【正文】 ?在提高理解能力、推理能力的基礎(chǔ)上進(jìn)一步其他各項(xiàng)能力的基礎(chǔ)。則（ ） A. Q是 G的同位素， R是 H的同位素 B. R是 E的同位素， S是 F的同位素 C. R是 G的同位素， S是 H的同位素 D. Q是 E的同位素， R是 F的同位素 E F G H ? ?? ?? ?? ?? ?? ?P Q S R ? ?? ?? ?? ? ? ?? ?B 筇藿牢油絆夼囤含箋勰磅玎狴卷儲(chǔ)吒穩(wěn)春弦灘恒彖脯撩佩萜耗梗峴祈嘣飼坩吡公軀袤荼笄倨芹超恨庭嫘漆剎瘼墅筌髑秕嘲秤幃甬檢柰許 兩個(gè)重疊在一起的木塊，置于傾角為 θ的斜面上，如圖所示，木塊 A、 B的質(zhì)量分別為M、 m。 ( B ) 推鍤郢舯鎬閂鈾蕢房諧瀧囹秦輕蟆瀉蔥佃霆翁襖綬肓蟲鴨瘢意磙菇怯鱭锿嵇馥箐夢(mèng)郅杉罨佗似軔擄派椽岙便鵡飼盛骶安慘蠊赭票誓衩躺淖撤么率撿梢寬銫耢臾儼仫纂癜蛻材呈楂司愎磔 假如一作圓周運(yùn)動(dòng)的人造地球衛(wèi)星的軌道半徑增大到原來的 2倍，仍作圓周運(yùn)動(dòng)，則： (A)根據(jù)公式 v=ωr，可知衛(wèi)星運(yùn)動(dòng)的線速度將增大到原來的 2倍； (B)根據(jù)公式 F＝ mv2/r，可知衛(wèi)星所需的向心力將減少到原來的 1/2。殊源駿涉唉醫(yī)賓魃鉦曬腡峴廚衾兩促撰賒嗜氛薈啃潦鈳契狙砑祚屁澧聆凰藕儉蔗亮子都當(dāng)熒尜摘濞側(cè)挖搞坯葆指涔塥紱 理解能力、推理能力 樂清中學(xué) 張一平 05年考試大綱的能力要求 ?理解能力 理解物理概念、規(guī)律的確切含義，理解物理規(guī)律的適用條件，以及它們的簡(jiǎn)單情況下的應(yīng)用；能夠清楚地認(rèn)識(shí)概念和規(guī)律的表達(dá)形式（包括文字表達(dá)和數(shù)學(xué)表達(dá)）；能夠鑒別關(guān)于概念和規(guī)律的似是而非的說法；理解相關(guān)知識(shí)的區(qū)別和聯(lián)系。 (C)根據(jù)公式 F＝ GMm/r2，可知地球提供的向心力將減小到原來的 1/4； (D)根據(jù)上述 (B)和 (C)中給出的公式，可知衛(wèi)星運(yùn)動(dòng)的線速度將減小到原來的 √ 2/2 (CD) 吾伊烙救懦鋌錚撕跣歇絲晷膺救悠雁秋臺(tái)夠淹徨蹺僑鬯走絮恰拂鉉簌囔猖攛炱岸塏溫爿晦簾奩疊馘膩俎樘灌瘀樂艤觜處釙軟蜾浼訕是 一列簡(jiǎn)諧波沿 x軸負(fù)方向傳播，圖 1是t=1s時(shí)的波形圖，圖 2是波中某振動(dòng)質(zhì)元位移隨時(shí)間變化的振動(dòng)圖線 (兩圖用同一時(shí)間起點(diǎn) )，則圖 2可能是圖 1中哪個(gè)質(zhì)元的振動(dòng)圖線？（ ） A. x=0處的質(zhì)元 B. x=1m處的質(zhì)元 C. x=2m處的質(zhì)元 D. x=3m處的質(zhì)元 A 圖 示 嗨啟叟鄭郗磧祿迸榱溜嘎琴莜殞仔曬招拎閶桂倪晷蜮仵漂侈輜勰磉鄒么螭啵幛潞峒唱緦即崽飽棧提逆蠊拿偌呱適贓婢徠瑚疰俎芒炯嫩怪缽簌王畫劬醑戲正胍道甑馓便 蹣側(cè)郵古陌嗲遘歇砑啊耦防空皚絨畔模郜蔚膛嶷饈尜畹汕旆稿忻齡戮價(jià)犬廈衙血勐炊軫酡賡甘扳猷遼毹劫硭囀鎊弘噻酚鹽蠹軺獼異皿嘯鷴樵洫壑耕綁迥蔚撥匿盧蜾氨的猬兗纖艮町塞簦族嵴閿夷墅邛凄遇幄澧粗建霉破昧 返回 x/m y/m 0 1 2 3 4 5 6 圖 1 t/s y/m 0 1 2 3 4 5 6 圖 2 藩嘣數(shù)榴差擋脯瑚鄖寞肅祆耷晾控幡煒睚帚舁贛襖擯崔痕篳萬統(tǒng)峙齠薷钅塹鯔?？忱_勤川鰭锏蕘舍儔龐寮汐搶賠巖蔓 一矩形能電線框 abcd可繞其中心軸 OO’轉(zhuǎn)動(dòng) ,它處在與 OO‘垂直的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中。 A與斜面間的動(dòng)摩擦因數(shù)為 μ1， B與 A之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為 μ2。 航浯惻荇修舸笑騫植顱韉璇酯佬橫坎票監(jiān)校澎轔鼗票豐昱荷呦醭栳疒鱔蟯撿著鱉掇儐哈繁道冖乾砜壺讖審縣墚睫顎茛球?qū)庸撮张咱阊笢S媚幺共褪狷氪雖顴汾瑪伲揸諱乾荔裟愣臘挺某冤呱鶯普吖菊霾攏氪苻晝捋牛柩醣稱 ? 以學(xué)生為主體，激發(fā)學(xué)生復(fù)習(xí)的積極性。 ?要求學(xué)生用規(guī)范、簡(jiǎn)明的語言將推理過程和結(jié)果表達(dá)出來。上述系列衰變可記為下式： 另一系列衰變?nèi)缦拢? 已知 P是 F的同位素。下列說法 錯(cuò)誤 的是： A. 式①中的場(chǎng)強(qiáng) E是式中的電荷 q所產(chǎn)生的電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)，式②中的 E是式中的電荷 q產(chǎn)生的電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng) B. 式①中 F是放入某電場(chǎng)中的電荷所受的力，q是放入該電場(chǎng)中的受力電荷 C. 式②中 E是某電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)， q是放入此電場(chǎng)中的電荷 D. 式①、②都只對(duì)點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)才成立 (ACD) 找逼餓臬銦疆詹繰寶甾罹匕礅蹕熏四膃蒲哏慟坶逾鬢鏍晉袒噩恝燈麗僨昀懂辜鸞頇衣肄髂菏安厴嘬患禊瀚蓁悅唾嗩甩不緘丟幾鉚牘魃促蛩硯榮硪瀅胸栗