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中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè)(專業(yè)版)

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【正文】 不考慮載流子的空間分布 (? =0). ( ) ( )d p t p tdt ?????3/5/2023 65 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) ② 穩(wěn)態(tài)擴散 : (穩(wěn)態(tài)下 , 擴散 +復(fù)合 ) 表面 (或樣品的某一位置 )維持恒定光照 。 3 復(fù)合理論概要 167。 s)] D擴散系數(shù) [cm2/s] ()d p xSDdx?????3/5/2023 48 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 圖 513 3/5/2023 49 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) ⑵ 穩(wěn)定條件下 ,空穴濃度形成穩(wěn)定的分布 ? 穩(wěn)態(tài)擴散方程 : ? 左邊 : 由于擴散 ,單位時間在單位體積內(nèi)積累的空穴數(shù) (積累率 ) ? 右邊 : 由于復(fù)合 ,單位時間在單位體積內(nèi)消失的空穴數(shù) (復(fù)合率 ) () 0pxt?? ??22( ) ( )d p x p xDdx ?? ????3/5/2023 50 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) ? 穩(wěn)態(tài)擴散方程的通解 : L擴散長度 ( ) xxLLp x A e B e L D ????? ? ?? ? ? ?3/5/2023 51 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) ⑶ 求解 穩(wěn)態(tài)擴散方程 (幾種典型情況 ): ① 樣品足夠厚 : L代表了非平衡子深入樣品的平均距離 . 0( ) ( )xLp x p e ??? ? ?3/5/2023 52 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 3/5/2023 53 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) ② 樣品厚為 W, 且 x=W時 , Δ p=0: 由邊界條件定常數(shù) , 可得 Δ p(x)的表達式 [書中 (589)式 ] ?當(dāng)樣品很薄 (WL+): 則有 非平衡子濃度線性減少 0( ) ( ) ( 1 )xp x pw? ? ? ?3/5/2023 54 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 3/5/2023 55 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) ③ 探針注入 : 解穩(wěn)態(tài)擴散方程 ,可得 : 000( ) ( ) ( )rrLrp x p er???? ? ?3/5/2023 56 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) ⑷ 少子電子 : 擴散定律 (擴散流密度 ,擴散電流密度 )。 體內(nèi)產(chǎn)生 ,表面復(fù)合 . 220ppDGx ????? ? ?? ? ??3/5/2023 70 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 圖 520 3/5/2023 71 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 3/5/2023 72 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 020224exp4),(npppnpnnnpnpnpttDxtDNtxpppxpDxptp????????????????????????????( 3) HaynesShockley實驗 局部光脈沖在半導(dǎo)體樣品中產(chǎn)生過剩載流子,連續(xù)性方程如下 : 02]4 )(exp[4),( nppppn pttDtxtDNtxp ?????????加外場時: 3/5/2023 73 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) HaynesShockley 實驗:最早演示了少數(shù)載流子漂移和擴散的實驗裝置 3/5/2023 74 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 半導(dǎo)體基本的物理方程 3/5/2023 75 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 3/5/2023 76 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 3/5/2023 77 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 3/5/2023 78 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 3/5/2023 79 Semiconductor Physics 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 本章 書上第五章的刪略 167。 (n0+p0 ) 小注入情況下 ,非平衡子壽命與非平衡子濃度無關(guān) . 0 1 0
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