【正文】 0x80)?1:0。break。P1=0xF6。 case 4:CE=0。i++)。從論文的擬題、方案、設(shè)計等方面張老師始終為我們指引設(shè)計方向，使我們能在預期的時間內(nèi)完成。 C 語言是 Microsoft 公司推出的一款集成開發(fā)工具，它具有友好的可視化開發(fā)環(huán)境和豐富的應(yīng)用程序向?qū)Чδ?，大大降低?Windows 應(yīng)用程序開發(fā)的復雜性和難度。 10V 電壓。 MAX232 通信串口 MAX232 產(chǎn)品是由德州儀器公司（ TI）推出的一款兼容 RS232 標準的芯片。 DIG0~DIG7腳， 8位共陰極數(shù)碼管的控制輸入端，顯示關(guān)閉時輸出高電平。所以， A/D 芯片的選擇是設(shè)計過程中一個很洛陽理工學院畢業(yè)設(shè)計（論文） 8 重要的環(huán)節(jié)。 系統(tǒng)設(shè)計方案 本設(shè)計研究的是如何實現(xiàn)對超級電容器充放電電壓的測試。 課題的研究的目的與意義 超級電容作為一種新型電荷儲能元件，具有大容量、大電流快速充放電、壽命長和無污染的優(yōu)異特性。與電池相比，超級電容具有許多電池無法比擬的優(yōu)點： (1) 非常高的功率密度。除此外它還具有內(nèi)阻小、充電速度快、充放電效率高、循環(huán)壽命長、無污染等獨特的優(yōu)點。 作者簽名： 日期： 年 月 日 學位論文版權(quán)使用授權(quán)書 本學位論文作者完全了解學校有關(guān)保留、使用學位論文的規(guī)定，同意學校保留并向國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交論文的復印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。因此，新能源和節(jié)能技術(shù)的開發(fā)已經(jīng)成為世界各國科技工作者的當務(wù)之急。除了文中特別加以標注引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫的成果作品。 在上述特殊要求的推動下，超級電容器 (電化學電容器 )逐漸成為了人們的研究熱點 ，它在新型清潔能源，頻繁起動和制動的城市公交車和軌道交通等領(lǐng)域有著獨特的優(yōu)越性。超級電容存儲的能量可達到靜電電容器的 100 倍以上，同時功率密度比電池高出 10～ 100 倍。 1991 年，俄羅斯 Fecund 公司和 ELIT 公司開發(fā)出可用于車輛起動的超級電容，其容量達到 300F。根據(jù)實際情況，本系統(tǒng)的設(shè)計要求如下： (1) 電壓采集 16 路參數(shù)采集通 道，能采集超級電容系統(tǒng)的單個電容的電壓值及總電壓，電壓信號采集范圍 0～ 5V。 本設(shè)計中選用 51 系列的 AT89C52，它是低電壓、低功耗、高性能的CMOS8 位單片機 ，片內(nèi)含 8KB 的可反復擦寫的只讀程序存儲器和 256B的隨機存取數(shù)據(jù)存儲器， 32 個 I/O 口線， 3 個 16 位定時 /計數(shù)器，片內(nèi)振蕩器及時鐘電路，并與 MCS51 系列單片機兼容。 采用 MSOP 封裝 的 16 位、 250ksps ADC， 單 5V 電源 ， 低電源電流： 850Μa (典型值 ) ， 自動停機功能可把電源電流減小至 2μA (在 1ksps)， 真正的差分輸入 [5]。 CC4067提供了 24 引線多層陶瓷雙列直插 (D)、熔封陶瓷雙列直插 (J)、塑料雙列直插 (P)和陶瓷片狀載體 (C)等 4 種封裝形式 [6]。 現(xiàn)在采用 MAX232 單芯片實現(xiàn) AT89C51 單片機與上位機的 RS232C標準接口通信電路。本系統(tǒng)中 A/D 轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的數(shù)據(jù)為 16 位兩字節(jié)數(shù)據(jù)，故發(fā)送時要分兩次發(fā)送，先發(fā)送低位字節(jié)數(shù)據(jù)，再發(fā)送高位字節(jié)數(shù)據(jù) [14]。 總的來說，本系統(tǒng)基本達到了預期的目的，能夠?qū)崿F(xiàn)檢測超級電容的目的，但仍有一些不足之處，如電容測試的通道數(shù)量較少，只有 16 組，而實際應(yīng)用中的超級電容組中單體電容數(shù)量均以數(shù)千計。 void delay_ms(uint n) //延時程序 { uchar i。 case 3:CE=0。P1=0xF7。break。 for(i=0。 CLK = 1。break。P1=0xF5。 case 5:CE=0。 }while(!key1)。 另外，我還要感謝和我一同完成畢業(yè)設(shè)計的李紅松，朱衛(wèi)云，黃鵬同學，在課題的設(shè)計寫作過程中，我們共同解決了許多難題，從中我受益良多。其界面如圖 51 所示 [15]。 具體電路實現(xiàn)如下： 圖 34 電源電路 洛陽理工學院畢業(yè)設(shè)計（論文） 18 系統(tǒng)總原理圖 系統(tǒng)總原理圖由以上各部分組成，詳見附錄 1。每一個發(fā)送器將 TTL/CMOS 電平轉(zhuǎn)換成TIA/EIA232F 電平 [7]。 CLK 腳，串行時鐘輸入端，最高頻率 10MHz，在時鐘上升沿數(shù)據(jù)移位存入內(nèi)部移位寄存器，當時鐘下降沿時，數(shù)據(jù)由 DOUT 輸出， CLK 輸入僅當 CS=0時有效。 多路開關(guān)可選通 8個模擬通道，允許 8 路模擬量分時輸入，共用 A/D 轉(zhuǎn)換器進行轉(zhuǎn)換。由于單片機的發(fā)展已經(jīng)成熟，利用單片機系統(tǒng)的軟硬件結(jié)合，可以組裝出許洛陽理工學院畢業(yè)設(shè)計（論文） 6 多的應(yīng)用電路來。這樣在大電流充放電的時候，當分壓高的電容已 經(jīng)充滿時，分壓低的單體還處于未充滿狀態(tài)。超級電容器的一個充放電循環(huán)時間很短，遠遠低于蓄電池的充放電循環(huán)所需要的時間。 超級電容器自面市以來，全球需求量快速擴大，已成為化學電源領(lǐng)域內(nèi)新的產(chǎn)業(yè)亮點。 作者簽名： 日期： 年 月 日 導師簽名： 日期： 年 月 日 指導教師評閱書 指導教師評價： 一、撰寫（設(shè)計）過程 學生在論文（設(shè)計）過程中的治學態(tài)度、工作精神 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 學生掌握專業(yè)知識、技能的扎實程度 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 學生綜合運用所學知識和專業(yè)技能分析和解決問題的能力 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 研究方法的科學性；技術(shù)線路的可行性；設(shè)計方案的合理性 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 完成畢業(yè)論文（設(shè)計）期間的出勤情況 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 二、論文（設(shè)計）質(zhì)量 論文（設(shè)計）的整體結(jié)構(gòu)是否符合撰寫規(guī)范？