【正文】 DLP 工作在順序顏色模式，利用視覺暫留作用。 ②顯示質(zhì)量好，灰階可超過 256 級，色彩豐富，分辨率高，響應(yīng)快，響應(yīng)時(shí)間僅數(shù) ms。這種記錄方式叫居里點(diǎn)寫入。選用中等功率密度、較寬脈沖的激光，使光斑微區(qū)因介質(zhì)溫度升至接近 mT 處，再通過成核－生長完成晶化。這種光盤制造工藝簡單，成本低，價(jià)格便宜，其普及率和市場占有率最高。；在輸出信號(hào)中 疊加有復(fù)位期間的高電平脈沖。 t3時(shí)刻， φ2仍為高電位，φ3 仍為低電位，而 φ1 由高到低轉(zhuǎn)變。正如其它電容器一樣， MOS電容器能夠存儲(chǔ)電荷。39。與象限探測器相比， PSD 的優(yōu)點(diǎn)有：對光斑的形狀無嚴(yán)格要求；光敏面上無象限分隔線，對光斑位置可進(jìn)行連續(xù)測量，位置分辨率高 ，可同時(shí)檢測位置和光強(qiáng)。 工作原理：當(dāng)光電二極管 的 PN 結(jié)上加相當(dāng)大的反向偏壓時(shí)，在耗盡層內(nèi)將產(chǎn)生一個(gè)很高的電場，它足以使在該強(qiáng)電場區(qū)產(chǎn)生和漂移的光生載流子獲得充分的動(dòng)能，電子空穴與晶格原子碰撞，將產(chǎn)生新的電子空穴對。為什么光電池的輸出與所接的負(fù)載有關(guān)系？ （ 1）工作原理 光電池是一個(gè)簡單得 PN 結(jié)。應(yīng)盡量使所選的光電器件的光譜特性與光源的光譜分布較接近。 電路磁場方向在 YIG 棒軸向，控制高頻線圈電流， 改變軸向信號(hào)磁場強(qiáng)度，就可控制光的振動(dòng)面的旋轉(zhuǎn)角，使通過的光振幅隨角的變化而變化，從而實(shí)現(xiàn)光強(qiáng)調(diào) 制。 LD、 LED 外調(diào)制：調(diào)制系統(tǒng)比較復(fù)雜、消光比高 、插損較大、驅(qū)動(dòng)電壓較高、難以與光源集成、偏振敏感、損耗大、而且造價(jià)也高 。 若激光束投射在 10m 遠(yuǎn)的白色漫反射屏上，該漫反射屏的發(fā)射比為 ，求該屏上的光亮度。 Φ =L*4π R^2=30*4**^2= 一支氦 氖激光器（波長為 ）發(fā)出激光的功率為 2mW。 光輻射的調(diào)制方法有內(nèi)調(diào)制和外調(diào)制。 說明利用法拉第電磁旋光效應(yīng)進(jìn)行磁光強(qiáng)度調(diào)制的原理。 什么是光電器件的光譜特性？了解它有何重要性？ 光電器件對功率相同而波長不同的入射光的響應(yīng)不同，即產(chǎn)生的光電流不同。 G 光 =G 亮 G 暗 =1/501/5000=（ s）該樣品的光電導(dǎo)即為所求。特點(diǎn)：頻帶寬，線性輸出范圍寬。要求光照大于 200lx 時(shí)繼電器 J 吸合。 (a)畫出具有 11 級倍增極，負(fù)高壓 1200V 供電，均勻分壓的光電倍增管的工作原理，分別寫出各部分名稱及標(biāo)出 Ik， Ip 和 Ib 的方向。 以雙列兩相表面溝道 CCD 為例，簡述 CCD 電荷產(chǎn)生、存儲(chǔ)、轉(zhuǎn)移、輸出的基本原理。此時(shí) φ1 電極下的表面勢最大，勢阱最深。之后， φ3轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娢唬?φ3下面的電荷包通過 OG 下的溝道轉(zhuǎn)移到 FD 區(qū)。信息的信噪比高。一般介質(zhì)處在玻璃態(tài)（即寫入態(tài)）時(shí)反射率小，處在晶態(tài)（即擦除態(tài)）時(shí)反射率大。 對于稀土－鐵合金磁光介質(zhì)，其寫、讀、擦原理與補(bǔ)償點(diǎn)記錄方式一樣，所不同的是，這類介質(zhì)有一個(gè)居里點(diǎn) cT 。 ④采用彩色濾色器，易實(shí)現(xiàn)彩色顯示。每個(gè) DMD 分別用 RGB 數(shù)據(jù)控制。 技術(shù) 優(yōu)越： 完全的數(shù)字化顯示，這是獨(dú)有的特色。 ⑤制造工藝簡單，投資小。 入射光經(jīng)過上偏振片變?yōu)榫€偏振光，液晶盒未加電時(shí)，光偏振面將順著液晶分子扭曲方向旋轉(zhuǎn)。 如圖 914，目前磁光薄膜的記錄方式有補(bǔ)償點(diǎn)記錄和居里點(diǎn)記錄兩類，前者以稀土－鈷合金為主，后者則多為稀土－鐵合金。 ⑷直接重寫光盤（ overwrite， OW） 這種光盤上實(shí)現(xiàn)的功能與可擦重寫重寫光盤一樣，所不同的是，這類光盤可用同一束激光、通過一次動(dòng)作就擦除掉舊信息并錄入新信息。 SH：轉(zhuǎn)移柵控制光生 電荷向 CCDA 或 CCDB 轉(zhuǎn)移。當(dāng)經(jīng)過一個(gè)時(shí)鐘周期 T 后，電荷包將向右轉(zhuǎn)移三個(gè)電極位置，即一個(gè)柵周期（也稱一位）。隨著電子來到勢阱中，表面勢將降低，耗盡層將減薄，我們把這個(gè)過程描述為電子逐漸填充勢阱。若各級的電子收集效率為 1，問各倍增極的平均倍增系數(shù)為多少？ 現(xiàn)有 GDB423 型光電倍增管的光電陰極面積為 2cm178。 1）光子透過入射窗口入射在光電陰極 K 上。特性：靈敏度高，響應(yīng)速度快； PIN 光電二極管因由較厚的 i 層，因此 pn 結(jié)的內(nèi)電場就基本上全集中于 i 層中，使 pn結(jié)的結(jié)間距離拉大，結(jié)電容變小，由于工作在反偏，隨著反偏電壓的增大，結(jié)電容變的更小，從而提高了 pn 光電二極管的頻率響應(yīng)。在內(nèi)電場的作用下，空穴移向 P 區(qū)，電子移向 N 區(qū)，使 N 區(qū)聚集大量的電子而帶上負(fù)電，在 P區(qū)聚集大量的空穴而帶上正電。 pn 結(jié)必須在反向偏壓的狀態(tài)下，有明顯的光電效應(yīng)產(chǎn)生，這是因?yàn)?pn 結(jié)在反偏電壓下產(chǎn)生的電流要飽和，所以光照增加時(shí)，得到的光生電流就會(huì)明顯增加。 光電效應(yīng)有哪幾種？各有哪些光電器件？ 物質(zhì)在光的作用下釋放出電子的現(xiàn)象稱為光電效應(yīng)。畫出橫向電光調(diào)制的裝置圖，說明其中各個(gè)器件的作用。39。因?yàn)楣舛葏?shù)只適用于 ~ 的可見光譜區(qū)域，是對光強(qiáng)度的主觀評價(jià)，超過這個(gè)譜區(qū)，光度參數(shù)沒有任何意義。試用普朗克熱輻射公式導(dǎo)出 常數(shù)?Tm? 式這一關(guān)系式稱為維恩位移定律中，常數(shù)為 。當(dāng)光束通過有超聲波的介質(zhì)后就會(huì)產(chǎn)生衍射現(xiàn)象，這就是聲光效應(yīng)。光電池、光電二極管、雙光電二極管，光電三極管、光電場效應(yīng)管、光電開關(guān)管、光電雪崩二極管 某些金屬或半導(dǎo)體受到光照時(shí)，物質(zhì)中的電子由于吸收了光子的能量，致使電子逸出物質(zhì)表面，這種現(xiàn)象稱為光電 發(fā)射效應(yīng)，又稱外光電效應(yīng)。W 1,探測器光敏器的直徑為 ，用于 f=5x103Hz 的光電儀器中，它能探測的最小輻射功率為多少？ 應(yīng)怎樣理解熱釋電效應(yīng)？熱釋電探測器為什么只能探測調(diào)制輻射？ 熱電晶體的自發(fā)極化矢量隨溫度變化，從而使入射光可引起電容器電容改變的現(xiàn)象成為熱釋電效應(yīng)。 2DU 光電二極管增設(shè)環(huán)極的目的是為了減少暗電流和噪聲。試計(jì)算： 1. 用光電三極 管 3DU12 探測交變信號(hào)。但極間電壓高，有時(shí)電子可能越級穿過，從而，收集率較低，渡越時(shí)間離散較大。 MTF：能客觀地表示器件對不同空間頻率目標(biāo)的傳遞能力。每相隔兩個(gè)柵的柵電極連接到同一驅(qū)動(dòng)信號(hào)上，亦稱時(shí)鐘脈沖。在 φ3為高電位期間，電荷包存儲(chǔ)在 φ3電極下面。 光盤記錄有什么優(yōu)點(diǎn)？ 存儲(chǔ)密度高。 ⑴信息的記錄 對應(yīng)介質(zhì)從晶態(tài) C 向玻璃態(tài) G 的轉(zhuǎn)變。反之，若光掃描到磁化方向向下的微斑，反射光