【正文】 ? 電子在金屬中運動時，將受到金屬中的雜質(zhì)、缺陷以及聲子的散射 ,當存在鐵磁組元時，散射幾率與磁化狀態(tài)有關(guān)，因此會出現(xiàn)對一種自旋取向的傳導(dǎo)電子的散射比對另一種自旋取向的傳導(dǎo)電子的散射更強的現(xiàn)象。 LangmuirBlodgett膜法 ? Langmuir 單分子膜的成膜分子一般是有機兩親分子，在氣 /液界面誘導(dǎo)沉積具有特殊形貌結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的無機納米顆粒，從而可以制備納米顆粒緊密組裝的有機 /無機納米超晶格復(fù)合薄膜。 其納米結(jié)構(gòu)的獲得，關(guān)鍵在于制備過程中晶體成核與生長的控制。 溶膠 凝膠制備氧化物薄膜工藝 ? 浸漬提拉法 (dipping)、旋覆法（ spinning)、噴涂法(spraying)及簡單的刷涂法 (painting)等。所沉積薄膜的納米結(jié)構(gòu)對團簇尺寸具有很好的記憶特性。 ? 用 CVD法在硅片上沉積 Si3N4薄膜，需要 900℃ 以上的高溫，而 PECVD法僅需約 350 ℃ 溫度，如采用微波等離子體，可降至 100 ℃ 。這是因為在氣相中發(fā)生氣相 氣相反應(yīng)，然后生成粉末，該粉末出現(xiàn)在反應(yīng)系統(tǒng)之外。離子鍍是鍍膜與離子轟擊改性同時進行的鍍膜過程。因此，射頻濺射不適于工業(yè)生產(chǎn)應(yīng)用。 ? 各種靶材的濺射產(chǎn)額隨原子序數(shù)變化呈周期性改變， Cu、Ag、 Au等濺射產(chǎn)額最高， Ti、 Zr、 Nb、 Mo、 Hf、 Ta、 W等最小。雙面蒸鍍鋁的薄鋼板可代替鍍錫的馬口鐵制造罐頭盒。 蒸發(fā)系統(tǒng) 轟擊電極工作架烘烤電極活動擋板蒸發(fā)電極轟擊電極工作架烘烤電極轟擊電極工作架轟擊電極工作架烘烤電極活動擋板蒸發(fā)電極活動擋板蒸發(fā)電極熱蒸發(fā) 加熱絲、舟或坩堝 襯底架 玻璃鐘罩 真空泵 厚度監(jiān)控儀 充氣管道 反應(yīng)氣體管道 襯底 Plume 儀器 內(nèi)部結(jié)構(gòu) 常用蒸發(fā)源 加熱絲 加熱舟 坩堝 盒狀源（ Knudsen Cell） 常用蒸發(fā)材料形態(tài) 蒸發(fā)源材料和鍍膜材料的選擇搭配原則 ? （ 1） 蒸發(fā)源有良好的熱穩(wěn)定性，化學(xué)性質(zhì)不活潑，達到蒸發(fā)溫度時加熱器本身的蒸汽壓要足夠低。 氣相沉積的基本過程 (1)氣相物質(zhì)的產(chǎn)生 ? 一種方法是使沉積物加熱蒸發(fā)，這種方法稱為蒸發(fā)鍍膜；另一種方法是用具有一定能量的粒子轟擊靶材料，從靶材上擊出沉積物原子，稱為濺射鍍膜。 ? 薄膜與塊狀物質(zhì)一樣，可以是非晶態(tài)的、多晶態(tài)的或單晶態(tài)的。濺射鍍膜材料的利用率大大高于蒸發(fā)鍍膜。加熱器材料常使用鎢、鉬、鉭等高熔點金屬，蒸發(fā)材料可以是絲狀、帶狀或板狀。目前在制鏡工業(yè)中已經(jīng)廣泛采，用蒸鍍，以鋁代銀，節(jié)約貴重金屬。能量再增加濺射產(chǎn)額顯示出下降的趨勢。直流濺射是利用金屬、半導(dǎo)體靶制取薄膜的有效方法，但當靶是絕緣體時由于撞擊到靶上的離子會使靶帶電，靶的電位上升，結(jié)果離子不能繼續(xù)對靶進行轟擊。此后靶面成分達到恒穩(wěn)狀態(tài)，總是保持著確定成分的貧 A層。 (CVD) （ 1） CVD的原理 ? 用 CVD法制備薄膜材料是通過賦予原料氣體以不同的能量使其產(chǎn)生各種化學(xué)反應(yīng)，在基片上析出非揮發(fā)性的反應(yīng)產(chǎn)物。 ? PECVD薄膜反應(yīng)室主要有平板電容型和無極射頻感應(yīng)線圈式兩種。 ? 目前的研究工作表明這一技術(shù)可以有效地控制沉積在襯底上的原子數(shù)目。 ? (3)很容易大面積地在各種不同形狀 (平板狀、圓棒狀、圓管內(nèi)壁、球狀及纖維狀等 )、不同材料 (如金屬、玻璃、陶瓷、高分子材料等 )的基底上制備薄膜，甚至可以在粉體材料表面制備一層包覆膜，這是其他的傳統(tǒng)工藝難以做到的。 ? 