【正文】 看門狗定時(shí)器 雙數(shù)據(jù)指針 掉電標(biāo)識(shí)符 AT89S52 的功能特性描述 AT89S52是一種低功耗、高性能 CMOS8位微控制器，具有 8K 在畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 10 系統(tǒng)可編程 Flash 存儲(chǔ)器。 GTM900C模塊產(chǎn)品特性 表 31 GTM900C 的產(chǎn)品特性表 工作頻段 EGSM900/GSM1800 雙頻 最大發(fā)射功率 EGSM900 Class4(2W) GSM1800 Class1(1W) 接收靈敏度 106dBm 工作溫度 正常工作溫度 :20176。 AT+CXXX 消息發(fā)送和寫入命令 發(fā)送消息： AT+CMGS 使用設(shè)置命令，可 將 SMS（ SMSSUBMIT）從 TE發(fā)送到網(wǎng)絡(luò)側(cè)。 14 ADC I 0－ 模擬數(shù)字采樣 最高輸入電壓 15 PWON I 開 /關(guān)機(jī)控制信號(hào) 低電 平有效 16 UART_DSR0 O (177。 UART 接口的功能特性 UART 接口與外界進(jìn)行串行通信，支持 電平輸入和輸出。 RAM 類型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好，可是它們同樣會(huì)在掉電的情況下會(huì)失去所保存的數(shù)據(jù)。最初的鐵電存儲(chǔ)器采用兩晶體管 /兩電容器 (2T/2C)的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致元件體積相對(duì)過大。前期的 FRAM 每個(gè)存儲(chǔ)單元使用兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管和兩個(gè)電容，稱為 “ 雙管雙容 ”（ 2T2C），每個(gè)存儲(chǔ)單元包括數(shù)據(jù)位和各自的參考位。串行 FRAM與傳統(tǒng)的 24 、 25 型的 E2PROM 引腳及時(shí)序兼容，可以直接替換，如 Microchip、 Xicor 公司的同型號(hào)產(chǎn)品，但各項(xiàng)性能要好得多，性能比較如表 1 所示。程序存儲(chǔ)器必須是非易失性的并且要相對(duì)低廉，且比較容易改寫，而使用 FRAM會(huì)受訪問次數(shù)的限制。要保證代碼不會(huì)意外地被改寫，僅需斷開 J2即可。 8．中斷信號(hào)輸出 (IRQ)和總線兼容，定鬧中斷、周期性中斷、時(shí)鐘沈陽建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 44 更新周期結(jié)束中斷可分別由軟件屏蔽，也可分別進(jìn)行測(cè)試。 隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，慣性傳感器件在過去的幾年中成為最成功 ,應(yīng)用最廣泛的微機(jī)電系統(tǒng)器件之一，而微加速度計(jì) (microaccelerometer)就是慣性傳感器件的杰出代表。如圖 3 所示，左邊電極浸入深度小，則導(dǎo)電液減少，導(dǎo)電的離子數(shù)減少，電阻 RI增大，相對(duì)極則導(dǎo)電液增加，導(dǎo)電的離子數(shù)增加，而使電阻 RIII 減少，即 RIRIII。電流流過熱線，熱線產(chǎn)生熱量，使熱線保持一定的溫度。這對(duì)于要測(cè)量相對(duì)傾角的場(chǎng)合非常有用。重力沈陽建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 53 垂直軸與加速度傳感器靈敏軸之間的夾角就是傾斜角了 當(dāng)貴重物品發(fā)生傾覆時(shí)，由于物品本身的異常運(yùn)動(dòng)情況被加速度傳感器所監(jiān)測(cè)到，通過系統(tǒng)設(shè)定的分析、處理，系統(tǒng) CPU 控制 GTM900C 模塊發(fā)出短信報(bào)警。隨著嵌入式計(jì)算功能的成本繼續(xù)減少， “ 智能 ” 器件將被更多地應(yīng)用。 智能傳感器必須具備通信功能 ， 最起碼，除了滿足最基本應(yīng)用的反饋信號(hào)， ‘ 智能 ’ 傳感器必須能傳輸其它信息。 （ 3） 鐵電存儲(chǔ)器 ， 采用了能夠保證掉電數(shù)據(jù)不丟失的鐵電存儲(chǔ)器 。 典型應(yīng)用場(chǎng)合 角度測(cè)量，水平調(diào)整，零位調(diào)整 傾角開關(guān)（十二路開關(guān)信號(hào)）， 安全控制，監(jiān)控，報(bào)警 機(jī)械臂，大壩，建筑，橋梁角度測(cè)量 對(duì)準(zhǔn)控制，彎曲控制。氣體擺式慣性器件就是根據(jù)一原理研制的。若液體擺 水平時(shí)，則 RI=RIII。 當(dāng)傾角傳感器靜止時(shí)也就是側(cè)面和垂直方向沒有加速度作用，那么作用在它上面的只有重力 加速度。 6．有 128個(gè) RAM單元與軟件 音響器，其中 14個(gè)作為字節(jié)時(shí)鐘和控制寄存器， 114字節(jié)為通用 RAM，所有 ARAM 單元數(shù)據(jù)都具有掉電保護(hù)功能。 8051 的 RD信號(hào)與 PSEN 信號(hào)相 “ 與 ” 后作為 U3的輸出允許，所以 U3 作為程序或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器使用。 DRAM的作用與成本是 FRAM無法比擬的，事實(shí)證明， DRAM 不是 FRAM所能取代的。 FRAM 與其它存儲(chǔ)技術(shù)比較 目前 Ramtron 公司的 FRAM 主要包括兩大類：串行 FRAM 和并行 FRAM。但受鐵電晶體特性制約， FRAM仍有最大訪問（讀）次數(shù)的限制。鐵電薄膜被放置于CMOS 基層之上，并置于兩電極之間，使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造過程。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM（ static random access memory)和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM （ dynamic random access memory)。) 復(fù)位信號(hào) 低電平有效，對(duì)模塊復(fù) 位 32 LPG O (177。 沈陽建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 25 圖 34 天線接口連接器尺寸圖（單位： mm） 表 37 信號(hào)連接器接口功能表 序號(hào) 信號(hào)名稱 I/O 接口電平 功能 備注 1 VBAT I － 電源 建議典型值： 2 VBAT I 3 VBAT I 4 VBAT I 5 VBAT I 6 GND 地 7 GND 8 GND 9 GND 沈陽建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 26 10 GND 11 USB_D+ I/O 僅用于模塊調(diào)測(cè) ,設(shè)計(jì)時(shí)懸空 12 USB_D I/O 僅用于模塊調(diào)測(cè) ,設(shè)計(jì)時(shí)懸空 13 VBUS I 僅用于模塊調(diào)測(cè) , 設(shè)計(jì)時(shí)懸空。 AT+CXXX=? 查詢命令 該命令用于返回參數(shù)的當(dāng)前值。 主要功能 : GSM/GPRS Phase 2/2+ ； GSM 短信業(yè)務(wù)； GPRS CLASS 10數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)；支持 Group3， Class2 傳真業(yè)務(wù)；電路交換業(yè)務(wù)(， )；分組交換數(shù)據(jù)業(yè)務(wù) () ；FR/HR/EFR/AMR 語音編碼；呼叫轉(zhuǎn)移、等待、保持、呼叫前轉(zhuǎn)；多方通話、來電顯示、可選鈴聲 接口特性： 40pin zip 連接器；紅外串口接口； SIM 接口；2 路模擬音頻輸入輸出接口；電源輸入接口和充電管理； ADC輸入；全雙工串行接口， TTL電平；支持 ， ； TCP/IP擴(kuò)展 AT指令集 . 畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 13 GTM900C模塊產(chǎn)品定位 華為 GTM900C 無線模塊是一款兩頻段 GSM/GPRS 無線模塊。本文介紹了用 AT89S52單片 機(jī)實(shí)現(xiàn)的基于 GTM短信模塊的 防傾覆系統(tǒng)，以及 AT89S52 單片機(jī)的功能特點(diǎn)、 GTM 短信模塊工作原理、傳感器工作原理。 傳統(tǒng)的防傾覆系統(tǒng)非常復(fù)雜而且要把設(shè)備拆卸下來也很麻煩，因此影響到了物品的便攜性。伴隨著 電子技術(shù)的飛速發(fā)展， 防傾覆 系統(tǒng)已從原來的簡(jiǎn)單化、局部化向智能化、集成化發(fā)展。使用 Atmel 公司高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造，與工業(yè) 80C51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容 [3]。 C～ +70176。發(fā)送成功后，消息參考值 mr將返回給 TE。) 數(shù)據(jù)準(zhǔn)備就緒 17 UART_RI0 O (177。UART 接口的信號(hào)除了 RXD0、 TXD0 是高電平有效之外，其余所有信號(hào)均為低電平有效。 非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。最近隨著鐵電材料和制造工藝的發(fā)展，在鐵電存儲(chǔ)器的每一單元內(nèi)都不再需要配置標(biāo)準(zhǔn)電容器。 2021 年 Ramtron設(shè)計(jì)開發(fā)了更先進(jìn)的 單管單容 （ 1T1C）存儲(chǔ)單元。并行 FRAM價(jià)格較高但速度快，由于存在 預(yù)充 問題，在時(shí)序上有所不同不能和傳統(tǒng)的 SRAM直接替換。 沈陽建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 39 FRAM與單片機(jī)接口 下面介紹并行 FRAM FM1808 與 8051/52 的實(shí)際應(yīng)用。 需要注意的是，由于邏輯門電路都有 6~8ns的延時(shí)時(shí)間，在主頻較高時(shí)應(yīng)使用快速型邏輯芯片（ F 系列）。 時(shí)間、日歷和定鬧單元 時(shí)間和日歷信息通過讀相應(yīng)的內(nèi)存字節(jié)來獲取，時(shí)間、日歷和定時(shí)鬧鐘通過寫相應(yīng)的內(nèi)存字節(jié)設(shè)置或初始化，其字節(jié)內(nèi)容可以是十進(jìn)制或BCD形式。作為最成熟的慣性傳感器應(yīng)用，現(xiàn)在的MEMS 加速度計(jì)有非常高的集成度，即傳感系統(tǒng)與接口線路集成在一個(gè)芯片上。反之，若傾斜方向相反，則 RIRIII。熱線的溫度高于它周圍氣體的溫度，動(dòng)能增加，所以氣體向上流動(dòng)。使 用完畢后可以重新回歸零位。 本設(shè)計(jì)貴重物品 GTM900C 報(bào)警系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)情況：首先，利用加速度傳感器檢測(cè)物品的是否存在異常移動(dòng)、異常振動(dòng)、異常振動(dòng)、異常提升 和物品異常切斜等等情況。獨(dú)立的內(nèi)部診斷功能可避免代價(jià)高昂的宕機(jī)，從而迅速收回投資 世界 防傾覆系統(tǒng) 市場(chǎng)正在穩(wěn)步發(fā)展中，新的應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷的增長(zhǎng)。一般智能機(jī)器人的感覺系統(tǒng)由多個(gè)傳感器集合而成，采集的信息需要計(jì)算機(jī)進(jìn)行處理，而使用智能傳感器就可將信息分散處理，從 而降低成本。 （ 2） GTM900C、 Modem（手機(jī)），主要負(fù)責(zé)向主控機(jī)傳送控制信息、向主控機(jī)指定的電話號(hào)碼發(fā)送報(bào)警信息。 液體擺傾角傳感器介于兩者之間，但系統(tǒng)穩(wěn)定，在高精度系統(tǒng)中，應(yīng)用較為廣泛，且國內(nèi)外產(chǎn)品多為此類。 當(dāng)氣流以速度 U 垂直穿過熱線時(shí)，（ 4） 將（ 4）式 代入（ 3）式得：（ 5） 根據(jù)熱平衡方程可得： 沈陽建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 49 所以：（ 6） 假設(shè)和 s 為常數(shù)，則有：（ 7） 從式（ 7）可以看出，當(dāng)流體的動(dòng)力學(xué)粘度、密度和熱傳導(dǎo)特性一定時(shí)，若熱線周圍流體的速度不同，則流過熱線的電流也不同，從而引起熱線兩端的電壓也產(chǎn)生相應(yīng)的變化。