【正文】 二、簡答（共 3 小題，每小題 5 分，共 15 分） 1. 測得工作在放大電路中兩個晶體管的三個電極電流如圖 2 所示 （ 1）判斷它們各是 NPN 管還是 PNP管 ，在圖中標出 e， b， c 極； 答：見圖中標識 （判斷 NPN管還是 PNP管各 1分，標出 e， b， c極 1分， 共 3 分） （ 2）估算 (b)圖晶體管的 ? 和 ? 值。1m a x R RRVV R E FO ??? 在 39。 （ 5） 由 于集 電極直 接接直 流電源 ， VC＝ VCC＝ 12V 解： Rg1 Rg2 Rd RL vi vo Vgs gmVgs 圖 5 1．解：直流負載線方程為： ① 由圖 8 所示有： ICQ＝ 1mA， VCEQ＝ 3V。 （ 2） 計算其輸出電壓范圍 2 運算電路如圖 23 所示 ,A A2可視為理想運放，其中 R1=5kΩ、 R2=2 kΩ、 R3=R4=10 kΩ、 Rf1= Rf2=10 kΩ 試求：輸出電壓和輸入電壓之間的函數(shù)關(guān)系表達式及 RP1和 RP2的值。 (1)求雙端輸出時的差模電壓增益 idooVD v vvA 21 ??的值； (2)求電路改為單端輸出時 ,AVD AVC1和 KCMR的值。 ??? kRC 2Re 。 9三端集成穩(wěn)壓器 7805輸出電壓 +5 V， 7915 輸出電壓 15 V。 7通用型集成運算放輸入級大多采用 差分放大 電路， 輸出級大多采用 共集 電路。 6某負反饋放大電路的開環(huán)放大倍數(shù)Ａ =100000，反饋系數(shù)Ｆ＝ ，則閉環(huán)放大倍數(shù) f?? ? 100 。 50、乙類互補對稱功率放大電路產(chǎn)生特有的失真現(xiàn)象叫 交越 失真。 3晶體管工作在飽和區(qū)時，發(fā)射結(jié) a ，集電結(jié) a ；工作在放大區(qū)時，集電結(jié) b ，發(fā)射結(jié) a 。 某放大電路中的三極管，在工作狀態(tài)中測得它的管腳電壓 Va = ， Vb = , Vc = , 試問該三極管是 硅管 管（材料）， NPN 型的三極管，該管的集電極是 a、 b、 c 中的 C 。 電子技術(shù)分為模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)兩大部分，其中研究在平滑、連續(xù)變化的電壓或電流信號下工作的電子電路及其技術(shù)，稱為 模擬 電子技術(shù)。 P 型半導體的多子為 空穴 、 N 型半 導體的多子為 自由電子 、本征半導體的載流子為 電子 — 空穴對 。 2在多級放大電路中，后級的輸入電阻是前級的 負載 ，而前級的輸出電阻可視為后級的 信號源的內(nèi)阻 。 3在多級放大電路中總的通頻帶比其中每一級的通頻帶 窄 。 5差分式放大電路能放大直流和交流信號，它對 差模信號 具有放大能力，它對 共模信號 具有抑制能 力。 6理想集成運算放大器的理想化 條件是 Aud= ∞ 、 Rid= ∞ 、 KCMR= ∞ 、 RO = 0 6理想運算放大器的理想化條件中有 Avd= 無窮 ， KCMR= 無窮 。 8石英晶體振蕩器是 LC 振蕩電路 的特殊形式，因而振蕩頻率具有很高的穩(wěn)定性。 9串聯(lián)型穩(wěn)壓電路中的放大環(huán)節(jié)所放大的對象是 輸出取樣電壓 。圖 16 圖 4 電 路如圖 6，已知 50?? ， ??? 200bbr ， VBEQ=， VCC=12V， ???570bR ， ???4CR ， ???4LR （ 1）、估算電路的靜態(tài)工作點： IBQ， ICQ， VCEQ； （ 2）、計算交流參數(shù) AV 、 Ri、 Ro值； （ 3）、如輸出電壓信號產(chǎn)生頂部失真，是截止失真 還是飽和失真，應(yīng)調(diào)整那個元件值，如何調(diào)？ （ 4）、請簡要說明環(huán)境溫度變化對該電路靜態(tài)工作點的影響。 (2)、 A A A3輸入端那些是虛地、虛短、既不虛地也不虛短。 (1)、試求 VO的值； (2)、試估算電壓值 VI，電路輸入電壓有效值 V2。 12V VCC0 VCC=13V (2) AVRVILccCM ???? V(BR)CEO ≥ 2VCC=26V 1解： （ 1） )20//10(2)//( ??????? dsdmVD rRgA （ 2） ?????? VDVD AA )2(1 )//( 33 331 ?????? ???????? ??Sm dsdmVC Rg rRgA 11 ???VCVDC M R AAK 13 解： 文氏橋式振蕩器， 為能起振，要求 31 12 ??? RRAV， R2 〉 2R1=20K )( 12 1 63 HZRCf o ???????? ?? 1解： （ 1） T1 、 T2組成鏡像電流源，在電路中作 T3的集電極有源負載，能提高放大電路的電壓增益。 所以 L 接 J ， M 接 K。 （ 10 分） （ 1） 試求電路的傳輸特性（ vo～ vi 特性），畫出 vo～ vi 波形； （ 7 分） （ 2） 假定輸入電壓如圖 4（ b）所示，試畫出相應(yīng)的 vo波形。 4. 乙類推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此 失真，應(yīng)改用 甲乙 類推挽放大器。 （ 2） 最 大輸 出功率 和效率 分別為 （ 3） 當 輸出 電壓的 峰值為 16V 時 ，其有 效值為 ： O ?? 根 據(jù) 運 算 “ 虛短” 和“虛 斷”的 原理有 ： 6io1i R UURU ?? 即： ? UUR 1iio6 ?????? 2解： (1)解： 串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路：基準電壓 REFV （或單穩(wěn)壓電路 R 、 ZD ）、比較放大電路 A 、調(diào)整管T 、取樣環(huán)節(jié) 1R 、 2R (2) OOVREFVB VVFVAV ??? )( VVVREFO FAAVV ?? 1 深度負反饋條件下 : 11 ??? VV FA 圖 22 % 2184V UV4πW1682 )218(R2 )UV(PCCC E SCC2L2C E SCCom??????????????? )1( 21RRVFVV R E FVR E FO ??? 如圖 22 所示 在 39。 (4)溫度變化會對 Q 點有影響， T 增大， Q點上移。 1圖 19 所示電路，運放均為理想器件，求輸出電壓 oV 與輸入電壓 21, ii VV 的關(guān)系。求： （ 1）第一級的靜態(tài)工作點；（ 2）放大器的輸入電阻和輸出電阻；（ 3）總的電壓放大倍數(shù)。 A、 3 價元素 B、 4 價元素 C、 5 價元素 D、 6 價元素 PN 結(jié) V— I 特性的表達示為（ ） A、 )1( / ?? TD VvSD eIi B、 DvSD eIi )1( ?? C、 1/ ?? TD VvSD eIi D、 TD VvD ei /? 多級放大電路與組成它的各個單級放大電路相比，其通頻帶（ ） A、變寬 B、變窄 C、不變 D、與各單級放大電路無關(guān) 某放大電路在負載開路時的輸出電壓為 4V，接入 12kΩ的負載電阻后，輸出電壓降為 3V，這說明放大電路的輸出電阻為（ ） A、 10kΩ B、 2kΩ C、 4kΩ D、 3kΩ 三極管工作于放大狀態(tài)的條件是（ ） A、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 B、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏 C、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏 D、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏 三極管電流源電路 的特點是（ ） A、輸出電流恒定，直流等效電阻大，交流等效電阻小 B、輸出電流恒定，直流等效電阻小，交流等效電阻大 C、輸出電流恒定，直流等效電阻小，交流等效電阻小 D、輸出電流恒定，直流等效電阻大，交流等效電阻大 畫三極管放大電路的小信號等效電路時，直流電壓源 VCC應(yīng)當（ ） A、短路 B、開路 C、保留不變 D、電流源 1帶射極電阻 Re的共射放大電路，在并聯(lián)交流旁路電容 Ce后，其電壓放大倍數(shù)將（ ） A、減小 B、增大 C、不變 D、變?yōu)榱? 1有兩個放大倍數(shù)相同，輸入電阻和輸出電阻不同的放大電路 A 和 B，對同一個具有內(nèi)阻的信號源電壓進行放大。 8有用信號頻率高于 1000Hz, 可選用 高通 濾波器。 7如果 有用信號頻率高于 1000Hz, 可選用 高通 濾波器；如果希望 500 Hz 以下的有用信號，可選用 低通 濾波器。 60、負反饋對放大電路性能的改善體現(xiàn)在：提高 增益的穩(wěn)定性 、減小 非線性失真 、抑制 反饋環(huán)內(nèi)噪聲 、擴展 頻帶 、改變輸入電阻和輸出電阻。 4 FET 是 電壓控制 器件， BJT 是 電流控制 器件。 2在三極管組成的三種不同組態(tài)的放大電路中， 共射和 共基 組態(tài)有電壓放大作用， 共射 組態(tài)有電流放大作用， 共射和共集 組態(tài)有倒相作用； 共集 組態(tài)帶負載能力強， 共集 組態(tài)向信號源索取的電流小， 共基 組態(tài)的頻率響應(yīng)好。 1按一個周期內(nèi)一只三極管的導通角區(qū)分，功率放大電路可分為 甲類 、 乙類 、 甲乙類 三種基本類型。填空題 1．在常溫下，硅二極管的門檻電壓約為 ，導通后在較大電流下的正向壓降約為 ；鍺二極管的門檻電壓約為 ，導通后在較大電流下的正向壓降約為 。 1 N 型半導 體中的多數(shù)載流子是 電子 ，少數(shù)載流子是 空穴 。 2放大器級間耦合方式主要有阻容（ RC）耦合、直接耦合和 變壓器 耦合三大類。 4當柵源電壓等于零時，增強型 FET 無 導電溝道，結(jié)型 FET 的溝道電阻 最小 。 5電流 并聯(lián)負反饋能穩(wěn)定電路的 輸出電流 ，同 時使輸入電阻 減小 。 7在構(gòu)成電壓比較器時集成運放工作在開環(huán)或 正反饋 狀態(tài)。 8正弦波振蕩電路起振的條件是 1?FA?? 和 ?nFA 2????? n 為整數(shù) 。 單項選擇題 半導體二極管加正向電壓時，有（ ） A、電流大電阻小 B、電流大電阻大 C、電流小電阻小 D、電流小電阻大 PN 結(jié)正向偏置時，其內(nèi)電場被（ ） A、削弱 B、增強 C、不變 D、不確定 半導體穩(wěn)壓二極管正常穩(wěn)壓時，應(yīng)當工 作于（ ） A、反向偏置擊穿狀態(tài) B、反向偏置未擊穿狀態(tài) C、正向偏置導通狀態(tài) D、正向偏置未導通狀態(tài) 在本征半導體中摻入（ ）構(gòu)成 P 型半導體。 在圖 9 中，已知 Rb1=300KΩ， Rc1=2KΩ ,Rb2=200KΩ， Re=2KΩ， RL=2KΩ， IE2=， β 1=β 2=60。 1理想運放構(gòu)成的電路如圖 18 所示，要求： （ 1）寫出 ov 與 1iv 、 2iv 之間的表達式； ov 1ov 圖 17 iv （ 2）若 R1=R3=10kΩ， R2=2kΩ， R4=R5=40kΩ， R6=R7=120kΩ，求 。 2212)1()(????????TGSDODsdDDDDSsDDDgggGSVVIIRRIVVRIVRRRV14412262???????GSGSDDDSDGSVVIIVIV