【正文】 生由于生產(chǎn)技術(shù)難度大，生產(chǎn)規(guī)模小，工藝技術(shù)落后，環(huán)境污染嚴(yán)重，耗能大，成本高，絕大部分企業(yè)虧損而相繼停產(chǎn)和轉(zhuǎn)產(chǎn)，到1996年僅剩下四家，即峨眉半導(dǎo)體材料廠（所），洛陽(yáng)單晶硅廠、天原化工廠和棱光實(shí)業(yè)公司，產(chǎn)能與生產(chǎn)技術(shù)都與國(guó)外有較大的差距。 2005年中國(guó)太陽(yáng)能電池用單晶硅企業(yè)開(kāi)工率在20％－30％，半導(dǎo)體用單晶硅企業(yè)開(kāi)工率在80％－90％，都不能滿負(fù)荷生產(chǎn)，主要原因是多晶硅供給量不足所造成的。 國(guó)際多晶硅主要技術(shù)特征有以下兩點(diǎn)： （1）多種生產(chǎn)工藝路線并存，產(chǎn)業(yè)化技術(shù)封鎖、壟斷局面不會(huì)改變。其中，用于電子級(jí)多晶硅占55％左右，太陽(yáng)能級(jí)多晶硅占45％，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，太陽(yáng)能電池對(duì)多晶硅需求量的增長(zhǎng)速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展，預(yù)計(jì)到2008年太陽(yáng)能多晶硅的需求量將超過(guò)電子級(jí)多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時(shí)顯出明顯變形。 近年來(lái)，各種晶體材料，特別是以單晶硅為代表的高科技附加值材料及其相關(guān)高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，成為當(dāng)代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的支柱，并使信息產(chǎn)業(yè)成為全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展中增長(zhǎng)最快的先導(dǎo)產(chǎn)業(yè)。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導(dǎo)電的程度，而形成p型硅半導(dǎo)體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導(dǎo)電程度，形成n型硅半導(dǎo)體。具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。多晶硅可作為拉制單晶硅的原料。例如在力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，多晶硅均不如單晶硅。 單晶硅片的單價(jià)是論片算，不會(huì)按噸算的，這里還要區(qū)分是太陽(yáng)能級(jí)還是IC級(jí)，這里我只知道關(guān)于6寸太陽(yáng)能級(jí)硅片，每片價(jià)格在53元左右 單晶硅的制造方法和設(shè)備 一種單晶硅壓力傳感器制造方法及其結(jié)構(gòu) 單晶硅生產(chǎn)裝置 制造單晶硅的設(shè)備 單晶硅直徑測(cè)定法及其設(shè)備 單晶硅直徑控制法及其設(shè)備 【單晶硅】 英文名： Monocrystalline silicon 分子式： Si 硅的單晶體。超純的單晶硅是本征半導(dǎo)體。%的硅元素，為單晶硅的生產(chǎn)提供了取之不盡的源泉。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時(shí)易碎裂。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。按純度要求不同，分為電子級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)。 世界多晶硅主要生產(chǎn)企業(yè)有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美國(guó)的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德國(guó)的Wacker公司等，其年產(chǎn)能絕大部分在1000噸以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三個(gè)公司生產(chǎn)規(guī)模最大，年生產(chǎn)能力均在3000－5000噸。到2005年底國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能電池產(chǎn)能達(dá)到300MW，實(shí)際能形成的產(chǎn)量約為110MW，需要多晶硅1400噸左右，預(yù)測(cè)到2010年太陽(yáng)能電池產(chǎn)量達(dá)300MW，需要多晶硅保守估計(jì)約4200噸，因此太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)將大大帶動(dòng)多晶硅需求的增加，見(jiàn)表3。根據(jù)歐洲光伏工業(yè)聯(lián)合會(huì)的2010年各國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃預(yù)計(jì)，屆時(shí)全球光伏產(chǎn)量將達(dá)到15GW（1GW=1000MW），設(shè)想其中60%使用多晶硅為原材料，如果技術(shù)進(jìn)步每MW消耗10噸多晶硅，保守估計(jì)全球至少需要太陽(yáng)能多晶硅5萬(wàn)噸以上。 