【正文】 ,b所示a 控制角為0 b 控制角為60 帶阻性負(fù)載三相橋式全控整流電路仿真結(jié)果帶電阻電感負(fù)載的仿真與帶純電阻負(fù)載的仿真方法基本相同,只需將RLC串聯(lián)分支設(shè)置為電阻電感性負(fù)載,即負(fù)載參數(shù)設(shè)置為R=1,L=,b所示.a 控制角為0 b 控制角為60 帶感性負(fù)載三相橋式全控整流電路仿真結(jié)果6 結(jié) 語本課題設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了用數(shù)字觸發(fā)晶閘管的電路,并保證在一個(gè)周期內(nèi)準(zhǔn)時(shí)發(fā)出六個(gè)脈沖分別觸發(fā)六個(gè)SCR, 對于電路帶純電阻性負(fù)載時(shí)的工作情況,驗(yàn)證了當(dāng)觸發(fā)角0≤α≤60176。(2)關(guān)斷過電壓:全控型器件關(guān)斷時(shí),正向電流迅速降低而由線路電感在器件兩端感應(yīng)出的過電壓。來自主CUP的數(shù)據(jù)在O一191之間,用它來表示電壓百分?jǐn)?shù),其分辨率不大于1%,表示a其分辨率不大于1。為： Id=(Ud—E)/R3 系統(tǒng)硬軟件設(shè)計(jì) 硬件設(shè)計(jì) 電路框圖美國德州Cygnal公司推出的一種混合信號SOC型8位單片機(jī)C805F1單片機(jī)是完全集成的混合信號系統(tǒng)級芯片(SCO),具有與8051兼容的高速CIP一51內(nèi)核,與MCS一51指令集完全兼容,片內(nèi)集成了數(shù)據(jù)采集和控制系統(tǒng)中常用的模擬、數(shù)字外設(shè)及其他功能部件。 ud一周期脈動6次，每次脈動的波形都一樣，所以三相全橋電路稱為6脈波整流電路；216。目前，有一些場合使用這種方式來觸發(fā)SCR，如高壓直流輸電(HVDC)。1 課題簡介晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。三相橋式可控整流電路的設(shè)計(jì)指使用電力電子器件對三相電能進(jìn)行變換和控制的技術(shù)。這種方式可以保證控制電路和主電路之間有良好的絕緣。 需保證同時(shí)導(dǎo)通的2個(gè)晶閘管均有脈沖(采用兩種方法：一種是寬脈沖觸發(fā)(大于60)；216。內(nèi)置FLASH程序存儲器、內(nèi)部RAM,大部分器件內(nèi)部還有位于外部數(shù)據(jù)存儲器空間的RAM,即XRAM。8031收到數(shù)據(jù)后,若ODH=0則應(yīng)根據(jù)各電路形式標(biāo)志,查表取得對應(yīng)的a值,然后將其轉(zhuǎn)換成r并算出其y值,再將r轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的定時(shí)脈沖個(gè)數(shù)Ar。 過電流的保護(hù)過電流分為過載和短路兩種情況1)常用措施(1)快速熔斷器、直流快速開關(guān)和過流繼電器,同時(shí)采用幾種過電流保護(hù)措施,提高可靠性和合理性。時(shí),負(fù)載電流是連續(xù)的。晶閘管、負(fù)載參數(shù)同上。2)內(nèi)因過電壓:主要來自電力電子裝置內(nèi)部器件的開關(guān)過程(1)換相過電壓:晶閘管或與全控型器件反并聯(lián)的二極管在換相結(jié)束后不能立刻恢復(fù)阻斷,因而有較大的反向電流流過,當(dāng)恢復(fù)了阻斷能力時(shí),該反向電流急劇減小,會由線路電感在器件兩端感應(yīng)出過電壓。命令E7表示來自主CUP的數(shù)據(jù)代表a,命令F8表示來自主機(jī)的數(shù)據(jù)為晶閘管設(shè)備輸出電壓的百分?jǐn)?shù),收到FF8后8031對內(nèi)部RMA的第OHD位進(jìn)行置位或清零,為以后的操作保存依據(jù)。時(shí)有所不同，接反電勢電感性負(fù)載時(shí)的工。 對觸發(fā)脈沖的要求：l 按VT1一VT2一VT3一VT4一VT5一VT6的順序，相位依次差60；l 共陰極組VTVTVT5的脈沖依次差120，共陽極組VTVTVT2也依次差120；l 同一相的上下兩個(gè)橋臂，即VT1與VT4，VT3，與VT6，VT5與VT2，脈沖相差180；216。(一般通過減小EA，直至EA0來實(shí)現(xiàn))晶閘管的幾種導(dǎo)通方式：(1) 正常觸發(fā)導(dǎo)通：UAK0，同時(shí)UGK0；(2) 陽極電壓作用：當(dāng)UAK上升至某個(gè)大數(shù)值，使V2的漏電流由于雪崩效應(yīng)而加大，同時(shí)由于正反饋而使漏電流放大，最終使SCR飽和導(dǎo)通；(3) dU/dt作用：如果UAK以高速率上升，則在中間結(jié)電容上產(chǎn)生的電流可以引起導(dǎo)通；(4) 溫度作用：溫度上升，V1，V2的漏電流加大，引起SCR導(dǎo)通；(5) 光觸發(fā)：當(dāng)強(qiáng)光直接照射在硅片上，產(chǎn)生電子空穴對，在電場的作用，產(chǎn)生觸發(fā)SCR的電流。本文主要介紹三相橋式全