【正文】 ISFET是用來測量溶液（或體液）中的離子活度（即指溶液中真正參加化學(xué)反應(yīng)或離子交換作用的離子有效濃度）的微型固態(tài)電化學(xué)敏感器件。據(jù)此可測定 H2的濃度。 氣敏傳感器 表 61 常見半導(dǎo)體氣敏元件的分類 主要物理特性 類 型 檢測氣體 氣敏元件 電 阻 型 電 阻 表面控制型 可燃性氣體 SnO ZnO等燒結(jié)體、薄膜、厚膜 體控制型 酒精 可燃性氣體 氧氣 氧化鎂、 SnO2 氧化鈦（燒結(jié)體） TFe2O3 非 電 阻 型 二極管整流特性 表面控制型 氫氣 一氧化碳 酒精 鉑 — 硫化鎘 鉑 — 氧化鈦 金 屬 — 半導(dǎo)體結(jié)型二極管 晶體管特性 氫氣、硫 化氫 鉑柵、鈀柵 MOS場效應(yīng)管 半導(dǎo)體氣敏傳感器類型及結(jié)構(gòu) 電阻型 1 ?半導(dǎo)體氣敏傳感器是利用氣體在半導(dǎo)體表面的氧化和還原反應(yīng)導(dǎo)致敏感元件阻值變化而制成的。 涂覆膜型 2 半導(dǎo)體及陶瓷濕敏傳感器 ? 利用三氧化二鋁做電介質(zhì)構(gòu)成電容器，由于多孔的三氧化二鋁薄膜易于吸收空氣中的水蒸汽，從而改變了其本身的介電常數(shù)， 這樣電容器的電容值就會(huì)隨著空氣中水蒸汽分壓而變化 ，從而可以測量出空氣的相對濕度。靈敏度是特性曲線的斜率。 ?設(shè)在某一基準(zhǔn)溫度 T0時(shí)，恒流源輸出電流為 I，霍爾元件 的控制電流為 IH0，霍爾元件的內(nèi)阻為 R0，補(bǔ)償電阻 r0上流過的電流為 I0，根據(jù)上圖可得 恒流源供電 1 0000HrIIRr? ?0 0 0H H HU K I B? ? ? (67) (68) 霍爾元件基本特性 當(dāng)溫度上升△ T達(dá)到溫度 T時(shí)， 霍爾元件的內(nèi)阻為 R=R0(1+β△ T)， 補(bǔ)償電阻的阻值為 r=r0(1+δ△ T)， ?、 ?分別為霍爾元件內(nèi)阻、補(bǔ)償電阻的溫度系數(shù) HrIIRr? ?0 ( 1 )H H H H HU K I B K T I B?? ? ? ? ? ? ? ?(69) (610) 00rR? ? ?????對上式進(jìn)行整理，并忽略 (ΔT)2 項(xiàng)可得 (611) 霍爾元件基本特性 由于霍爾元件靈敏度溫度系數(shù) ?、補(bǔ)償電阻溫度系數(shù) ?比霍爾元件內(nèi)阻溫度系數(shù) ?小得多，即： ????， ????，于是式（ 611）可以簡化為： 00rR??? (612) 由式（ 612）可見，當(dāng)霍爾元件選定后，通過查元件的參數(shù)表 可得到 ?、 ?、 R0，從而可以確定補(bǔ)償電阻 r的阻值。 c、 d兩根霍爾輸出引線，其焊接處稱為霍爾電極（要求歐姆接觸）。 ?它的應(yīng)用可以分為 直接應(yīng)用 和 間接應(yīng)用 兩類，前者包括測量磁場強(qiáng)度的各種磁場計(jì)，如地磁的測量、磁帶和磁盤信號的讀出、漏磁探傷、磁控設(shè)備等；后者是指利用磁場作為媒介來探測非磁信號，如無接觸開關(guān)、無觸點(diǎn)電位器等等。根據(jù) A、 B兩點(diǎn)電位的高低，判斷應(yīng)在某一橋臂上并聯(lián)一定的電阻 。本征區(qū) I的一面磨成光滑表面（ I區(qū) ），另一面打毛，設(shè)置成 r區(qū) ，因?yàn)殡娮?— 空穴對易于在粗糙表面復(fù)合而消失。 5%，但其耐熱性差，不能用于露點(diǎn)以下測量，器件性能重復(fù)性不理想，使用壽命短。 高分子聚合物濕敏傳感器 高分子聚合物薄膜濕敏元件是一類比較理想的濕敏元件。 厚膜型 c 半導(dǎo)體氣敏傳感器類型及結(jié)構(gòu) 這種工藝制成的元件機(jī)械強(qiáng)度高，一致性好，適于大批量生產(chǎn)。 半導(dǎo)體色敏傳感器的基本特征 表示半導(dǎo)體色敏器件所能檢測的波長范圍。 特點(diǎn) 應(yīng)用 阻抗 優(yōu)勢 全固態(tài)化結(jié)構(gòu) 易于 集成 無機(jī)離子檢測 環(huán)境 保護(hù) 其他 方面 響應(yīng)速度快 ISFET的特點(diǎn)和應(yīng)用 。正是由于這一特性使得這種器件可以用于顏色的識別，也就是可以用來測量