【正文】 大功率 LED是在小功率的基礎(chǔ)上，根據(jù)生產(chǎn)生活的需要而發(fā)展起來(lái)的，在封裝上受其影響很大，比如大功率傳統(tǒng)的封裝。 PCB試驗(yàn)板：雙層銅板 35*35*則 散熱研究發(fā)展?fàn)顩r解決方法：(A)改進(jìn) LED芯片、封裝的結(jié)構(gòu)和材料 。在技術(shù)路線正確，技術(shù)指標(biāo)先進(jìn)，技術(shù)分析可行的前提下，確定合理的生產(chǎn)規(guī)模，其產(chǎn)業(yè)化的目標(biāo)是能夠?qū)崿F(xiàn)的。規(guī)的方形芯片，而且還可以很容易按比例放大成為功率型的大尺寸芯片，因此在降低生產(chǎn)成本和實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)方面，紋理表面高效取光結(jié)構(gòu)的ＩｎＧａＡｌＰ（ＡＳ）ＬＥＤ具有廣闊的發(fā)展前景。單芯片１Ｗ、３Ｗ和５Ｗ的大功率ＬＥＤ向功率高至１０Ｗ，具有更高發(fā)光效率、經(jīng)濟(jì)實(shí)用的固態(tài)ＬＥＤ照明光源。國(guó)際先進(jìn)行列對(duì)于ＧａＮ基藍(lán)綠光器件，美國(guó)Ｌｕｍｉｌｅｄｓ公司于2023成功研制了倒裝芯片結(jié)構(gòu)的ＡＩＧａＩｎＮ的功率型器件。半導(dǎo)體ＬＥＤ若要作為照明光源，與常規(guī)產(chǎn)品白熾燈和熒光燈等通用性光源的光通量相比，差距較大。? 我國(guó)光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)光電子器件分會(huì)行業(yè)協(xié)會(huì)根據(jù)LED產(chǎn)品發(fā)展的需要，于 2023年發(fā)布了 “發(fā)光二極管 測(cè)試方法（試行） ”,該測(cè)試方法增加了對(duì) LED色度參數(shù)的規(guī)定。尤其進(jìn)者，電流轉(zhuǎn)彎時(shí)若擴(kuò)大芯片的面積會(huì)使LED發(fā)光更不均勻。? 半導(dǎo)體 LED若要作為照明光源，常規(guī)產(chǎn)品的光通量與白熾燈和熒光燈等通用性光源相比，距離甚遠(yuǎn)。功率型 LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點(diǎn)要求：? 一是封裝結(jié)構(gòu)要有高的取光效率；? 二是熱阻要盡可能低，這樣才能保證功率 LED的光電性能和可靠性。(3) 陶瓷底板倒裝法 : 先利用 LED晶片通用設(shè)備制備出具有適合共晶焊接電極結(jié)構(gòu)的大出光面積的 LED芯片和相應(yīng)的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接導(dǎo)電層及引出導(dǎo)電層，然后利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸 LED芯片與陶瓷底板焊接在一起。由于藍(lán)寶石基材不導(dǎo)電， LED正負(fù)兩個(gè)電極乃設(shè)在同面。? 粉涂布量控制：? 芯片上設(shè)計(jì)靜電保護(hù)線路。功率型ＬＥＤ芯片的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)的四個(gè)重要環(huán)節(jié)：（ 1）通過加大工作電流提高芯片的整體功率；（ 2）采用新型的封裝結(jié)構(gòu)提高光電功率轉(zhuǎn)換效率；（ 3）設(shè)計(jì)新的芯片結(jié)構(gòu)以提高取光效率；（ 4）采用導(dǎo) 功率型ＬＥＤ所用的外延材料，雖然其內(nèi)量子效率還需進(jìn)一步提高，但獲得高發(fā)光通量的最大障礙乃是芯片的取光效率低，其原因是半導(dǎo)體與封裝環(huán)氧的折射率相差較大，致使內(nèi)部的全反射臨界角很小。國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力?次級(jí)貼裝示意圖LED特點(diǎn)? 耗電量少，白熾燈的 1/8，熒光燈的 50％；? 發(fā)光效率高，可達(dá)到 50～ 200lm/W；? 體積小，重量輕，穩(wěn)定性好，壽命達(dá) 10萬(wàn)小時(shí)；? 使用低壓電源，安全可靠；? 生產(chǎn)和使用過程中無(wú)污染，有利于環(huán)保。(1)? PCB試驗(yàn)板：雙層銅板 40*40*散熱方式對(duì)比LED散熱處理方案? 1)小功率的環(huán)氧樹脂散熱法? 2)鋁基板（缺點(diǎn)：金屬熱膨脹系數(shù)很大與低膨脹陶瓷芯片焊接易受熱沖擊，發(fā)生不調(diào)協(xié)）? 3）陶瓷基板（是新一代散熱材料，散熱佳，耐高溫，價(jià)高數(shù)倍）? 4）導(dǎo)熱硅脂（用耒向散熱片傳導(dǎo) LED散發(fā)出耒的熱量。對(duì)于 LED燈具而言，更是需要將光源、散熱、供電和燈具等集成考慮。設(shè)計(jì)理論傅立葉定律：RBA=(TC－ TC)/PD如果 LED的散熱墊與 PCB的敷銅層采用回流焊焊在一起，則 RCB=0，則上式可寫成：功率型ＬＥＤ項(xiàng)目是高技術(shù)、高投入、高產(chǎn)出項(xiàng)目，在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)上都具有相當(dāng)?shù)母?jìng)爭(zhēng)能力。采用新型封裝結(jié)構(gòu)的主要目標(biāo)是提高光電功率轉(zhuǎn)換效率。我國(guó)大陸較晚開展超高亮度紅、黃與藍(lán)綠光器件的研制工作，目前上海大晨光電的功率型器件開發(fā)工作也達(dá)到了一定的水平。目前國(guó)內(nèi)從事功率型ＬＥＤ研發(fā)生產(chǎn)的廠家多關(guān)注于個(gè)別技術(shù)點(diǎn)，尤其是封裝技術(shù)。藍(lán)寶石襯底的藍(lán)色芯片其正負(fù)電極均位于芯片上面，間距很??；對(duì)于InGaN/AlGaN/GaN雙異質(zhì)結(jié)， InGaN活化薄層僅幾十納米，對(duì)靜電的承受能力很小，極易被靜電擊穿，使器件失效。這是產(chǎn)業(yè)化必須要解決的關(guān)鍵技術(shù)之一。對(duì)于大工作電流的功率型 LED芯片，低熱阻、散熱良好及低應(yīng)力的新的封裝結(jié)構(gòu)是功率型 LED器件的技術(shù)關(guān)鍵。4. 由于硅基體易碎，因此強(qiáng)烈建議封裝打線時(shí)，盡量遠(yuǎn)離基體邊緣，以免損壞基體。這樣的結(jié)構(gòu)較為合理，既考慮了出光問題又考慮到了散熱問題，這是目前主流的大功率 LED的生產(chǎn)方式。普通 LED功率一般為 、工作電流為 20mA，而大功率 LED可以達(dá)到