【正文】 2. 耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 G S D 符號(hào)： 如果 MOS管在制造時(shí)導(dǎo)電溝道就已形成，稱為耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管。 + + ∞ . 3 2 ui 。若互補(bǔ)對(duì)稱電路直接與負(fù)載相連，輸出電容也省去，就成為 無輸出電容 (Output Capacitorless)電路，簡(jiǎn)稱 OCL電路。 雙端輸入分雙端輸出和單端輸出兩種。 適合于集成化的要求，在集成運(yùn)放的內(nèi)部，級(jí)間都是直接耦合。 RB1 C1 C2 RE1 + + + – RC2 C3 CE + + +24V + – OU?iU?B1R?B2R?T1 T2 E2R?E1R?1M? 27k? 82k? 43k? ? 510? 10k? 解 : (1) 兩級(jí)放大電路的靜態(tài)值可分別計(jì)算。 2. 輸入電阻高； 3. 輸出電阻低； 4. 輸出與輸入同相。 IC/mA 4 3 2 1 O 4 8 12 16 20 B 80mA A 60mA 40mA 20mA UCE/V Q 2. 圖解分析 Q uCE/V t t iB/mA IB t iC/mA IC iB/mA uBE/V t uBE/V UBE UCE iC/mA uCE/V O O O O O O Q iC Q1 Q2 ib ui uo RL=? 由 uO和 ui的峰值 (或峰峰值 )之比可得放大電路的電壓放大倍數(shù)。 beCrRβAu ?? 式中的負(fù)號(hào)表示輸出電壓的相位與輸入相反。 晶體管的微變等效電路可從晶體管特性曲線求出。 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + + + +UCC ui uo + + – – IC RS eS + – 2. 分壓式偏置電路穩(wěn)定 Q點(diǎn)的原理 從 Q點(diǎn) 穩(wěn)定的角度來看似乎 I VB越大越好。 解： mAmABCCB 0403 0 012 .???RUI ???? II ?VV CCCCCE645112 ??????.RIUU+UCC RB RC T + + – UBE UCE – IC IB 已知： UCC=12V， RC=4k?， RB=300k?， ? =。 (4) 輸出回路將變化的集電極電流轉(zhuǎn)化成變化的集電極電壓，經(jīng)電容耦合只輸出交流信號(hào)。要保證集電結(jié)反偏 ,發(fā)射結(jié)正偏 ,使晶體管工作在放大區(qū) 。 基極電源 EB與基極電阻 RB使發(fā)射結(jié) 處于正偏，并提供大小適當(dāng)?shù)幕鶚O電流。 總結(jié)： 2. 直流通路和交流通路 因電容對(duì)交、直流的作用不同，在放大電路中如果電容的容量足夠大，可以認(rèn)為它對(duì)交流分量不起作用，即對(duì)交流短路，而對(duì)直流可以看成開路。 例 2： 用估算法計(jì)算圖示電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。 但 I2 越大， RB RB2必須取得較小，將增加損耗，降低輸入電阻。 當(dāng)信號(hào)很小時(shí)，在靜態(tài)工作點(diǎn)附近的輸入特性在小范圍內(nèi)可近似線性化。 例 1： iU?iI? bI? cI?oU?bIβ?SE?rbe RB RC RL E B C + + + RS Lco RIU ??? ??LCL // RRR ??io :UUAu ???定義Lb RI ??? ??rbe RB RC RL E B C + + + RS iU?iI? bI? cI?oU?bIβ?SE?eI?RE Eebebi RIrIU ??? ??Ebbeb ) 1( RIβrI ?? ???EbeL) 1( RβrRβAu ?????例 2： 由例 例 2可知，當(dāng)電路不同時(shí)，計(jì)算 電壓放大倍數(shù) Au 的公式也不同。 3. 非線性失真 如果 Q設(shè)置不合適，晶體管進(jìn)入截止區(qū)或飽和區(qū)工作，將造成非線性失真。 LbeL) 1() 1(RβrRβAu ??????? ?39。 第一級(jí)是射極輸出器 : )(11000 0 . 624) (1E1B1BECCB1 μ??????????RβRUUImA 49. 0mA )(1)1( B1E1 ?????? II ?V77. ?????? RIUU RB1 C1 C2 RE1 + + + – RC2 C3 CE + + +24V + – OU?iU?B1R?B2R?T1 T2 E2R?E1R?1M? 27k? 82k? 43k? ? 510? 10k? 第二級(jí)是分壓式偏置電路 438224B2B2B1CCB2 ????????? RRRUVmA 96. 0mA5. 751. 0 6. 026. 8E239。 電路結(jié)構(gòu)對(duì)稱，在理想的情況下，兩管的特性及對(duì)應(yīng)電阻元件的參數(shù)值都相等。 此外，還有單端輸入的 , 即將 T1輸入端或 T2輸入端接“地” , 而另一端接輸入信號(hào) ui 。 OTL電路采用單電源供電， OCL電路采用雙電源供電。 。 (1 ) N溝道耗盡型管 SiO2絕緣層中 摻有正離子 予埋了 N型 導(dǎo)電溝道 由于耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管預(yù)埋了導(dǎo)電溝道，所以在UGS= 0時(shí)， 若漏 –源之間加上一定的電壓 UDS，也會(huì)有漏極電流 ID 產(chǎn)生。 (3) 特性曲線 轉(zhuǎn)移特性曲線 ID/mA UDS/V o UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏極特性曲線 恒流區(qū) 可變電阻區(qū) 截止區(qū) 無溝道 有溝道 UGS/V UGS(th) UDS=常數(shù) ID/16mA O 開啟電壓 UGS(th） N型襯底 P+ P+ G S D 符號(hào)： 結(jié)構(gòu) (4) P溝道增強(qiáng)型 SiO2絕緣層 加電壓才形成 P型導(dǎo)電溝道 增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管只有當(dāng) UGS ? UGS(th） 時(shí)才形成導(dǎo)電溝道。 。當(dāng)它通過容量較大的電容與負(fù)載耦合時(shí)，由于省去了變壓器而被稱為 無輸出變壓器 (Output Transformerless)電路，簡(jiǎn)稱 OTL電路。 解 : mA0 . 6A10102 122 3EEC ????? REImA0 . 0 1 2mA500 . 6CB ??? ?IIV6V)100 . 6101012( 33CCCCCE ???????? ?IRUU112 . 4 120 550beBLd ??????????rRRA ?式中 ???? k521// LCL RRR???????? k 2 . 4 1Ω)0 . 626( 2 0 026)1()(200Ebe Ir ?單端輸出時(shí)差分電路的差模電壓放大倍數(shù)為 )(beBCi1o1i2i1o1d 212反相輸出rRβRuuuuuA??????)(212 beBCi2o2i2i1o2d 同相輸出rRβRuuuuuA??????即：?jiǎn)味溯敵霾罘蛛娐返碾妷悍糯蟊稊?shù)只有雙端輸出 差分電路的一半。 通頻帶 f |Au | | Auo | O fH | Auo | 幅頻特性 抑制零點(diǎn)漂移是制作高質(zhì)量直接耦合放大電路的一個(gè)重要的問題。 (2) 求放大電路的輸入電阻和輸出電阻； (3) 求各級(jí)電壓的放大倍數(shù)及總電壓放大倍數(shù)。 rbe RB RL E B C + + + RS iU?bI? cI?oU?bIβ?SE?eI?RE orESbeo 1//11RRRrr??????共集電極放大電路 (射極輸出器 )的特點(diǎn)： 1. 電壓放大倍數(shù)小于 1，約等于 1。交流負(fù)載線比直所以因?yàn)?,CL RR ??? 180。 負(fù)載電阻愈小，放大倍數(shù)愈小。 微變等效電路法： 利用放大電路的微變等效電路分析計(jì)算放大電路電壓放大倍數(shù) Au、輸入電阻 ri、輸出電阻 ro等。 2B2B RIV ?2B1BCC21 RRUII???CC2B1B2BB URRRV??VB RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + + + +UCC ui uo + + – – IC RS eS + – VB EBEBEC RUVII ???BEB UV ??若滿足：EBEBEBEC RVRUVII???? 集電極電流基本恒定，不隨溫度變化。 用估算法確定靜態(tài)值 1. 直流通路估算 IB BBECCB RUUI ??所以BCCB RUI ?根據(jù)電流放大作用 C E OBC III ?? ? BB IβIβ ??2. 由直流通路估算 UCE、 IC 當(dāng) UBE UCC時(shí)， 由 KVL: UCC = IB RB+ UBE 由 KVL: UCC = IC RC+ UCE 所以 UCE = UCC – IC RC +UCC RB RC T + + – UBE UCE – IC IB 例 1： 用估算法計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)。 (3) 輸入回路將變化的電壓轉(zhuǎn)化成變化的基極電流。 放大電路的概念及主要技術(shù)指標(biāo) 基本放大電路的組成 單電源供電時(shí)常用的畫法 共發(fā)射極基本電路 +UCC RS es RB RC C1 C2 T + + + – RL ui + – uo + – + + – uBE uCE – iC iB iE EC RS es RB EB RC C1 C2 T + + + – RL + + – – ui + – uo + – + + – uBE uCE – iC iB iE 共發(fā)射極 基本放大電路 共發(fā)射極 基本放大電路 基本放大電路各元件作用 晶體管 T放大元件 , iC=? iB。 共發(fā)射極基本電路 EC RS es RB EB RC C1 C2 T + + + – RL + + – – ui + – uo + – + + – uBE uCE – iC iB iE 共發(fā)射極 基本放大電路 基本放大電路各元件作用 集電極電源 EC 為電路提供能量。這樣，交直流所走的通路是不同的。 )( ECCCCEECCCCCERRIURIRIUU??????EBBECCB ) 1( RβRUUI????BC IβI ?EEBEBBCC RIURIU ???EBBEBB ) 1( RIβURI ???? 由例 例 2可知，當(dāng)電路不同時(shí)，計(jì)算 靜態(tài)值的公式也不同。 而 VB過高必使 VE也增高，在 UCC一定時(shí)，勢(shì)必使 UCE減小，從而減小放大電路輸出電壓的動(dòng)態(tài)范圍。 1. 晶體管的微變等效電路 ?UBE ?IB 對(duì)于小功率三極管： )mA()mV(26)1()(200Ebe Iβr ????rbe一般為幾百歐到幾千歐。 要根據(jù)微變等效電路找出 ui與 ib的關(guān)系、 uo與 ic 的關(guān)系。 若 Q設(shè)置過高， 晶體管進(jìn)入飽和區(qū)工作，造成飽和失真。LbeBi ) 1(// RβrRr ???βRrr????1sbeo射極輸出器的應(yīng)用 主要利用它具有輸入電阻高和輸出電阻低的特點(diǎn)。E139。 差分放大電路是抑制零點(diǎn)漂移最有效的電路結(jié)構(gòu)。同樣單端輸入也分為雙端輸出和單端輸出兩種。 1. OTL電路 (1) 特點(diǎn)