【正文】 美國環(huán)境科學委員會，于 2022年 11月 24日正式宣布，由即日起取消并廢除潔凈室的美國聯(lián)邦標準 《 FedSta209E》 ，在美國等效使用 “ISO146441”潔凈室等級的國際標準。直接式 PECVD 間接式 PECVD等離子的兩種產(chǎn)生方式比較PECVD設備結(jié)構(gòu)平板式 PECVD設備平板式 PECVD工藝過程管式 PECVD鍍膜設備管式 PECVD工藝控制過程boatheating cassetteplasma generatorCESARloadingmachinegas supplyN2SiH4NH3vacuum pumpscrubberExhaust管式 PECVD的基本工藝步驟PECVD檢測內(nèi)容? 膜厚、折射率（橢偏儀）? 反射率（ D8反射儀）? 外觀均勻性、顏色（目測）制備電極? 制備電極的目的：? 收集電流? 引出電流? 將單體電池焊接成串制備電極的方法? 絲網(wǎng)印刷法： 在網(wǎng)版上制作特定電極圖形，通過刮刀的運動將網(wǎng)版上的金屬漿料擠出網(wǎng)版，落在網(wǎng)版下面的硅片上，形成電極圖形。? 去邊的方法有 干法刻蝕和濕法 腐蝕 兩種刻蝕原理? 干法刻蝕原理：等離子體刻蝕 是采用高頻輝光放電反應，使反應氣體激活成活性粒子，如原子或游離基，這些活性粒子擴散到需刻蝕的部位，在那里與被刻蝕材料進行反應，形成揮發(fā)性生成物而被去除。太陽能電池擴散方法? 擴散工藝的摻雜源各不相同，基本的擴散有 :? 固態(tài)源： 磷紙，硼紙，磷酸二氫銨 (結(jié)晶狀 ),用于管式擴散。一般硅太陽能電池中襯底雜質(zhì)為硼（ B），擴散雜質(zhì)為磷（ P）為什么有一面沒有結(jié)？擴散制結(jié)基礎(chǔ)（ diffusion）? 制結(jié)過程是在一塊 半導體 基體材料上生成導電類型不同的 半導體 層 。熱擴散反應POCl3在高溫下（ 600℃ ）分解生成五氯化磷（ PCl5）和五氧化二磷（ P2O5），其反應式如下：生成的 P2O5在擴散溫度下與硅反應，生成二氧化硅（ SiO2）和磷原子，其反應式如下： POCl3熱分解時，如果沒有外來的氧（ O2）參與其分解是 不充分 的，生成的 PCl5是不易 分解的，并且對硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態(tài) 。PECVD鍍膜 工藝目的P型襯底氮化硅減反層n+ 發(fā)射極? 在擴散后的硅片上形成一層致密的氮化硅（ SiNx）層，進一步降低反射率。網(wǎng) 框 印 刷 網(wǎng) 粘著劑 刮 刀印 墨版 膜 印 刷基 材絲網(wǎng)印刷流程P型襯底背電極印刷 烘干背電場印刷 烘干正電極印刷烘干 +燒結(jié)測試分選電池的正背面電極圖形柵線（銀漿）背電場：鋁漿背電極：鋁漿或銀鋁漿電池片正面電池片反面絲網(wǎng)印刷的設備 (Baccini)絲網(wǎng)印刷檢測內(nèi)容? 副柵線寬度、高度（晶相顯微鏡）? 印刷濕重（電子天平）? 印刷圖形完整性（目測）燒結(jié)的目的? 燃盡金屬漿料中的有機成分；? 燒穿絕緣的氮化硅膜，使?jié){料中的金屬和硅熔融合金，形成歐姆接觸；? 對經(jīng)過等離子轟擊的硅片退火，激活摻雜的原子，消除晶格損傷；? 激活氮化硅膜 ( )中的氫離子，使之鈍化硅