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正文內(nèi)容

電子功能材料及元器件教學(xué)大綱(專業(yè)版)

2025-09-02 16:55上一頁面

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【正文】 2.周東祥等編:《半導(dǎo)體陶瓷及其應(yīng)用》,華中理工大學(xué)出版社,1991年。二.教學(xué)基本要求本課程講授50學(xué)時(shí),以多媒體課件為輔助手段。三.各章節(jié)內(nèi)容及學(xué)時(shí)分配第一章 電子功能材料概述(9學(xué)時(shí))第一節(jié) 概述一.緒論:課程內(nèi)容框架、作用二.功能材料的分類(例子)第二節(jié) 形狀記憶合金一.馬氏體相變和形狀記憶效應(yīng)二.形狀記憶原理三.溫度變化對(duì)形狀記憶合金電導(dǎo)的影響 第三節(jié) 超導(dǎo)材料 一.超導(dǎo)體的主要特征 二.超導(dǎo)機(jī)理(BCS理論) 三.超導(dǎo)材料簡介 四.超導(dǎo)應(yīng)用簡介 第四節(jié) 半導(dǎo)體超晶格材料一. 超晶格材料的分類二. 超晶格的主要特征三. 應(yīng)變超晶格材料四. 超晶格材料簡介 第五節(jié) 電子功能陶瓷一. 介電陶瓷(性質(zhì)、類型、應(yīng)用)二. 壓電陶瓷(壓電效應(yīng)、產(chǎn)生機(jī)制)三. 鐵電材料(性質(zhì)、相變)四. 半導(dǎo)體陶瓷(熱、光、氣、濕敏…)第二章 化合物晶體的缺陷化學(xué)基礎(chǔ)(7學(xué)時(shí)) 第一節(jié) 缺陷化學(xué)的表述方法一. KrogerVink表示法二. 化合物(MX)晶體中的點(diǎn)缺陷反應(yīng)
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
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