【正文】 ? 128字節(jié) RAM數據存儲器。 4種時序單位中，振蕩周期和機器周期是單片機內計算其他時間值（例如，波特率、定時器的定時時間等）的基本時序單位。 內部振蕩方式： 在引腳 XTAL1和 XTAL2外 接晶體振蕩器（簡稱晶振）如 圖所示。 SP — 堆棧指針 ① 堆棧設在片內 RAM中，每次操作為 8位二進制數 ② 堆棧是向著地址大的方向形成的 ③ 系統(tǒng)復位后， SP=07H DPTR — 數據指針寄存器 主要用于片外數據存儲器的訪問以及在程序存儲器中取常數的操作。 RS1 RS0 選寄存器組 0 0 0組 0 1 1組 1 0 2組 1 1 3組 ? 初始化時或復位時，自動選中 0組。 數據存儲器 —— 存放程序運行中所需要的變量。 ? ALE/PROG： ① ALE 地址鎖存允許。 ALE輸出脈沖的頻率為振蕩頻率的1/6。 從 物理空間 看 ,MCS51有四個存儲器空間： 片內數據存儲器、片內程序存儲器 片外數據存儲器、片外程序存儲器 存儲器地址空間結構： 普林斯頓結構 —— ROM和 RAM在同一地址空間； 哈佛結構 —— ROM和 RAM在不同地址空間； MCS51系列單片機采用哈佛結構。 ? 一旦選中一組，其它三組只能作為數據存儲器使用，而不能作為寄存器使用。 DPTR可分成 DPL和 DPH兩個 8位寄存器分別使用。 XTAL1 XTAL2 GND 8XX51 C01 C02 單片機的時鐘信號用來提供單片機內各種微操作時間基準， 8XX51單片機的時鐘信號通常有兩種電路形式： 內部振蕩方式 和 外部振蕩方式 。 例：單片機外接晶振頻率 12MHZ時的各種時序單位： 振蕩周期 =1/fosc=1/12MHZ= 狀態(tài)周期 =2/fosc=2/12MHZ= 機器周期 =12/fosc=12/12MHZ=1us 指令周期 =(1～ 4)機器周期 =1～ 4us 復位電路 ? 復位操作則使單片機的片內電路初始化，使單片機從一種確定的狀態(tài)開始運行。 ? 兩個 16位定時器 /計數器。 ? 4KB程序存儲器 ROM（視不同產品型號不同： 8031內部無 ROM； 8051內部為掩模式 ROM； 8751為 EPROM；89C51內部為 FLASH EEPROM）。一個指令周期由 1～4個機器周期組成，依據指令不同而不同。 注：在 52子系列中，高 128字節(jié) RAM和 SFR的地址是重疊的，究竟訪問哪一塊可通過不同的尋址方式加以區(qū)分，訪問高 128字節(jié) RAM采用寄存器間址，訪問 SFR則只能采用直接尋址，訪問低 128字節(jié) RAM時，兩種尋址均可采用。 OV：溢出標志 P：奇偶標志 運算結果有奇?zhèn)€ “ 1”， P=1； 運算結果有偶個 “ 1”， P=0。 ? 寄存器的選組由程序狀態(tài)字 PSW的 RS1和 RS0位定。 程序存儲器 —— 用來存放程序； 以及始終要保留的常數。 ②接備用電源，當 VCC掉電后，在低功耗條件下保持內部RAM中的數據。 ② PROG 對 8751單片機片內 EPROM 編程時，編程脈沖由該引腳引入。 外部數據 存儲器 (RAM) 外部程序 存儲器 (ROM) 內部程序 存儲器 內部數據 存儲器 8XX51 MCS51存儲器物理結構 FFFFH 0000H 外部 RAM 外部數據存儲器 H0000 0FFFH 0FFFH 外部 R O M 內部 ROM (EA=1) H0000 8031 外部 ROM (EA=0） 8051 1000H