實際應(yīng)用。 需要注意的是,由于邏輯門電路都有 6~8ns的延時時間,在主頻較高時應(yīng)使用快速型邏輯芯片( F 系列)。 時間、日歷和定鬧單元 時間和日歷信息通過讀相應(yīng)的內(nèi)存字節(jié)來獲取,時間、日歷和定時鬧鐘通過寫相應(yīng)的內(nèi)存字節(jié)設(shè)置或初始化,其字節(jié)內(nèi)容可以是十進(jìn)制或BCD形式。作為最成熟的慣性傳感器應(yīng)用,現(xiàn)在的MEMS 加速度計有非常高的集成度,即傳感系統(tǒng)與接口線路集成在一個芯片上。反之,若傾斜方向相反,則 RIRIII。熱線的溫度高于它周圍氣體的溫度,動能增加,所以氣體向上流動。使 用完畢后可以重新回歸零位。 本設(shè)計貴重物品 GTM900C 報警系統(tǒng)的實現(xiàn)情況:首先,利用加速度傳感器檢測物品的是否存在異常移動、異常振動、異常振動、異常提升 和物品異常切斜等等情況。獨(dú)立的內(nèi)部診斷功能可避免代價高昂的宕機(jī),從而迅速收回投資 世界 防傾覆系統(tǒng) 市場正在穩(wěn)步發(fā)展中,新的應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷的增長。一般智能機(jī)器人的感覺系統(tǒng)由多個傳感器集合而成,采集的信息需要計算機(jī)進(jìn)行處理,而使用智能傳感器就可將信息分散處理,從 而降低成本。 ( 2) GTM900C、 Modem(手機(jī)),主要負(fù)責(zé)向主控機(jī)傳送控制信息、向主控機(jī)指定的電話號碼發(fā)送報警信息。 液體擺傾角傳感器介于兩者之間,但系統(tǒng)穩(wěn)定,在高精度系統(tǒng)中,應(yīng)用較為廣泛,且國內(nèi)外產(chǎn)品多為此類。 當(dāng)氣流以速度 U 垂直穿過熱線時,( 4) 將( 4)式 代入( 3)式得:( 5) 根據(jù)熱平衡方程可得: 沈陽建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(論文) 49 所以:( 6) 假設(shè)和 s 為常數(shù),則有:( 7) 從式( 7)可以看出,當(dāng)流體的動力學(xué)粘度、密度和熱傳導(dǎo)特性一定時,若熱線周圍流體的速度不同,則流過熱線的電流也不同,從而引起熱線兩端的電壓也產(chǎn)生相應(yīng)的變化。如果在兩根電極之間加上幅值相等的交流電壓時,電極之間會形成離子電流,兩根電極之間的液體相當(dāng)于兩個電阻 RI和 RIII。所以它其實是運(yùn)用慣性原理的一種加速度傳感器。 5. MOTOROLA5 和 INATAEL 總線時序選擇。所以, U2的地址為 0~7FFFH, U3 的地址為 8000H~FFFFH。如果不需要下次開機(jī)時保存上次內(nèi)容,使用易失性的 DRAM 存儲器就可以。增加預(yù)充電時間后 FRAM一個完整的讀操作周期為 130ns,這是與 SRAM和 E2PROM不同的地方。 FRAM 的特點是速度快,能夠像 RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在如 E2PROM的最大寫入次數(shù)的問題。 鐵電存儲器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的 CMOS 制造工藝相兼容。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類 易失性和非易失性。) SIM 卡電源 29 SIM_GND SIM 卡地 與通常的工作地: GND信號連接同時要求與 SIM卡的GND信號連接 30 Vbackup I/O 備用電池電源信號 參考后面章節(jié)的推薦設(shè)計 31 RST I (177。該連接器是由 HRS 公司提供的,器件編碼是 (10),具體的圖形和尺寸如圖 24 所示。 測試命令 該命令用于查詢設(shè)置命令或內(nèi)部程序設(shè)置的參數(shù)及其取值范圍。在遠(yuǎn)程監(jiān)控和無線公話以及無線 POS終端等領(lǐng)域您都能看到 GTM900C 無線模塊在發(fā)揮作用, GTM900C 軟件、硬件兼容 GTM900B、 TC35i、 MC39i,使用 TC35i 或 MC39i 的用戶不用作任何更改就可以使用,以降低產(chǎn)品成本。傾角傳感器經(jīng)常用于系統(tǒng)的水平測量,從工作原理上可分為“固體擺”式、“液體擺”式、“氣體擺”三種傾角傳感器就基于固體擺、液體擺及氣體擺原理研制的傾角傳感器而言,它們各有所長。結(jié)合AT89S52 單片機(jī),外加串口電路,報警電路以及顯示模塊,設(shè)計了防傾覆檢測并報警的硬件系統(tǒng) 變有形的傳統(tǒng) 防傾覆網(wǎng) 為無形,給 貴重物品傾覆 時的 及時發(fā)現(xiàn)提供方便 。 傾角傳感器經(jīng)常用于系統(tǒng)的水平測量,從工作原理上可分為“固體擺”式、“液體擺”式、“氣體擺”三種傾角傳感器就基于固體擺、液體擺及氣體擺原理研制的傾角傳感器而言,它們各有所長。 片上Flash允許程序存儲器在系統(tǒng)可編程,亦適于常規(guī)編程 器。 C 擴(kuò)展工作溫度 :40176。在接收到非請求發(fā)送狀態(tài)報告結(jié)果碼時,使用該取值可進(jìn)行消息識別。) 振鈴指示 18 UART_RXD0 O (177。 UART 接口有 512 byte 的發(fā)送 FIFO( First In First Out)和接收 FIFO,支持可編程的數(shù)據(jù)寬度、可編程的數(shù)據(jù)停止位、可編程的奇 /偶校驗或者沒有校驗。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于只讀存儲器( ROM) 技術(shù) 。 Ramtron 新的單晶體管 /單電容器結(jié)構(gòu)可以像 DRAM 一樣,使用單電容器為存儲器陣列的每一列提供參考。 1T1C 的 FRAM所有數(shù)據(jù)位使用同一個參考位,而不是對于每一數(shù)據(jù)位使用各自獨(dú)立的參考位。 FRAM 產(chǎn)品具有 RAM 和 ROM 優(yōu)點,讀寫速度快并可以像非易失性存儲器一樣使用。 預(yù)充電信號的產(chǎn)生 在大多數(shù)的 80
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