在溶膠 — 凝膠薄膜工藝中，影響薄膜厚度的因素很多，其中包括溶膠液的粘度、濃度、比重、提拉速度 (或旋轉(zhuǎn)速度 )及提拉角度，還有溶劑的粘度、比重、蒸發(fā)速率，以及環(huán)境的溫度、干燥條件等。 LangmuirBlodgett膜法 ? 簡稱 LB膜 LB 膜法 ? 近年來，利用 Langmuir 單分子膜和 LB 膜作為模板生成有機 /無機納米復(fù)合薄膜已成為當前有序分子膜研究中的熱點 。 ? 磁阻效應(yīng)制成的讀出磁頭可顯著提高磁盤的存儲密度，利用巨磁阻效應(yīng)制作磁阻式傳感器可大大提高靈敏度。 納米薄膜應(yīng)用 1．金屬的耐蝕保護膜 2 多功能薄膜 — SnO2 3．電子信息材料 4．硬質(zhì)薄膜 5 膜分離 六、薄膜厚度的測量 1. 干涉顯微鏡法 ? 薄膜樣品臺階處的干涉條紋，由于薄膜樣品的兩個表面有光程差，干涉條紋發(fā)生了彎曲，通過測量條紋的偏移和條紋間距，即可計算出臺階高度（薄膜厚度）。 納米薄膜的性質(zhì)與應(yīng)用 1 薄膜的光學(xué)特性 (1)藍移和寬化 納米顆粒膜，特別是 Ⅱ — Ⅵ 族半導(dǎo)體 CdSXSe1X， 以及 Ⅲ V族半導(dǎo)體 CaAs的顆粒膜，都觀察到光吸收帶邊的藍移和帶的寬化現(xiàn)象。 下面簡單介紹 CdS薄膜的制備過程：用 Cd鹽和 S制成非水電解液，通電后在電極上沉積 CdS透明的納米微粒膜，粒徑為 5nm左右。 即首先將基片浸入預(yù)先制備好的溶膠中，然后以一定的速度將基片向上提拉出液面，這時在基片的表面上會形成一層均勻的液膜，緊接著溶劑迅速蒸發(fā)，附著在基片表面的溶膠迅速凝膠化并同時干燥，從而形成一層凝膠薄膜，當該膜在室溫下完全干燥后，將其置于一定溫度下進行適當?shù)臒崽幚恚詈蟊阒频昧搜趸锉∧ぁ? ? 溶膠 凝膠涂膜可以賦于基體各種性能，其中包括機械的、化學(xué)保護的、光學(xué)的、電磁的和催化的性能。 ? LCVD技術(shù)是用激光束照射封閉于氣室內(nèi)的反應(yīng)氣體，誘發(fā)化學(xué)反應(yīng)，生成物沉積在置于氣室內(nèi)的基板上。盡管根據(jù)前文的介紹， CVD的種類有所不同，但 CVD的程序，無論是實驗室規(guī)模的還是工業(yè)生產(chǎn)規(guī)模的都基本上相同。 ? 熱蒸鍍原子大約 ， ? 濺射原子大約 150eV， ? 而離子鍍中轟擊離子大概有幾百到幾千電子伏特。環(huán)狀磁場是電子運動的軌道，環(huán)狀的輝光和溝槽將其形象地表現(xiàn)了出來。工作時先抽真空，再通 Ar氣，使真空室內(nèi)達到濺射氣壓。 ? 另一種是在真空室中，利用離子束轟擊靶表面，使濺射擊的粒子在基片表面成膜，這稱為離子束濺射。 ? （ 3） 蒸發(fā)物質(zhì)和蒸發(fā)源材料的互熔性必須很差，不易形成合金。 (3)氣相物質(zhì)的沉積 ? 氣相物質(zhì)在基片上的沉積是一個凝聚過程。 ? 薄膜技術(shù)目前還是一門發(fā)展中的邊緣學(xué)科，其中不少問題還正在探討之中。 氣相法 ? 1. 真空蒸發(fā) 法 (源單層蒸發(fā)；單源多層蒸發(fā)；多源反應(yīng)共蒸發(fā) ) ? 2. 真空濺射法 磁控濺射，直流磁控測射（單靶 (反應(yīng) )濺射；多靶反應(yīng)共濺射：射頻磁控濺射 [單靶 (反應(yīng) )濺射；多靶反應(yīng)共濺射 ? 3. 離子束濺射 ? 4. 化學(xué)氣相沉積， 金屬有機物化學(xué)氣相沉積 (MOCVD) ,熱解化學(xué)氣相沉積 (熱解 CVD),離子體增強化學(xué)氣相沉積 (PECVD),激光誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積(LCVD),波等離子體化學(xué)氣相沉積 (MWCVD) 液相法 ? 5. 溶膠 凝膠 (solgel法 ? 6. 電鍍法，化學(xué)鍍 ? 7 LB膜 ? 真空蒸發(fā)鍍膜 ： 在真空中把制作薄膜的材料加熱蒸發(fā)，使其淀積在適當?shù)谋砻嫔稀? ? 基片設(shè)在蒸氣源的上方阻擋蒸氣流，蒸氣則在基片上形成凝固膜。 ? 蒸鍍用于鍍制合金膜時，在保證合金成分這點上，要比濺射困難得多，但在鍍制純金屬時，蒸鍍可以表現(xiàn)