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托卡馬克加熱(nbi)運(yùn)用介紹(專業(yè)版)

2025-08-10 13:09上一頁面

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【正文】 問題:? (在等離子體密度、粒子溫度足夠高(高),自舉電流的水平才足夠大;在建立高 等離子體之前,仍然需要其他電流驅(qū)動。 更為嚴(yán)格的推導(dǎo)結(jié)果為:237。 2 MWCoaxial linesImpurity Alfv233。122180。237。電子回旋電流驅(qū)動的優(yōu)點(diǎn) 由于采用回旋共振方式,可以在局部空間驅(qū)動電流,控制等離子體電流徑向分布,抑制特定磁面上的MHD不穩(wěn)定性(如:在q=2的磁面上驅(qū)動電流,可以抑制m=2的撕裂模――tearing mode)(3) RF波電流驅(qū)動237。(b)NBI驅(qū)動電流與電子溫度的關(guān)系(c)NBI驅(qū)動電流的優(yōu)點(diǎn) 237。(2) 磁梯度力――環(huán)內(nèi)側(cè)的磁場強(qiáng)度大于外部,帶電粒子受向外的磁驅(qū)動力。 FNNBI技術(shù)相對復(fù)雜,效率低,成本高產(chǎn)生區(qū):高能電子、低能電子需要隔離;引出區(qū):負(fù)離子、電子需要控制,采用橫向磁場阻擋電子,僅引出負(fù)離子。―――――――――――――――――――――――――――――解決方法:采用負(fù)離子+中性化方法。在紋波度大的環(huán)向磁場中,俘獲快離子引起紋波擴(kuò)散,碰撞濺射托卡馬克壁,造成雜質(zhì)污染。所以,需要在離子進(jìn)入托卡馬克前,將離子束中性化――中性束。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)等離子體環(huán)向旋轉(zhuǎn)可以觸發(fā)LH約束模式轉(zhuǎn)變(有益!),所以一般采用單向平行注入。)(上圖:負(fù)離子源中電子溫度的軸向分布)(2)在表面產(chǎn)生負(fù)離子:原子從涂敷銫壁上碰撞彈開時(shí),產(chǎn)生負(fù)離子。F近年進(jìn)展:EAST裝置輔助加熱系統(tǒng)”是國家“十二五”大科學(xué)工程,2010年7月正式立項(xiàng)。n磁場旋轉(zhuǎn)方法――在托克馬克中產(chǎn)生沿環(huán)向的電流由此產(chǎn)生小環(huán)向磁場――托卡馬克磁位形。V⊥先通過回旋共振得到加速,V⊥的增加量大。237。(4) 低雜波(Low Hybrid Wave,LHW)電流驅(qū)動237。 237。240。237。――――――――――――――――――――――――――――――――――(9) 加熱、非感性(non inductive)電流驅(qū)動、自舉電流之間的關(guān)系電磁波和beam加熱提高了plasma溫度,電流驅(qū)動效率提高。自舉電流的重要性 =由環(huán)形磁原理已經(jīng)知道,托卡馬克的環(huán)向電流是必須的;=但采用變壓器感應(yīng)方法驅(qū)動電流,不能達(dá)到聚變反應(yīng)區(qū);=采用非感應(yīng)電流驅(qū)動,需要準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)的高能量外部能源,也不滿足self-sustaining建堆模式;=等離子體密度增加至聚變反應(yīng)的密度區(qū),非感應(yīng)電流驅(qū)動效率下降。俘獲粒子在反射點(diǎn)之間來回反射,對多個俘獲粒子而言,俘獲粒子的極向電流為零可以得到環(huán)向電流:(224。Suppression of instabilitiesGyrotronP 163。 為了滿足同時(shí)滿足低雜波傳播條件和加速超熱電子條件,要求低雜波發(fā)射系統(tǒng)具有波長調(diào)節(jié)(參見不同裝置中平行波長)能力,采用開端波導(dǎo)陣列(grill)控制實(shí)現(xiàn)(如下圖所示)結(jié)構(gòu)。在非感性電流驅(qū)動技術(shù)中,也可以采用FW驅(qū)動電流,其原理為:快波斜入射進(jìn)入托卡馬克,波的平行(大環(huán)方向,平行于縱場)相速度與電子沿大環(huán)方向的熱速度相近時(shí),快波可以通過兩種方式加速電子:電子受到環(huán)向朗道加熱(電子與環(huán)向快波電場作用)和瞬態(tài)磁泵浦(transit time magnetic pumping,TTMP,電子與環(huán)向快波磁場作用)加速。具體實(shí)施方法:先通過低雜波驅(qū)動電流(電子流),在加上ECW電流驅(qū)動。可以在高密度托卡馬克等離子體中驅(qū)動電流原因:在托卡馬克運(yùn)行趨于能量平衡、自持運(yùn)行、建堆發(fā)電的過程中,需要增加等離子體密度。粒子的能量遠(yuǎn)高于本底的氘氚離子的能量,其密度則要低很多。采用高電離率的plasma替代熱分子氣體,效率可以進(jìn)一步提高到80%。(4) 托卡馬克的芯部加熱中性加熱要求其能量沉積在托卡馬克芯部,對于大托卡馬克(如ITER),要求中性束到達(dá)芯部,需要提高中性束能量224。在點(diǎn)火、燃燒階段,可以采用D中性束。中性束加熱中的一些問題(1) 中性束原子的選用在開始放電的初始建立階段,等離子體溫度不高,不能產(chǎn)生核反應(yīng),可以用H原子中性束加熱。如果高能離子的約束時(shí)間長,將通過與其他粒子碰撞傳遞能量,自身速度降低(碰撞慢化,slow down)。負(fù)離子中性化方法:不同于正離子電荷交換方法;具體方法為:負(fù)離子和熱分子氣體作用,將負(fù)離子的電子剝離,剝離效率高達(dá)60%。脈沖寬度: 1001000S 粒子加熱(簡單介紹) 在有D、T聚變反應(yīng)[D + T → 4He() + n()]的托卡馬克裝置中,帶電離子中有高能的粒子。 237。電子回旋電流驅(qū)動效率 (a) 如上面所述:如果電子在合適的方向(低場注入時(shí),電子順著波傳播方向運(yùn)動)的電子數(shù)目多,ECCD效率高。BK在RF加熱中,根據(jù)傳播方向的不同,磁化等離子體中的波分為快、慢分支,采用RF快波進(jìn)行加熱。 在滿足上面的低雜波傳播條件下,希望控制波的平行折射率n//,使低雜波的平行相速度與電子平行熱速度滿足:V//p≈ several V//e (電子加熱條件)CCC 此時(shí),低雜波有效地加速超熱電子,獲得更大效率的電子電流驅(qū)動。wce)28170 GHzHeat of ElectronsCurrent drive。232。―――――――――――――――――――――――――――――――237。同時(shí),
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