【正文】 1， 則 12021 2asvv ??? ② 此時，金屬桿產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢 11 Blv?? ③ 回路中產(chǎn)生的電流 rRI ?? 11 ? ④ 電阻 R兩端的電壓 U=I1R ⑤ 聯(lián)立 ① ~⑤ 式 解 U= ⑥ （ 2） 由 t =0時 maBIl? ，可 分析判斷出外力 F的方向與 v0反向 。 （ 6）寫出用環(huán)戊烯和正丁醛為原料制備化合物 的合成路線 _______ （其他試劑任選）。 36． [化學 ─ 選修 5：有機化學基礎(chǔ) ]（ 15 分） 化合物 G 是一種具有多種藥理學活性的黃烷酮類藥物。 （ 2） C 和 N 能形成一種類石墨結(jié)構(gòu)材料 ， 其合成過程如下圖所示。 已知大氣壓強為 p0=10 5 Pa， 玻璃管內(nèi)部橫截面積為 S=，瓶口外玻璃管的長度為 L=48cm。 （ 2）在同一塊田地里不同時間段有計劃地更換種植的作物種類，此種植方式稱為輪作。 在酸性條件下， NaBH4 不能穩(wěn)定存在，原因是 _____________ （用離子方程式表示）； T1_____T2。該反 應(yīng)的化學方程式為 _____________。 4H2O 過量會出現(xiàn)黑色磁性沉淀，該沉淀可能是 ______。列式表示產(chǎn)率： （不必計算出結(jié)果， K2Cr2O7式量： 294）。 25． （ 20分） 長度 L=7m、質(zhì)量 M=1kg的 木板 C靜止 在 粗糙 的 水平 地 面上，木板 上表面 左右兩端各有長度 d=1m的粗糙區(qū)域，中間部分光滑 。 （ 1）虛線框內(nèi)是用毫安表改裝成電流表的電路。 （一）必考題 ：共 129分。已知斜劈始終保持靜止，則小物塊 A．上滑所需時間與下滑所需時間相等 B．上滑時的加速度與下滑時的加速度相等 C．上滑和下滑過程，小物塊機械能損失相等 D．上滑和下滑過程，斜劈受到地面的摩擦力方向相反 17．如圖，有兩個等量異種點電荷置于正方體的兩個頂點上，正點電荷置于 a點，負點電荷置于 c點，則 A． b、 d、 h、 f點電勢相等 B． e、 f、 g、 h點電勢相等 C． b d連線中點的場強為零 D． b d連線中點與 f h連線中點的場強相同 18． 如圖，理想變壓器原、副線圈的匝數(shù)比為 2∶ 1，原線圈一側(cè)接一輸出電壓恒為 U1的正弦交流電源，電阻 R R R R4的阻值相等。下列說法正確的是 A． W 與 X 形成的化合物只含有離子鍵 B． X 的簡單離子與 Z 的具有相同的電子層結(jié)構(gòu) C． 單質(zhì)的氧化性： Y＞ Z D． 簡單氫化物的沸點： W＞ Y 11．一種電解法合成氨的裝置如圖所示， 該法采用高質(zhì)子導電性的 SCY 陶瓷，用吸附在它 內(nèi)外表面上的金屬 Pd 多晶薄膜做電極，實現(xiàn)了 570℃ 、 常壓下高轉(zhuǎn)化率合成氨。下列 說法正確的是 A． ① 的試管中盛裝二氧化錳， 用于常溫下制備氯氣 B． ② 、 ③ 、 ⑥ 、 ⑦ 的試管中依次盛裝濃 H2SO飽和食鹽水、 濃 H2SO NaOH 溶液 C． 滴加濃鹽酸的同時點燃 ④ 的酒精燈 D． ⑤ 用于收集 AlCl3， ⑥ 、 ⑦ 可以用一個裝有堿石灰的干燥管代替 10．短周期主族元素 W、 X、 Y、 Z 的原子序數(shù)依次增大，它們的最外層電子數(shù)之和為 20， W 原子核外電子總數(shù)與 X 原子次外層的電子數(shù)相同， 由 W、 X、 Y 三種元素形成的一種鹽溶于水后，加入鹽酸，產(chǎn)生的無色氣體能使品紅褪色。釋放兩顆炸彈的時間間隔為 t1，擊中 M、 N 的時間間隔為 t2，不計空氣阻力， 則 A． t2=0 B． t2 t1 C． t2= t1 D． t2 t1 16．如圖，粗糙水平地面上放有一斜劈，小物塊以一定初速度從斜劈底端沿斜面向上滑行， 回到斜劈底端時的速度小于它上滑的初速度。第 33～ 38題為選考題，考生根據(jù)要求 作 答。 23． (10分 ) 圖（ a）為某同學測量一節(jié)干電池的電動勢和內(nèi)電阻的電路圖。 求 ： （ 1） 從 t=0開始，金屬桿 運動距離為 5m時電阻 R兩端的電壓； （ 2） 在 0~ ，外力 F大小隨時間 t變化的關(guān)系式。 （ 3）洗滌產(chǎn)品后干燥、稱量，得到 固體。 4H2O ， NaClO3轉(zhuǎn)化為 Cl， 離子方程式為 ， 如果 FeCl2 （ 1） H3BO3 為一元弱酸，可由硼砂（ Na2B4O7﹒ 10H2O） 與鹽酸加熱反應(yīng)制得。 lgt1/2隨 pH 和 溫度的變化如圖 (b)所示。 A組種植黃瓜， B組種植大蔥，適宜時間后，對兩組進行收獲，拉秧（去除植株），用余下的土壤繼續(xù)都種植黃瓜，繼續(xù)培養(yǎng)適宜時間，測算兩組黃瓜的葉綠素含量，凈光合速率和單株產(chǎn)量的平均值，實驗結(jié)果如下表所示，請回答： （ 1）葉綠素分布于葉綠體基粒的＿＿＿薄膜上，光反應(yīng)階段產(chǎn)生的 ATP和 NADPH將直接參與暗反應(yīng)階段中的 過程。 當 溫度 為 T=280K時， 水銀柱剛好處在瓶口位置 ，此時 該裝置密封氣體的體積 V=480cm3。 （ 1） Si3N4 和 C3N4 中硬度較高的是 ， 理由是 。 例如水中氫鍵的表示式為： (4) SiC 為立方晶系晶體，晶胞參數(shù)為 a，已知 Si 原子半徑為 rsi， C 原子半徑為 rc，該 晶胞中原子的分數(shù)坐標為 則 SiC 立方晶胞中含有 個 Si 原子、 個 C 原子；該晶胞中原子的體積 占晶胞體積的百分率為 （列出計算式即可）。寫 出一種符合要求的 X 的結(jié)構(gòu)簡式 。 （ 4）在植物組織培養(yǎng)過程中需要無菌操作，因此對外植體（離體的組織塊）要進行 處理。 L＝ J ③ 由熱力學第一定律知內(nèi)能變化為 Δ U＝ W＋ Q ④ 得 Δ U＝ J，即內(nèi)能增加 J. ⑤ 3（ 1）小于；負值 生物答案