開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì)報(bào)告國(guó)賽一等獎(jiǎng)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽(更新版)
【正文】 4C2IN21OUT3GND713315PFC1315PFC12GND1 2XTAL24M123456789101112131415161718LCDCOM0COM1COM2COM3S4S5S6S7S8S9S10S11S12S13S3S2S14S15S4S5S6S7S8S9S10S11S12S13S2S3COM0COM1COM2COM31MR321MR211MR10GND+GND E01E12E23GND4SDA5SCL6MODE7VCC8ST24C02M6GNDEEVSDASCL1KR05VD1LED1GND++10mHL1C4GND++GND10uFC3Vref+1nFC14GNDVeref+GND+GND123TL431TL431ILP5KR35001KR110KR25VGNDEEV SDA SCL47KR447KR5+SCLSDA23456891030 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 505157586263727374DIR80818283848586878889959697OES14 S1528 291711121314151617181920212223242526 2752535455565960616465666768697071757677787990919293949899100Veref+C20GNDVref+10uFC00123J15VGND12Vref12LEDWPWP47KR6WPC100C21C3210uFC23圖 2 單片機(jī)最小系統(tǒng) 9 附錄 2 效率計(jì)算完整過(guò)程 電路中的主要損耗已在正文中進(jìn)行了計(jì)算，下面給出其他部分損耗的計(jì)算過(guò)程： 1. Boost 電路中 電容的損耗 GND4700uFC24VDptotectP6A10Fuse110KRzhishiLEDzhishiNLEDzhishiPUinNTC 5D7GNDUin2+12VGND1KRt2Ct1Rt11KtemptestD Zener310V(a) (b)圖 3 保護(hù)電路 （ a）輸入保護(hù)電路 （ b）過(guò)熱保護(hù)電路 康銅絲Rtest2Uo81432 LM358A10KRF1KRG+12VGNDGNDRprotectIotest104C358+12VGNDLlpf470uFClpf1Uo+Uo+2UoGND2143K_1JQC3FF12VDC1ZSQK8050DK11KRKGNDCutDownUin2JDQJDQ104CBBClpf2104CBBClpf3(a) (b) (c)圖 4 輸出過(guò)流保護(hù)電路 +12VGND20KRup+12VTEST47KRjz1Rjz2GNDSDCjz84567LM393BGND104C393+12V+12V200Rzb103CzbQ2IRF1405PWM TESTGND GND(a) (b)圖 5 逐波過(guò)流保護(hù)電路 10 輸出電流有效值 ）（ DDII INR M SO ????? 代入數(shù)據(jù)得 IORMS= A 而 電容的損耗 2/21 ESRIP RM SOCO ?? ? 等效串聯(lián)電阻 ESR 取為 10 mΩ，代入得 PCO1= W 2. 輸出濾波電路的 損耗 ： 1） 電容的 損耗 計(jì)算 方法 與求 PCO1相同， 可求得 PCO2= W 2） 電感的 損耗 222 DCRIP ODCR ?? 其中， DCR2為電感的直 流電阻，取為 50 mΩ，又 IO=2A， 代入可得 PDCR2= W 3. PWM 驅(qū)動(dòng)部分的損耗 1） 驅(qū)動(dòng)芯片 IR2302 的靜態(tài)損耗為 12 mW（可忽略） 2） IR2302 驅(qū)動(dòng)電路的動(dòng)態(tài)損耗 fCUP Q ING SO N ?驅(qū)動(dòng) 其中， 導(dǎo)通控制電壓 UGSON=12V，場(chǎng)效應(yīng)管輸入電容 CQON= nF, f=20 kHz，代入計(jì)算 得 P 驅(qū)動(dòng) = mW（可忽略） 4. 由 于設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)時(shí)較多的考慮到降低功耗，控制電路和檢測(cè)保護(hù)電路功耗都較小，總體估算為
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