【摘要】第10章電力電子技術(shù)的應(yīng)用晶閘管直流電動機(jī)系統(tǒng)變頻器和交流調(diào)速系統(tǒng)不間斷電源開關(guān)電源功率因數(shù)校正技術(shù)電力電子技術(shù)在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用電力電子技術(shù)的其他應(yīng)用
2025-04-30 02:29
【摘要】第一章電路的基本概念和基本定律,各元件電壓為U1=-5V,U2=2V,U3=U4=-3V,指出哪些元件是電源,哪些元件是負(fù)載?解:元件上電壓和電流為關(guān)聯(lián)參考方向時(shí),P=UI;電壓和電流為非關(guān)聯(lián)參考方向時(shí),P=UI。P0時(shí)元件吸收功率是負(fù)載,P0時(shí),元件釋放功率,是電源。本題中元件1、2、4上電壓和電流為非關(guān)聯(lián)參考方向,元件3上電壓和電流為關(guān)聯(lián)參考方向,
2025-06-18 13:44
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在
2025-10-26 06:14
【摘要】第一章復(fù)習(xí)題?答:當(dāng)晶閘管承受正向電壓時(shí),僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能導(dǎo)通。2.維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?答:(1)維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流,即維持電流。(2)若要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,只能利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下,即降到維持電流以下,便可使
2025-06-18 13:42
【摘要】習(xí)題11.設(shè)在半徑為Rc的圓盤中心法線上,距盤圓中心為l0處有一個(gè)輻射強(qiáng)度為Ie的點(diǎn)源S,如圖所示。試計(jì)算該點(diǎn)源發(fā)射到盤圓的輻射功率。l0SRc第1題圖,LeDAsDAcl0qsqc第2題圖2.如圖所示,設(shè)小面源的面積為DAs,輻射亮度為Le,面源法線與l0的夾角為qs;被照面的面積
2025-06-18 20:47
【摘要】2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓而不被擊穿。2-2.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正
2025-04-17 07:00