【正文】 另外,一旦IGBT 燒壞,驅(qū)動(dòng)器受到損壞給維修帶來(lái)不便且不經(jīng)濟(jì)。IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路很多,分立元件搭成的驅(qū)動(dòng)電路,簡(jiǎn)單、廉價(jià)。但負(fù)載過程中UGE增加,集電極電流Ic 也隨之增加, IGBT 能承受短路電流的時(shí)間減小,對(duì)其安全不利,因此在有短路過程的設(shè)備中Uge 應(yīng)選得小些,由于飽和導(dǎo)通電壓是IGBT 發(fā)熱的主要原因之一,因此必須盡量減小。逆變器用IGBT:在節(jié)能燈電子鎮(zhèn)流器中,采用小功率單管IGBT,其性能規(guī)格600V/5～10A。該項(xiàng)研究是采用全自對(duì)準(zhǔn)槽柵工藝,大規(guī)模集成電路的LDD工藝,只用2塊掩模完成器件制作,該技術(shù)已申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利。近年來(lái),國(guó)外又有2000V /600A 的IGBT IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器中。 ③ 薄單晶硅片技術(shù)。新型電力電子器件在該系統(tǒng)中扮演著重要的角色,它是機(jī)械自動(dòng)化、控制智能化的關(guān)鍵部件,是節(jié)約電能的新型半導(dǎo)體器件。與國(guó)外相比, IGBT的制造工藝技術(shù)至少落后十年, IGBT的國(guó)產(chǎn)化形勢(shì)相當(dāng)緊迫。快速IGBT已應(yīng)用到了150KHz～180KHz的頻率范圍(如美國(guó)Intesil 公司的SMPS IGBT 系列和IR 公司的WARPZTM IGBT系列) 。國(guó)內(nèi)主要研究現(xiàn)狀由于設(shè)備及工藝水平等因素的影響,國(guó)內(nèi)IGBT還處于研制階段。民品市場(chǎng)情況IGBT在民品市場(chǎng)具有更加廣泛的應(yīng)用。(1) 極驅(qū)動(dòng)電壓UGE 。(3) 柵射電阻RGE 。當(dāng)IGBT 出現(xiàn)過流信號(hào)時(shí),EXB841 內(nèi)部過流檢測(cè)電路經(jīng)幾微秒延時(shí),以濾掉干擾信號(hào),5 腳變?yōu)榈碗娖?4N25 導(dǎo)通,觸發(fā)器翻轉(zhuǎn),Q 腳為“0”,關(guān)斷IGBT 驅(qū)動(dòng)信號(hào),起到保護(hù)作用。解決辦法是: ①反串穩(wěn)壓管, 限制IGBT 的電流為200A,使工作穩(wěn)定可靠且電路簡(jiǎn)單。47 μF 電容用于吸收由于電源接線阻抗引起的電壓變化,并不是電源濾波器的電容器。因此對(duì)串聯(lián)電阻要根據(jù)具體電流容量和電壓額定值及開關(guān)頻率的不同,選擇合適的阻值,而且柵極串聯(lián)電阻應(yīng)隨著IGBT 電流容量的增加而減小。預(yù)計(jì)“十一五”期間IGBT的市場(chǎng)年平均增長(zhǎng)率也將保持30%以上。在軍事機(jī)載、星載電源系統(tǒng)中的DC /DC變換器用IGBT單管,其性能規(guī)格400V /80～120A。目前, IGBT IPM 已發(fā)展到把MPU和PWM等控制電路也集成進(jìn)來(lái)的第三代產(chǎn)品。1999 年IXYS 公司推出了1600V /40A CS (集電極短路) ——— IGBT,其關(guān)斷時(shí)間小于200ns。目前,國(guó)內(nèi)IGBT產(chǎn)品依賴進(jìn)口。IGBT ( Insulate Gate Bipolar Transistor)絕緣柵雙極晶體管作為新型電力電子器件的代表,是整機(jī)系統(tǒng)提高性能指標(biāo)和節(jié)能指標(biāo)的首選產(chǎn)品。 ⑤ 分層輻照技術(shù)。目前, IGBT的單片水平已達(dá)到80A /4500V、模塊水平達(dá)到1800A /4500V、工作頻率達(dá)到150KHz。我國(guó)對(duì)IGBT的研究始于上世紀(jì)90年代初,研究單位多數(shù)是大學(xué)。此外, IGBT及IGBTIPM在通訊電源、UPS不間斷電源及電焊機(jī)中也有廣泛的應(yīng)用。 IGBT 關(guān)斷時(shí),柵射極間加反偏電壓有利于IG