【正文】 失去電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦?。同年，卓以和提出了分子束外延技術(shù)? 1971年，霍夫（ Hoff）等人制造出第一個(gè)微處理器? 80年起，有三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)：溝槽式隔離（ 1982年，朗（ Lung）等人），化學(xué)機(jī)械拋光 (1989年，達(dá)閥利（ Davari）等人 )和銅布線 (1993年，帕拉查克（ Paraszczak）等人 )集成電路的發(fā)展過程發(fā) 展 階 段主要特征1966年MSI1971年LSI1980年VLSI1990年以后ULSI元件數(shù) /芯片 102103 103105 105107 107109特征 線寬 （μ m） 105 53 31 1速度功耗 積 （μJ ） 10210 101 1102 102柵 氧化 層 厚度（ nm） 120100 10040 4015 1510結(jié) 深（ μm ） 芯片面 積 （mm2） 10 1025 2550 50100硅片直徑（英寸） 23 45 6 6發(fā) 布年代 存 儲(chǔ) 容量 元件數(shù) /個(gè) 特征尺寸/μ m1970 1Kb 103 1973 4 Kb 104 1975 16Kb 104 1979 64Kb 105 1982 256Kb 105 1985 1Mb 106 1988 4Mb 106 1990 16Mb 107 1994 64Mb 108 1996 256Mb 108 1999 1Gb 109 2023 2Gb 109 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（ DRAM）發(fā)展年表發(fā) 布年代 型號(hào) 晶體管數(shù) /個(gè) 特征尺寸 /μ m1971 4004 2250 1972 8008 3000 1974 8080 4500 1976 8085 7000 1978 8086 29000 1982 80286 134000 1985 80386 275000 1989 80486 1202300 1993 Pentium 3100000 1995 Pentium Pro 5500000 1997 PentiumⅡ 7500000 1999 PentiumⅢ 24000000 2023 PentiumⅣ 42023000 2023 PentiumⅣ 55000000 微處理器發(fā)展年表摩 爾 定 律在 1960年， Intel 公司的創(chuàng)始人之一 Gordon ，集成電路的功能隨時(shí)間呈指數(shù)增長(zhǎng)規(guī)律1975年摩爾提出了關(guān)于集成電路集成度發(fā)展的 “摩爾定律 ” ，這個(gè)定律說，集成度 (即電路芯片的電子器件數(shù) )每 18個(gè)月翻一番，而價(jià)格保持不變甚至下降。經(jīng)研磨、拋光、切片后，即成半導(dǎo)體之原料 晶圓片第一次光刻 — N+埋層擴(kuò)散孔? 作用1。形成 PMOS管的源、漏區(qū)及 P+保護(hù)環(huán)NSiPB+光刻 Ⅶ N+管場(chǎng)區(qū)光刻，刻去 N+管場(chǎng)區(qū)上的膠， N管場(chǎng)區(qū)注入，形成NMOS的源、漏區(qū)及 N+保護(hù)環(huán)光刻膠NSiPAs長(zhǎng) PSG（磷硅玻璃）PSGNSiP+PP+N+ N+光刻 Ⅷ 引線孔光刻，可在生長(zhǎng)磷硅玻璃后先開一次孔，然后在磷硅玻璃回流及結(jié)注入推進(jìn)后再開第二次孔PSGNSiP+PP+N+ N+光刻 Ⅸ 引線孔光刻（反刻 AL），壓焊塊光刻PSGNSiP+PP+N+ N+ VDDIN OUTPNSDDS微電子器件工藝學(xué)講解內(nèi)容定義： 通過采用各種制造工藝技術(shù)組合按設(shè)計(jì)的器件結(jié)構(gòu)和性能參數(shù)制作符合要求的器件主要講解內(nèi)容： 襯底制備，薄膜制備，摻雜技術(shù)，氧化技術(shù)，超凈室，光刻技術(shù)，電極制備及連接封裝技術(shù)結(jié)束謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH