【正文】 *3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE% amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkumamp。以進(jìn)一步提高產(chǎn)品的性價比從而增強(qiáng)其競爭力。 該項目技術(shù)路線設(shè)計合理，關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)突破，其余技術(shù)完全能夠?qū)崿F(xiàn)，項目產(chǎn)品目前已通過權(quán)威部門檢測和鑒定，鑒定結(jié)果為國際先進(jìn)。 這為本項目的順利實(shí)施提供了制度上的保障。 Si 污染是由于舟、石 英管都是石英即 SiO2材料、易于使 Si 并入熔體和單晶中。 在單晶生長理論中，理想的固液界面形狀應(yīng)為平坦的或略為凸向熔體，做到這一點(diǎn)，加熱體的設(shè)計和制造非常關(guān)鍵。國內(nèi)外在水平GaAs 單晶研究開發(fā)中，多年來都是使用管狀加熱爐。 本項目中，單晶生長采用兩步法，即：先合成多晶然后再一次備料生長單晶，備好的多晶放入兩溫區(qū)多段加熱爐中生長單晶（謂之無砷端生長技術(shù)）。公司的質(zhì)量控制管理體系嚴(yán)格按照 ISO9001 施行，公司已于 2021 年通過該認(rèn)證。 隨著 LED 在各個應(yīng)用領(lǐng)域用量的大幅度增長 ， 本項目產(chǎn)品的市場越來越廣闊。 本項目產(chǎn)品目前關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)突破，并開始批量生產(chǎn)，產(chǎn)品已成功進(jìn)入國 內(nèi) 外市場。qYpEh5pDx2zVkum amp。qYpEh5pDx2zVkumamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK!zn%Mz849Gx^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。qYpEh5pDx2zVkumamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 qYpEh5pDx2zVkum amp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 ksv*3t nGK8! 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djsXuyUP2kNXpRWXm Aamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9amp。 MuWFA5ux^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gj qvadNuKNamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE% amp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 MuWFA5ux^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。 ksv*3tnGK8! z89Am YWv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3tnGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 qYpEh5pDx2zVkum amp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK!zn%Mz849Gx^Gj qv^$U*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3tnGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3tnGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。qYpEh5pDx2zVkumamp。MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK!zn%Mz849Gx^Gj qv^$U*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8! z89AmYWv*3tnGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。但是由于國內(nèi)目前還 沒有生產(chǎn)該產(chǎn)品的企業(yè)，使國內(nèi)企業(yè)對該產(chǎn)品的需求 主要依賴進(jìn)口 ，造成大量資金流向國外。 投資的必要性 本項目產(chǎn)品近年來大量用于紅外 LED 和高亮度 LED，市場前景非常廣。管理團(tuán)隊知識層次高，具有高度的凝聚力、勇于開拓的創(chuàng)新性和豐富的管理經(jīng)驗。本項目承擔(dān)單位國瑞公司經(jīng)多年研究、實(shí)踐找到了解決“粘接 ” 問題的良好方法，成為本公司一項獨(dú)特的專有技術(shù) —— 石英舟預(yù)處理技術(shù) ,該項技術(shù)主要是在適當(dāng)?shù)娜軇┲羞M(jìn)行熱處理，它可保證在長達(dá) 7 天的單晶連續(xù)生長中，熔體與舟不粘接，單晶生長完成后，單晶順利脫舟。在水平單晶生長過程中，無法完全按器件制造所要求的晶向生長，即晶體生長方向與晶片的晶向有一定的夾角，這導(dǎo)致了水平 GaAs 單晶的切片，一般都要“斜 ” 切（因而切片技術(shù)難度較大），為使所切晶片上電學(xué)參數(shù)（尤其是載流子濃度）均勻分布，固液界面也必須與生長方向成一定角度。本公司在爐體結(jié)構(gòu)的設(shè)計；保溫層的設(shè)置和配置；加熱區(qū)段設(shè)置；加熱區(qū)域設(shè)置等方面均取得了很大進(jìn)步。 高溫區(qū)的氣相 Ga2O擴(kuò)散到中溫區(qū)發(fā)生如下反應(yīng)： 3 Ga2O(g)+As4(g)=Ga2O3(S)+4GaAs(S) (4) SiO(g)=SiO(S) (5) 反應(yīng)（ 4）消耗了 Ga2O，使反應(yīng)（ 1）向右繼續(xù)進(jìn)行，加劇了 Si 向 GaAs中的并入。采用優(yōu)質(zhì) SiC 管支撐石英反應(yīng)管使石英反應(yīng)管長期處于高溫（ ~1300℃）下時膨脹度不至影響單晶生長（反應(yīng)管外徑擴(kuò)大不超過 10 ㎜）。 公司 在 水平 GaAs 生產(chǎn)技術(shù)方面處于國際先進(jìn)水平，公司是國內(nèi)唯一的批量生產(chǎn)水平 GaAs 晶片、 GaP 晶片的企業(yè) 。 主要技術(shù)與性能指標(biāo) 如下： N型（摻 Si） n(cm3)：（ 2～ 40） 1017；μ n(cm2/)：≥ 1400；晶片直徑（ mm）： 177。 MuWFA5uxY7JvnD6YWRr Wwc^vR9CpbK!zn%MzXNQExJB8VK% W7m$ZA5JdkVWce9APz^FvJzwYWCcyAh*bnxBvaFQH8YHV$amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK! 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