如果在兩根電極之間加上幅值相等的交流電壓時(shí)，電極之間會(huì)形成離子電流，兩根電極之間的液體相當(dāng)于兩個(gè)電阻 RI和 RIII。所以它其實(shí)是運(yùn)用慣性原理的一種加速度傳感器。 5． MOTOROLA5 和 INATAEL 總線時(shí)序選擇。所以， U2的地址為 0~7FFFH， U3 的地址為 8000H~FFFFH。如果不需要下次開機(jī)時(shí)保存上次內(nèi)容，使用易失性的 DRAM 存儲(chǔ)器就可以。增加預(yù)充電時(shí)間后 FRAM一個(gè)完整的讀操作周期為 130ns，這是與 SRAM和 E2PROM不同的地方。 FRAM 的特點(diǎn)是速度快，能夠像 RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如 E2PROM的最大寫入次數(shù)的問題。 鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的 CMOS 制造工藝相兼容。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類 易失性和非易失性。) SIM 卡電源 29 SIM_GND SIM 卡地 與通常的工作地： GND信號(hào)連接同時(shí)要求與 SIM卡的GND信號(hào)連接 30 Vbackup I/O 備用電池電源信號(hào) 參考后面章節(jié)的推薦設(shè)計(jì) 31 RST I (177。該連接器是由 HRS 公司提供的，器件編碼是 (10)，具體的圖形和尺寸如圖 24 所示。 測(cè)試命令 該命令用于查詢?cè)O(shè)置命令或內(nèi)部程序設(shè)置的參數(shù)及其取值范圍。在遠(yuǎn)程監(jiān)控和無線公話以及無線 POS終端等領(lǐng)域您都能看到 GTM900C 無線模塊在發(fā)揮作用， GTM900C 軟件、硬件兼容 GTM900B、 TC35i、 MC39i，使用 TC35i 或 MC39i 的用戶不用作任何更改就可以使用，以降低產(chǎn)品成本。傾角傳感器經(jīng)常用于系統(tǒng)的水平測(cè)量，從工作原理上可分為“固體擺”式、“液體擺”式、“氣體擺”三種傾角傳感器就基于固體擺、液體擺及氣體擺原理研制的傾角傳感器而言，它們各有所長(zhǎng)。結(jié)合AT89S52 單片機(jī)，外加串口電路，報(bào)警電路以及顯示模塊，設(shè)計(jì)了防傾覆檢測(cè)并報(bào)警的硬件系統(tǒng) 變有形的傳統(tǒng) 防傾覆網(wǎng) 為無形，給 貴重物品傾覆 時(shí)的 及時(shí)發(fā)現(xiàn)提供方便 。 傾角傳感器經(jīng)常用于系統(tǒng)的水平測(cè)量，從工作原理上可分為“固體擺”式、“液體擺”式、“氣體擺”三種傾角傳感器就基于固體擺、液體擺及氣體擺原理研制的傾角傳感器而言，它們各有所長(zhǎng)。 片上Flash允許程序存儲(chǔ)器在系統(tǒng)可編程，亦適于常規(guī)編程 器。 C 擴(kuò)展工作溫度 :40176。在接收到非請(qǐng)求發(fā)送狀態(tài)報(bào)告結(jié)果碼時(shí)，使用該取值可進(jìn)行消息識(shí)別。) 振鈴指示 18 UART_RXD0 O (177。 UART 接口有 512 byte 的發(fā)送 FIFO（ First In First Out）和接收 FIFO，支持可編程的數(shù)據(jù)寬度、可編程的數(shù)據(jù)停止位、可編程的奇 /偶校驗(yàn)或者沒有校驗(yàn)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于只讀存儲(chǔ)器（ ROM） 技術(shù) 。 Ramtron 新的單晶體管 /單電容器結(jié)構(gòu)可以像 DRAM 一樣，使用單電容器為存儲(chǔ)器陣列的每一列提供參考。 1T1C 的 FRAM所有數(shù)據(jù)位使用同一個(gè)參考位，而不是對(duì)于每一數(shù)據(jù)位使用各自獨(dú)立的參考位。 FRAM 產(chǎn)品具有 RAM 和 ROM 優(yōu)點(diǎn)，讀寫速度快并可以像非易失性存儲(chǔ)器一樣使用。 預(yù)充電信號(hào)的產(chǎn)生 在大多數(shù)的 80