【正文】 硼再擴(kuò)散時(shí)間計(jì)算 10 發(fā)射區(qū)硼再擴(kuò)散溫度為 1200C? ，即 1473K 在 1473K 時(shí)，硼在硅中的擴(kuò)散系數(shù)為： scmD 2125 ?? ???????? ????? 由于預(yù)擴(kuò)散的結(jié)深很淺，可將它忽略，故再擴(kuò)散結(jié)深： mCCDtxBSj μ4ln2 ?? DtQCS ?? 315105 ???? cmNC CB ? ? 102ln2ln1524121615 ??? ?????????? ???? ?? ???ttt 化簡(jiǎn)上式可得 ： ??? ttt 解得發(fā)射區(qū)硼再擴(kuò)散時(shí)間： t=6571s= 基區(qū)磷擴(kuò)散需要的氧化層厚度 雜質(zhì)元素 )/(20 scmD )(eVEa 磷（ P） ?? 硼（ B） ?? 表 2：二氧化硅中磷和硼的 0D 與 aE 氧化層厚度的最小值由發(fā)射區(qū)主擴(kuò)溫度為 1000C? ，預(yù)擴(kuò)時(shí)間為 209S,磷元素在硅中的 DO與激活能 E scmKTEDD aoSi O / xp10e xp 213562 ??? ???????? ??????????? ?? 013m i n 2 AtDx S i O ?????? ? 為了便于后續(xù)的氧化時(shí)間的計(jì)算及濕法干法的分配，最終取基區(qū)磷擴(kuò)散需要的氧化層厚度為 06000A 。 但另一方面，結(jié)深卻又受條寬限制，當(dāng)發(fā)射極條寬 CjSX?? 條件時(shí)，擴(kuò)散結(jié)面仍可近似當(dāng)做平 7 面結(jié)。 （ 2）發(fā)射雜質(zhì)濃度取 NE＝ 5 1018cm－ 3 。 1 目 錄 ………………………………………………………… .....……… 1 …………………………………………………… .………… 1 pnp雙極型晶體管的設(shè)計(jì) ……………………………………… .…… .… .… 1 設(shè)計(jì)的 主要內(nèi)容 ……………………………………………………… .…… 1 ………………………………………… ..………… ...……… 2 晶體管的縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì) …………… ..………………… .…………… ..2 集電區(qū)雜 質(zhì)濃度的確定 …………………………………………… ..2 基區(qū)及發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度 …………………………………………… ..3 各區(qū)少子遷移率及擴(kuò)散系數(shù)的確定 ……………………… .……… .3 各區(qū)少子擴(kuò)散長度的計(jì)算 ……………………… .……… .....……… 4 集電區(qū)厚度的選擇 …………………… .………………… ....… .…… 4 基區(qū)寬度的計(jì)算 ……………………………………………… .… .… 4 擴(kuò)散結(jié)深 ………………………………………………… ...… ..… .… 6 表面雜質(zhì)濃度 ………………………………………… ..… .… .…… .7 晶體管的橫向設(shè)計(jì) …………………………………………… .…… .....…… 8 工藝參數(shù)的計(jì)算 …………………………………………………… .… .…… 8 基區(qū)磷預(yù)擴(kuò)時(shí)間 ……………………………………… .… .… ..…… 8 基區(qū)磷再擴(kuò)散時(shí)間計(jì)算 ………………………………… ..… .……… 8 發(fā)射區(qū)硼預(yù)擴(kuò)時(shí)間計(jì)算 ………………………… ....……………… ..9 發(fā)射區(qū)硼再擴(kuò)散時(shí)間計(jì)算 ………… ……………… .………… ...… ..9 基區(qū)磷擴(kuò)散需要的氧化層厚度 ……………………………… ........10 發(fā)射區(qū)硼擴(kuò)散需要的氧化層厚度 …………………………………1 1 氧化時(shí)間的計(jì)算 …………………………………………………… 11 ………………………………………………… ..…… 12 4 晶體管制造工藝流程 …………………………………………………… ...……… 13 硅片及清洗 ………………………………………………………… ..… ..… 15 氧化工藝 …………………………………………………………… .… ..… 16 2 光刻工藝 ……………………………………………………………… ...… 17 光刻原理 ……………………………………………………… ..… 17 具體工藝流程 ………………………………………………… ..… 18 硼的擴(kuò)散 ……………………………………………………… ..… 19 磷的擴(kuò)散 ……………………………………………………… ..… 20 5 版圖 ………………………………………………………………………… .…… 20 6 總結(jié) …… ………………………………………………………………… .………2 3 7 參考文獻(xiàn) ……………………………………………………………… .…………2 3 1 微電子器件與工藝課程設(shè)計(jì)報(bào)告 —— pnp 雙極型晶體管的設(shè)計(jì) 課程設(shè)計(jì)目的與任務(wù) 《微電子器件與工藝課程設(shè)計(jì)》是繼《微電子器件物理》、《微電子器件工藝》和《半導(dǎo)體物理》理論課之后開出的有關(guān)微電子器件和工藝知識(shí)的綜合應(yīng)用的課程，使我們系統(tǒng)的掌握半導(dǎo)體器件，集成電路，半導(dǎo)體材料及工藝的有關(guān)知識(shí)的必不可少的重要環(huán)節(jié)。 基區(qū)及發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度 一般的晶體管各區(qū)的濃度要滿足 NENBNC，故 （ 1）基區(qū) 雜質(zhì)濃度取 NB＝ 5 1016cm－ 3 。 W= （ 4）基區(qū)耗盡層寬度的計(jì)算 ① eb 結(jié)基區(qū)邊的耗盡層寬度的計(jì)算 先求出 eb 結(jié)的內(nèi)建電勢(shì) Vn NNqkTViBEbi E B )10( 210 18162 ?????? 再求出 eb 結(jié)基區(qū)邊的耗盡層寬度 1051122116191421i0????????????????????????EBBBSn E B VNqKX? ② cb 結(jié)基區(qū)邊的耗盡層寬度的計(jì)算 先求出 cb 結(jié)的內(nèi)建電勢(shì) Vn NNqkTViBCbi C B )10( 210 16152 ?????? 再 求出 cb 結(jié)基區(qū)邊的耗盡層寬度 ? ?122117521i0??????? ????????????????CBBCBBCSn C B VNNNNqKX? (5)總的基區(qū)寬度 WB=W+XnEB+XpCB＝ ++= 符合之前計(jì)算出來的基區(qū)寬度的范圍，但是這樣的寬度相對(duì)應(yīng)的結(jié)深過大，故根據(jù)經(jīng)驗(yàn)值 W=4um 擴(kuò)散結(jié)深 在晶體管的電 學(xué)參數(shù)中，擊穿電壓與結(jié)深關(guān)系最為密切，它隨