模擬電子技術(shù)(華中理工版)第二章學(xué)習(xí)課件(更新版)
【正文】 高阻特性。VI↑→ VO↑→ VZ↑→ IZ↑→ IR↑→ VR↑→ VO↓圖 硅穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓電路(2) 當(dāng)負(fù)載電流變化時(shí)如何穩(wěn)壓 負(fù)載電流 IL的增加，必然引起 IR的增加，即 VR增加，從而使 VZ=VO減小， IZ減小。特點(diǎn)：特點(diǎn)： 只利用了半個(gè)周期只利用了半個(gè)周期 。若忽略管壓降，二極管可看作短路，若忽略管壓降，二極管可看作短路， UAB = 0 V例 4:D1承受反向電壓為承受反向電壓為 －－ 6 V流過流過 D2 的電流為的電流為求：求： UAB 在這里，在這里， D2 起箝位作用，起箝位作用， D1起隔離作用。位。(a)點(diǎn)接觸型 二極管的結(jié)構(gòu)示意圖(3) 平面型二極管 往往用于集成電路制造藝中。R EI≈0－－－－++++擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)〈 漂移運(yùn)動(dòng) PN結(jié)的單向?qū)щ娦? 當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)中 P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為加正向電壓 ，簡稱 正偏 ；反之 稱為加 反向電壓 ， 簡稱 反偏 。三價(jià)雜質(zhì) 因而也稱為 受主雜質(zhì) 。 N型半導(dǎo)體 —— 摻入五價(jià)雜質(zhì)元素（如磷）的半導(dǎo)體?？昭ǖ囊苿?dòng)空穴的移動(dòng)溫度越高，載流子的濃度越高。這種現(xiàn)象稱為 本征激發(fā) ?，F(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。二、半導(dǎo)體的特點(diǎn)光敏性和熱敏性 : 摻雜性： 本征半導(dǎo)體一、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)Ge Si通過一定的工藝過程，可以將半導(dǎo)體制成 晶體 。在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為 自由電子 ，同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位，稱為 空穴 ?？昭ǖ囊苿?dòng) —— 空穴的運(yùn)動(dòng)是靠相鄰共價(jià)鍵中的價(jià)電子依次填充空穴來實(shí)現(xiàn)的。摻入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱為 雜質(zhì)半導(dǎo)體 。 空穴很容易俘獲電子，使雜質(zhì)原子成為 負(fù)離子 。少子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。(1) 點(diǎn)接觸型二極管 PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。 （ 1）電路如圖，求：電路如圖，求： UAB V陽陽 =－－ 6 V V陰陰 =－－ 12 V V陽陽 V陰陰 二極管導(dǎo)通二極管導(dǎo)通若忽略管壓降，二極管可看作短路，若忽略管壓降，二極管可看作短路， UAB =－－ 6V否則，否則， UAB低于－低于－ 6V一個(gè)管壓降，為－一個(gè)管壓降，為－ －Ｖ或－ 例 2： 取取 B 點(diǎn)作參考點(diǎn)，點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開二極管，分析二斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電極管陽極和陰極的電位。截止。思考思考 ：當(dāng) Us 分別為 2 V、 4 V，而 ui 分別為 3 V、3sinωt V 時(shí)， uo 的波形又將如何？RLui uouiuott（（ 1）） 單相半波整流單相半波整流 利用二極管的單向?qū)щ娦詫⒔涣麟娮儞Q為脈動(dòng)的直流電利用二極管的單向?qū)щ娦詫⒔涣麟娮儞Q為脈動(dòng)的直流電 。 VO還是要增加一點(diǎn)的，這是一個(gè)有差調(diào)節(jié)系統(tǒng)。當(dāng) PN結(jié)加正向電壓時(shí)， PN結(jié)導(dǎo)通，呈現(xiàn)低阻特性。小 結(jié)謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAI
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