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 是否完成指定的論文（設(shè)計）任務(wù)（包括裝訂及附件）？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 三、論文（設(shè)計）水平 論文（設(shè)計）的理論意義或?qū)鉀Q實際問題的指導意義 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 論文的觀念是否有新意？設(shè)計是否有創(chuàng)意？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 論文（設(shè)計說明書）所 體現(xiàn)的整體水平 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 建議成績： □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 （在所選等級前的□內(nèi)畫“√”） 指導教師： （簽名） 單位： （蓋章） 年 月 日 評閱教師評閱書 評閱教師評價： 一、論文（設(shè)計）質(zhì)量 論文（設(shè)計）的整體結(jié)構(gòu)是否符合撰寫規(guī)范？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及 格 是否完成指定的論文（設(shè)計）任務(wù)（包括裝訂及附件）？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 二、論文（設(shè)計）水平 論文（設(shè)計）的理論意義或?qū)鉀Q實際問題的指導意義 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 論文的觀念是否有新意？設(shè)計是否有創(chuàng)意？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 論文（設(shè)計說明書）所體現(xiàn)的整體水平 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 建議成績： □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 （在所選等級前的□內(nèi)畫“√”） 評閱教師： （簽名） 單位： （蓋章） 年 月 日 教研室（或答辯小組）及教學系意見 教研室（或答辯小組）評價： 一、答辯過程 畢業(yè)論文（設(shè)計）的基本要點和見解的敘述情況 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 對答辯問題的反應(yīng)、理解、表達情況 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 學生答辯過程中的精神狀態(tài) □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 二、論文（設(shè)計）質(zhì)量 論文（設(shè)計）的整體結(jié)構(gòu)是否符合撰寫規(guī)范？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 是否完成指定的論文（設(shè)計）任務(wù)（包括裝訂及附件）？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 三、論文（設(shè)計）水平 論文（設(shè)計）的理論意義或?qū)鉀Q實 際問題的指導意義 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 論文的觀念是否有新意？設(shè)計是否有創(chuàng)意？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 論文（設(shè)計說明書）所體現(xiàn)的整體水平 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 評定成績： □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 （在所選等級前的□內(nèi)畫“√”） 教研室主任（或答辯小組組長）： （簽名） 年 月 日 教學系意見： 系主任： （簽名） 年 月 日 目 錄 前 言 ...................................................................................................1 第 1 章 超級電容概述 .........................................................................2 超級電容簡介 ..........................................................................2 超級電容定義 ...............................................................2 超級電容分類 ...............................................................2 超級電容的特點 ............................................................3 超級電容的發(fā)展及國內(nèi)外研究現(xiàn)狀 ............................3 課題的研究的目的與意義 ............................................4 第 2 章 超級電容電壓檢測系統(tǒng)總體設(shè)計 ..........................................5 超級電容電壓檢測系統(tǒng)概述 ..................................................5 系統(tǒng)設(shè)計方案 ..........................................................................5 各個模塊中心器件的選擇 ......................................................6 單片機的選擇 ...............................................................6 模數(shù)（ A/D）轉(zhuǎn)換芯片的選擇 .....................................7 顯示器件的選擇 ............