學(xué)時(shí)第三章二極管電路模型和穩(wěn)壓管(專(zhuān)業(yè)版)
【正文】 +RIR+RLIOVOV IIZDZ正常穩(wěn)壓時(shí) VO =VZ 穩(wěn)壓條件是什么？ IZmin ≤ IZ ≤ IZmax 不加 R可以嗎？ 上述電路 vI為正弦波，且幅值大于 VZ ， vO的波形是怎樣的？ v I ? ? t V Z ? ? t v O RL??IO?? IR? ?VO?? IZ? ? IR? VO? 32 變?nèi)荻O管 對(duì)數(shù)坐標(biāo) 在高頻技術(shù)中應(yīng)用較多。 21 i D / m A 1 . 0 0. 5 – 0. 5 – 1 . 0 0. 5 0 v D /V Q 補(bǔ)充： 正向?qū)ǖ暮瘮?shù)表達(dá)為： ))(()( tvgti DD ?設(shè)系統(tǒng)的直流工作點(diǎn) Q為 vD0，在Q附近進(jìn)行 Taylor展開(kāi)： ...!2 )(!1 )()()(20220000DDvvDDDDvvDDDDDvvdvidvvdvdivgvgiDDDD????????vD0 當(dāng)（ vDvD0)在小范圍波動(dòng)時(shí)，上述方程可近似為： )()()( 00000DDDDDvvDDDD vvmivvdvdivgiDD???????iD0 即： )( 00 DDdDD vvgii ??? DdD vgi ???22 二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法 VI 特性的建模 （ 4）小信號(hào)模型 過(guò) Q點(diǎn)的切線(xiàn) 可以等效成一個(gè)微變電阻 dgir 1DDd ???? v即 )1e( /SD D ?? TVIi v根據(jù) 得 Q點(diǎn)處的微變電導(dǎo) QigDDd ddv? QVTTVI /S De v? TVID?dd1gr ?則 DIVT?常溫下（ T=300K） )mA()mV(26DDd IIVr T ??QTViD?DdD vgi ???id vd ？ 23 二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法 VI 特性的建模 （ 4）小信號(hào)模型 ?小信號(hào)模型中研究的是信號(hào)的變化量 ?小信號(hào)模型中的微變電阻 rd與靜態(tài)工作點(diǎn) Q有關(guān)。 勢(shì)壘電容與結(jié)電阻并聯(lián)，它只有在外加電壓改變時(shí)才起作用，特別是外加電壓的頻率越高 CB的作用就越明顯。 (b)面接觸型 (c)平面型 陰極引線(xiàn)陽(yáng)極引線(xiàn)PNP 型支持襯底(4) 二極管的代表符號(hào) ( d ) 代表符號(hào)k 陰極陽(yáng)極 a9 半導(dǎo)體二極管圖片
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