freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

第二章光敏電阻(專業(yè)版)

  

【正文】 電子快門常用于電子程序快門的照相機(jī)中,其中測(cè)光器件常采用與人眼光譜響應(yīng)接近的硫化鎘 (CdS)光敏電阻。 思考 :電壓靈敏度是什么?和哪些參數(shù)有關(guān)? ( 224) V2L2L Ed)RR(d ??gbb SRUI ( 220) 設(shè) iL=dIL, ev=dEv,則 v2L2)RR( eSRUi gbbL ??( 221) 加在光敏電阻上的電壓為 R與 RL對(duì)電壓 Ubb的分壓,即UR=R/(R+RL) Ubb,因此,光電流的微變量為 vgLbbvgRU eSRRRUeSi???將式( 222)代入式( 221)得 iRRRiLL ??( 222) ( 223) 微變等效電路 ? 2 恒流電路 在簡(jiǎn)單偏置電路中,當(dāng) RL187。 ? 2 伏安特性 光敏電阻的本質(zhì)是電阻,符合歐姆定律。 光敏電阻的基本特性 ? 1 光電特性 光敏電阻為多數(shù)載流子導(dǎo)電的光電敏感器件,它與其他光電器件的特性的差別表現(xiàn)在它的基本特性參數(shù)上。Hz 求導(dǎo)可得 ?????,2 dd elhqg ??由此可得半導(dǎo)體材料在弱輻射作用下的光電導(dǎo)靈敏度 2,d dhc lqgSeg? ? ??????( 185) 可見,在弱輻射作用下的半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)靈敏度為與材料性質(zhì)有關(guān)的常數(shù),與光電導(dǎo)材料兩電極間的長(zhǎng)度 l的平方成反比。第二章 光電導(dǎo)器件 某些物質(zhì)吸收光子的能量產(chǎn)生本征吸收或雜質(zhì)吸收 , 從而改變了物質(zhì)電導(dǎo)率的現(xiàn)象稱為物質(zhì)的 光電導(dǎo)效應(yīng) 。 ( 2)在強(qiáng)輻射的作用下, Δ nni, Δ ppi ( 179)式可以簡(jiǎn)化為 2,edd nKNtnf ??????利用初始條件 t = 0時(shí), Δ n = 0,解微分方程得 ?? ? tKNnft a n h21e,??????????( 186) 式中, 為強(qiáng)輻射作用下載流子的平均壽命。W1。光敏電阻的基本特性參數(shù)包含 光電特性 、 時(shí)間響應(yīng)、光譜響應(yīng)、伏安特性與噪聲特性 等。 可以測(cè)出在不同光照下加在光敏電阻兩端的電壓 U與流過它的電流 Ip的關(guān)系曲線,并稱其為光敏電阻的 伏安特性 。R時(shí),流過光敏電阻的電流基本不變,此時(shí)的偏置電路稱為恒流電路。照相機(jī)曝光控制電路是由光敏電阻 R、開關(guān) K和電容 C構(gòu)成的充電電路,時(shí)間檢出電路 (電壓比較器 ),三極管 T構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)放大電路,電磁鐵 M帶動(dòng)的開門葉片(執(zhí)行單元)等組成。 ? 3 照相機(jī)電子快門 圖 217所示為利用光敏電阻構(gòu)成的照相機(jī)自動(dòng)曝光控制電路,也稱為照相機(jī)電子快門。 光敏電阻的變換電路 ? 1 基本偏置電路 設(shè)在某照度 Ev下,光敏電阻的阻值為 R,電導(dǎo)為 g,流過偏置電阻 RL的電流為 IL LbbL RRUI??用微變量表示 Rd)RR(d 2LL ???bbUI而, dR=d(1/g)=(1/g )dg dg=S dE 因此 2 g v ( 219) v2g EdRd RS?? ( 2補(bǔ) 1) 偏置電阻 RL兩端的輸出電壓為 v2LgL2LLLLL )RR(UeSRRiRRRRiRu bb?????輸出電壓與弱輻射入射輻射量(照度 ev)成線性關(guān)系。即 1221lglglglgEERR????( 23) R1與 R2分別是照度為 E1和 E2時(shí)光敏電阻的阻值。 響應(yīng)在 8~14μm波段 , 峰值波長(zhǎng)為 ,與 co2激光器的波長(zhǎng)相匹配 。當(dāng)溫度降低到( 195K)時(shí),光譜響應(yīng)范圍為1~4μ m,峰值響應(yīng)波長(zhǎng)移到 m,峰值波長(zhǎng)的比探測(cè)率 D*也增高到 2 1011cm 半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo) g為 ?????,eNlbdqlbdg ???( 183) 可以看出 , 在弱輻射作用下的半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)與入射輻射通量 Φ e,λ 成線性關(guān)系 。 利用具有光電導(dǎo)效應(yīng)的材料 ( 如硅 、 鍺等本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體 , 硫化鎘 、 硒化鎘 、 硫化鉛等 )可以制成電導(dǎo)隨入射光通量變化的器件 , 稱為 光電導(dǎo)器件或光敏電阻 。 ?? 強(qiáng)輻射情況下,半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)與入射輻射通量間的關(guān)系為 21,213 ???? ef lKhbdqg ??????????( 187) 拋物線關(guān)系。 InSb光敏電阻 InSb(銻化銦) 光敏電阻是 3~7μ m光譜范圍內(nèi)的主
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
文庫(kù)吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號(hào)-1