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特種設(shè)備檢驗檢測新技術(shù)相關(guān)知識(更新版)

2025-09-24 02:14上一頁面

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【正文】 胺 , 高溫氧的各種腐蝕數(shù)據(jù)和判據(jù) ) ? 附錄 H 應(yīng)力腐蝕裂紋模式 (其中包括以下應(yīng)力腐蝕裂紋的數(shù)據(jù)表和判據(jù):堿 , 胺 , 硫化物 , HIC/SOHICH2S,炭酸 , 連多硫酸 , HSCHF, HIC/SOHICHF ? 附錄 I 高溫氫腐蝕模式 ? 附錄 J 爐管模式 ? 附錄 K 材料疲勞 (僅管線 ) 模式 ? 附錄 L 脆斷模式 ? 附錄 M 設(shè)備襯里模式 ? 附錄 N 外部損壞模式 14 API 581與其它規(guī)范的關(guān)系 ? API 581 提供 基于 風險分析檢測計劃 程序 ,有關(guān)檢測的 實施 仍需參照其它的 API規(guī)范,例如: ? API 750 過程危害性管理 ? API 510 壓力容器檢測、評級、修理和變更規(guī)范 ? API 570 在役壓力管道檢測、修理、變更和維護規(guī)范 ? API 653 儲罐檢測、修理、變更與重建規(guī)范 ? API 530 石化煉油廠計算熱交換管壁厚的實例 ? API 581 分 為 定性分析、 半定量與 定量分析 ? 定性分析主要適用于較大范圍的評估,如工 廠 、 裝置 區(qū)。 ( 2)以壓力容器的剩余壽命為依據(jù),檢驗周期最長不超過壓力容器剩余壽命的的一半,并且不得超過 9年。 TOFD技術(shù)背景 36 什么是 TOFD? ? TOFD衍射時差法超聲檢測技術(shù):TOFD采用一發(fā)一收兩個探頭產(chǎn)生非聚焦的縱波,從待檢工件內(nèi)部結(jié)構(gòu)(主要是指缺陷)的“端角” 和“端點”處得到的衍射能量,用于缺陷的檢測、定量和定位。 –現(xiàn)在醫(yī)院里采用的 B超也是基于相控陣技術(shù)。如果所有晶片的激發(fā)時間都相同,形成的波陣面為縱波 。 在外部條件作用下 , 固體 ( 材料或零部件 ) 的缺陷或潛在缺陷改變狀態(tài)而自動發(fā)出瞬態(tài)彈性波的現(xiàn)象亦為聲發(fā)射 。罐底定位用于儲罐底部缺陷定位。 而且它本身還存在很多的局限性 。 所以它不能代替常規(guī)的無損檢測方法 。從而為在用壓力容器的使用安全性評價提供依據(jù)。 它的幅度動態(tài)范圍亦很廣 ,從微弱的位錯運動直到強烈的地震波 。 ? 通過對激活晶片組進行多路延時,使波束產(chǎn)生移動。 –目前在世界范圍內(nèi)有超過 1000臺超聲相控陣系統(tǒng)正應(yīng)用于不同無損檢測領(lǐng)域,包括電廠、石化、航空航天、工業(yè)在線、鍋爐壓力容器、長輸管線等。 5MHz 6mm波束模擬 42 TOFD: 典型的設(shè)置 發(fā)射探頭 接收探頭 直通波 上端點 下端點 底面反射信號 43 相位變化 上端點 下端點 直通波 LW 底面反射波 BW + + 需要不檢波的 A掃來顯示相位的變化 44 傳播時間 發(fā)射探頭 接收探頭 S S d LW BW t0 t0 始脈沖 t 45 TOFD深度計算公式 ? ?02222 tc dSt ????? ? ? 220222 Sttcd ?????????? 12 ddh ??46 A掃信號-灰度圖 為了便于缺陷判讀,通常 TOFD采用灰度圖顯示 47 典型的 TOFD圖像 48 上 表 面 開 口 缺 陷 49 下 表 面 開 口 缺 陷 50 內(nèi) 部 埋 藏 缺 陷 51 TOFD技術(shù)優(yōu)越性 ?缺陷定量定位精度高,可檢出焊縫中任意走向的缺陷; ?可以識別向表面延伸的缺陷; ?檢測速度快,缺陷定量、定位精度高。 ? φ1 6+9dB, φ2 40- 4dB, 34 PE檢測的特點 ? 超聲波遇到界面有反射、折射衍射現(xiàn)象,就像光線。 ? API 581 注重 評估因 腐蝕所造成 穿透泄漏 等 危害風險。P059氫腐蝕敏感性高的主要原因是該管道材質(zhì)為 A106B, 屬一般碳素鋼 , 操作條件下不能抗氫腐蝕 。 35 – 衍射時差技術(shù)首先應(yīng)用上世紀 60年代的英國核工業(yè)領(lǐng)域,作為一種精確的缺陷定量定位技術(shù)很快廣泛應(yīng)用于其它無損檢測領(lǐng)域,如石化、鍋爐壓力容器、電力、長輸管線等。 ? TOFD一維掃查不能確定缺陷在焊縫水平方向的位置。 59 相控陣探頭類型 線形陣 1維 線形陣 2維 矩形陣 60 相控陣探頭類型 ? 圓形陣 – 1維 環(huán)形陣 – 2維 扇形陣 61 相控陣探頭設(shè)計參數(shù) ? 相控陣探頭晶片由復合材料制成,比常規(guī)壓電陶瓷材料探頭的信噪比高 1030dB。焦點尺寸取決于所用晶片的大小和數(shù)量。 然而, 聲發(fā)射作為無損檢測與無損評價手段 , 則是采用高靈敏度傳感器 , 在材料或構(gòu)件受外力的作用 , 且又遠在其達到破損以前 , 接收來自這些缺陷與損傷開始出現(xiàn)或擴展時所發(fā)射的聲發(fā)射信號 , 通過對這些信號的分析 、處理來檢測 、 評估材料或構(gòu)件缺陷 、 損傷等內(nèi)部特征 。 ( 2)不需進入容器內(nèi)就可實施檢測。 但它能彌補常規(guī)無損檢測方法中的不足 , 能為評價容器整體結(jié)構(gòu)完整性提供數(shù)據(jù) , 因而必將得到廣泛的應(yīng)
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