【正文】 二月 2104:46:5904:46Feb2101Feb21n 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯兒。 。 等平面陽極氧化工藝流程圖： （ a） 蒸鋁、（ b） 光刻 (互連圖 )、（ c） 等平面陽極氧化、（ d） 光刻（保護(hù)壓焊點）、（ e） 陽極氧化互連線 六、聚酰亞胺（ PI） 鈍化膜 特點 （ 1）膜可帶負(fù)電荷 聚酰亞胺的長鏈大分子中，經(jīng)常在 COC鍵處發(fā)生斷裂，聚合物中出現(xiàn)過剩氧所致。 （ c） 針孔密度非常低，且極硬而耐磨； （ d） 有極高的化學(xué)穩(wěn)定性。當(dāng)器件加偏壓時這些電偶極子沿外場形成整齊的排列，產(chǎn)生極化效應(yīng)，影響器件的穩(wěn)定性。 通常采用含氯氧化，或 HCl 處理氧化石英管。這些電荷嚴(yán)重影響器件的性能，包括 MOS器件的閾值電壓、跨導(dǎo)、溝道電導(dǎo)；雙極器件中的反向漏電流、擊穿電壓、電流放大系數(shù) ?、 1/f 噪聲等特性。 （ 1）來源：由氧化過程中過剩硅（或氧空位）引起，其密度與氧化溫度、氧化氣氛、冷卻條件和退火處理有關(guān)。 （ 1）來源：任何工藝中（氧化的石英爐管、蒸發(fā)電極等）或材料、試劑和氣氛均可引入可動離子的沾污。 （ 2）高度的結(jié)構(gòu)完整性。第九章續(xù) 表面鈍化西南科技大學(xué)理學(xué)院. 15167。針孔缺陷或小丘生長會有造成漏電、短路、斷路、給光刻造成困難等技術(shù)問題。 （ 2）影響：可動正離子使硅表面趨于 N型，導(dǎo)致 MOS器件的閾值電壓不穩(wěn)定；導(dǎo)致 NPN晶體管漏電流增大，電流放大系數(shù)減小。 （ 2）影響：因 Qf 是正電荷，將使 P溝 MOS器件的閾值增加，N道 MOS器件的閾值降低；減小溝道載流子遷移率，影響 MOS器件的跨導(dǎo)；增大雙極晶體管的噪聲和漏電，影響擊穿特性。 要消除 SiSiO2系統(tǒng)中的電荷及器件表面沾污對器件的影響，一是采用表面多次鈍化工藝，二是采用保護(hù)環(huán)和等位環(huán)等措施來減小其影響。 襯底和金屬化層之間或多層金屬化層之間絕緣隔離氧化層的鈍化工藝。 PSG中磷濃度愈高，極化效應(yīng)愈嚴(yán)重。除能被 HF酸和熱磷酸緩慢腐蝕外，其他的酸幾乎不能與它發(fā)生作用； （ e） 導(dǎo)熱性好 ， 適宜作多層布線的絕緣層，便于管芯散熱； （ f） 絕緣性與抗擊穿性好， 1000197。因此，與熱生長 SiO2一起使用可以補(bǔ)償 SiO2中的固定正電荷。 二月 214:46 上午 二月 2104:46February 01, 2023n 1行動出成果，工作出財富。 04:46:5904:46:5904:46Monday, February 01, 2023n 1知人者智，自知者明。 04:46:5904:46:5904:462/1/2023 4:46:59 AMn 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 01 二月 20234:46:59 上午 04:46:59二月 21n 1比不了得就不比，得不到的就不要。 無孔型陽極氧化的電解液（硼酸、檸檬酸）對金屬和金屬氧化物沒有腐蝕或溶解作用，在陽極氧化時金屬表面生成一層氧化層后就不再被進(jìn)一步氧化，故能形成一定厚度的氧化層。能掩蔽許多雜質(zhì)。 PSG膜存在的缺點 （ 1） PSG層的極化效應(yīng) PSG中的電偶極子在無外電場時是雜亂無章的。 主要的鈍化方法一、集成電路鈍化的一般步驟 典型集成電路制造過程中至少包含三個鈍化工序步驟： 襯底氧化層（特別是 MOS集成電路中的柵氧化層）生長過程中的鈍化。 SiSiO2系統(tǒng)中的正電荷將引起半導(dǎo)體表面的能帶彎曲，在 P型半導(dǎo)體表面形成耗盡層或反型層 ,在 N型半導(dǎo)體表面形成積累層，而且界面態(tài)還是載流子的產(chǎn)生 復(fù)合中心。范圍內(nèi)。在氧化膜生長過程中， Na+傾向于在 SiO2表面附近積累，在一定溫度和偏壓下，可在 SiO2層中移動，對器件的穩(wěn)定性影響較大。高的張應(yīng)力會使薄膜產(chǎn)生裂紋，高的壓應(yīng)力使硅襯底翹曲變形。 概述一、鈍化膜及介質(zhì)膜的重要性和作用 改善半導(dǎo)體器件和集成電路參數(shù) 增強(qiáng)器件的穩(wěn)定性和可靠性 二次鈍化可強(qiáng)化器件的密封性，屏蔽外界雜質(zhì)、離子電荷、水汽等對器件的有害影響。 （ 3）良好的粘附性。 （ 3）控制可動電荷的方法 （ a） 采用高潔凈的工藝，采用高純?nèi)ルx子水， MOS級的試劑，超純氣體，高純石英系統(tǒng)和器皿，鉭絲蒸發(fā)和自動化操作等。 （ 3）控制氧化物固定正電荷的方法 （ a） 氧化物固定正電荷與晶向有關(guān)： (111)(110)(100)，因此 MOS集成電路多采用 (100)晶向。 晶體管的保護(hù)環(huán)和等位環(huán) 式中，