模擬集成電路設(shè)計(jì)流程課件(專業(yè)版)
【正文】 比如說：帶寬、增益等需要計(jì)算的值，這時(shí)我們可以在 Outputs/setup中設(shè)定其名稱和表達(dá)式。 主菜單包括： File菜單 Tools菜單 Options菜單 2023/3/24 5 共 88頁 設(shè)計(jì)環(huán)境設(shè)置 ? 工藝庫工作站目錄 ? /eva02/ic/BA083006/smic18/ ? 關(guān)聯(lián)工藝庫的方法 ? 在 （用 Vi或 Gvim編輯器） ? INCLUDE /eva02/ic/BA083006/smic18/ ? 工藝模型文件目錄 ? /eva02/ic/BA083006/smic18/models/spectre ? 這個(gè)目錄下有如下文件 ? 其中 ms018_v1p7**是普通器件模型文件， ms018_rf_v1p6**是RF器件模型文件，我們實(shí)驗(yàn)只用到普通器件，因此只需要前者，電路仿真時(shí) Spectre會自動(dòng)加載這幾個(gè)文件 2023/3/24 6 共 88頁 相關(guān)工藝參數(shù)可以在 ： N18： Tox= (可由此算出 Cox) vth0=(無襯偏效應(yīng) ) u0=34m P18： Tox= Vth0= u0= lambda的選取可以參照 razavi書上的 lambda與 L成反比， 其中 L＝ lambdaN＝ ,lmabdaP= 模型中各工藝參數(shù)定義可參考 。 ? OK 2023/3/24 14 共 88頁 三 編輯測試環(huán)境 新建 1個(gè) cell名稱為： Opam_test 在新的原理圖窗口中調(diào)用 opam的 symbol 添加激勵(lì)元件 所有激勵(lì)元件都在 Analoglib庫中，在這里用到了電源源 vdc 電流源 idc 正弦源 vsin 以及全局符號 vdd，gnd 如右圖所示 2023/3/24 15 共 88頁 四、模擬仿真的設(shè)置 (重點(diǎn) ) Composerschamatic界面中的 Tools → Analog Environment項(xiàng)可以打開 Analog Design Environment 窗口，如右圖所示 。在滿足設(shè)計(jì)規(guī)則的前提下，要保證每條金屬走線能夠承受相應(yīng)的電流密度（防止由于老化而產(chǎn)生的電遷移現(xiàn)象），通常情況下為 1um 可以承受1mA的電流 ? 對于差分電路，要充分考慮版圖的對稱性與匹配 2023/3/24 33 共 88頁 版圖設(shè)計(jì)要點(diǎn) ? 對于低頻模擬電路而言，寄生電阻是影響其性能的主要因素，連接的走線可以盡可能寬 ? 對于射頻電路而言，寄生電容可能會占據(jù)更主要的部分，對線寬的處理上，要在寄生電阻與寄生電容直接折中 ? 對于多數(shù)電路來說，為了降低襯底寄生電阻，應(yīng)在 nmos器件周圍放置更多的稱的接觸 ? Nmos器件的所有襯底都是連在一起的 2023/3/24 34 共 88頁 最終版圖 2023/3/24 35 共 88頁 Calibre的后端驗(yàn)證 ? 設(shè)置 calibre啟動(dòng)版本 ? 在打開 icfb之前，輸入 setdt 20
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