【正文】 有時候覺得自己像個神經(jīng)病。三片式：用三個DMD裝置。 ③功耗低，顯示板功耗幾十μW/cm2，采用的背光源是10 mW/cm2左右，可用電池長時間供電。⑶擦除信息時，如圖所示，用原來的寫入光束掃描信息道，并施加與初始方向相同的偏置磁場，則記錄單元的磁化方向又會回復原狀。⑵信息的讀出 用低功率密度、短脈寬的激光掃描信息道，從反射率的大小辨別寫入的信息。存儲壽命長。復位正脈沖過去后FD區(qū)與RD區(qū)呈夾斷狀態(tài)，F(xiàn)D區(qū)具有一定的浮置電位。在t1時刻，φ1高電位，φφ3低電位。原因：靶面光電導張弛過程和電容電荷釋放惰性。但極間電壓高，有時電子可能越級穿過，從而，收集率較低，渡越時間離散較大。試計算：1.。2DU光電二極管增設環(huán)極的目的是為了減少暗電流和噪聲。W1,，用于f=5x103Hz的光電儀器中，它能探測的最小輻射功率為多少？ ？熱釋電探測器為什么只能探測調(diào)制輻射？ 熱電晶體的自發(fā)極化矢量隨溫度變化，從而使入射光可引起電容器電容改變的現(xiàn)象成為熱釋電效應。光電池、光電二極管、雙光電二極管，光電三極管、光電場效應管、光電開關管、光電雪崩二極管某些金屬或半導體受到光照時，物質(zhì)中的電子由于吸收了光子的能量，致使電子逸出物質(zhì)表面，這種現(xiàn)象稱為光電發(fā)射效應，又稱外光電效應。當光束通過有超聲波的介質(zhì)后就會產(chǎn)生衍射現(xiàn)象，這就是聲光效應。K。根本區(qū)別在于：前者是物理（或客觀）的計量方法，稱為輻射度量學計量方法或輻射度參數(shù)，它適用于整個電磁輻射譜區(qū)，對輻射量進行物理的計量；后者是生理（或主觀）的計量方法，是以人眼所能看見的光對大腦的刺激程度來對光進行計算，稱為光度參數(shù)。但存在波長(頻率)的抖動。法拉第效應：光波通過磁光介質(zhì)、平行于磁場方向傳播時，線偏振光的偏振面發(fā)生旋轉(zhuǎn)的現(xiàn)象。光譜特性決定于光電器件的材料。、短路電流與光照度的關系。2，探測靈敏度比較高；3，內(nèi)量子效率較高；4，響應速度快；5，可靠性高；6，PIN管能低噪聲工作。當入射光是非均勻的或是一個光斑時，其輸出與光的能量中心有關。 (c)設計前置放大電路，使輸出的信號電壓為200mV,求放大器的有關參數(shù)，并畫出原理圖（a）如圖（b）陰極電流：Ik=SkΦ= =41010A 倍增系統(tǒng)的放大倍數(shù):M==ε0(σε)11 =()11 陽極電流：Ip=MIk=936 μA（c），為什么還要限制其陽極輸出電流小于50~100μA范圍內(nèi)？問其陰極面上最大允許的光通量為多少流明？ 因為陽極電流過大會加速光電倍增管的疲勞與老化。如果MOS結(jié)構(gòu)中的半導體是P型硅，當在金屬電極（稱為柵）上加一個正的階梯電壓時（襯底接地），SiSiO2界面處的電勢（稱為表面勢或界面勢）發(fā)生相應變化，附近的P型硅中多數(shù)載流子——空穴被排斥，形成所謂耗盡層，如果柵電壓VG超過MOS晶體管的開啟電壓，則在SiSiO2界面處形成深度耗盡狀態(tài)，由于電子在那里的勢能較低，我們可以形象化地說：半導體表面形成了電子的勢阱，可以用來存儲電子。此時φ1下的勢阱逐漸變淺，使φ1下的剩余電荷繼續(xù)向φ2下的勢阱中轉(zhuǎn)移。據(jù)此特點，對CCD的輸出信號進行處理時，較多地采用了取樣技術(shù)，以去除浮置電平、復位高脈沖及抑制噪聲。⑵一次寫入多次讀出光盤（write once read many，WORM） 這種光盤具有寫、讀兩種功能，寫入數(shù)據(jù)后不可擦除。在此過程中，光誘導缺陷中心可以成為新的成核中心，因此激光作用使成核速率、生長速度大大增加，從而導致激光熱晶化壁單純熱晶化的速率要高。？持續(xù)光譜燒孔和三維光信息存儲、電子俘獲光存儲技術(shù)、全息信息存儲、光致變色存儲。 ③有存儲特性，使得在大屏幕顯示時能得到較高的亮度，因而制作高分辨率大型PDP成為可能。雙片式：用兩個DMD裝置。你必須努力，當有一天驀然回首時，你的回憶里才會多一些色彩斑斕，少一些蒼白無力。 DLP系統(tǒng)可靠性很高，壽命長。數(shù)字圖像信號控制微鏡的開或關，調(diào)制入射光在屏幕上形成精確的數(shù)字圖像。入射光就透過下偏振片，呈現(xiàn)亮場。在寫入信息時，磁光讀寫頭的脈沖激光聚焦在介質(zhì)表面，光照微斑因升溫而迅速退磁，此時通過讀寫頭中的線圈施加一反偏磁場，就可使光照區(qū)微斑反向磁化，如圖所示，而無光照的相鄰磁疇磁化方向仍將保持原來的方向，從而實現(xiàn)磁化方向相反的反差記錄。近紅外波段的激光作用在介質(zhì)上，能加劇介質(zhì)網(wǎng)絡中原子、分子的振動，從而加速相變的進行。亮度很低的可見光圖像或者人眼不可見的光學圖像經(jīng)光電陰極轉(zhuǎn)換成電子圖像；電子光學系統(tǒng)將電子圖像聚焦成像在熒光屏上，并使光電子獲得能量增強；熒光屏再將入射到其上的電子圖像轉(zhuǎn)換為可見光圖像。輸出結(jié)構(gòu)包括輸出柵OG、浮置擴散區(qū)FD、復位柵R、復位漏RD以及輸出場效應管T等。因此，電荷耦合器件必須工作在瞬態(tài)和深度耗盡狀態(tài)，才能存儲電荷。極限分辨率和調(diào)制傳遞函數(shù)（MTF） 極限分辨率：人眼能分辨的最細條數(shù)。3）光電子通過電子加速和電子光學系統(tǒng)聚焦入射到第一倍增極D1上，倍增極將發(fā)射出比入射電子數(shù)目更多的二次電子，入射電子經(jīng)N級倍增極倍增后光電子就放大N次方倍。同時，由于I層的電阻率很高，故能承受很高的電壓，I層電場很強，對少數(shù)載流子漂移運動起加速作用，雖然