工藝設(shè)備落后，同類產(chǎn)品物料和電力消耗過(guò)大，三廢問(wèn)題多，與國(guó)際水平相比，國(guó)內(nèi)多晶硅生產(chǎn)物耗能耗高出1倍以上，產(chǎn)品成本缺乏競(jìng)爭(zhēng)力。 我國(guó)從事半導(dǎo)體硅材料生產(chǎn)企業(yè)概況: . 1,河北寧晉單晶硅基地 2,有研半導(dǎo)體材料股份公司 3,洛洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司/陽(yáng)中硅高科技有限公司 4,無(wú)錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司 5,寧波立立電子股份有限公司 6,上海合晶硅材料有限公司 7,上海申和熱磁公司 8,娥眉半導(dǎo)體材料廠 9,杭州海納半導(dǎo)體有限公司 10,萬(wàn)向硅峰電子股份有限公司 11,錦州新日硅材料(華昌電子材料/華日硅)公司 12,天津環(huán)歐半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 13,常州億晶電子科技有限公司 14,常州天合光能有限公司 15,江蘇順大半導(dǎo)體發(fā)展有限公司 16,新疆新能源股份有限公司 17,南京國(guó)盛電子有限公司 這些企業(yè)中供應(yīng)半導(dǎo)體硅拋光片的有寧波立立電子股份有限公司、有研半導(dǎo)體材料股份公司、無(wú)錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司、上海合晶硅材料有限公司、上海申和熱磁公司等changaiyin 單多晶硅國(guó)內(nèi)含稅價(jià)格 單晶硅棒2600元/公斤,多晶硅棒2400元/公斤changaiyin 江西賽維LDK太陽(yáng)能高科技有限公司是目前亞洲規(guī)模最大的太陽(yáng)能多晶硅片生產(chǎn)企業(yè)。 　　據(jù)悉，該項(xiàng)目計(jì)劃首期在2008年底前建成投產(chǎn)，形成6000噸太陽(yáng)能級(jí)硅料的年生產(chǎn)能力；2009年項(xiàng)目全部建成投產(chǎn)后，從而使該公司成為世界主要的太陽(yáng)能多晶硅原料生產(chǎn)企業(yè)。 太陽(yáng)能電池用多晶硅按每生產(chǎn)1MW多晶硅太陽(yáng)能電池需要11－12噸多晶硅計(jì)算，我國(guó)2004年多晶、多晶硅用量為678噸左右，而實(shí)際產(chǎn)能已達(dá)70MW左右，多晶硅缺口達(dá)250噸以上。 三、行業(yè)發(fā)展的主要問(wèn)題 同國(guó)際先進(jìn)水平相比，國(guó)內(nèi)多晶硅生產(chǎn)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化方面的差距主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： 產(chǎn)能低，供需矛盾突出。 支持最具條件的改良西門(mén)子法共性技術(shù)的實(shí)施，加快突破千噸級(jí)多晶硅產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，形成從材料生產(chǎn)工藝、裝備、自動(dòng)控制、回收循環(huán)利用的多晶硅產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線，材料性能接近國(guó)際同類產(chǎn)品指標(biāo)；建成節(jié)能、低耗、環(huán)保、循環(huán)、經(jīng)濟(jì)的多晶硅材料生產(chǎn)體系，提高我們多晶硅在國(guó)際上的競(jìng)爭(zhēng)力。 從工業(yè)化發(fā)展來(lái)看，重心已由單晶向多晶方向發(fā)展，主要原因?yàn)?；[1]可供應(yīng)太陽(yáng)電池的頭尾料愈來(lái)愈少；[2] 對(duì)太陽(yáng)電池來(lái)講，方形基片更合算，通過(guò)澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料；[3]多晶硅的生產(chǎn)工藝不斷取得進(jìn)展，全自動(dòng)澆鑄爐每生產(chǎn)周期（50小時(shí)）可生產(chǎn)200公斤以上的硅錠，晶粒的尺寸達(dá)到厘米級(jí)；[4]由于近十年單晶硅工藝的研究與發(fā)展很快，其中工藝也被應(yīng)用于多晶硅電池的生產(chǎn)，例如選擇腐蝕發(fā)射結(jié)、背表面場(chǎng)、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細(xì)金屬柵電極，采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)可使柵電極的寬度降低到50微米，高度達(dá)到15微米以上，快速熱退火技術(shù)用于多晶硅的生產(chǎn)可大大縮短工藝時(shí)間，單片熱工序時(shí)間可在一分鐘之內(nèi)完成，采用該工藝在100平方厘米的多晶硅片上作出的電池轉(zhuǎn)換效率超過(guò)14％。大規(guī)模集成電路的要求更高，硅的純度必須達(dá)到九個(gè)9。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過(guò)分析測(cè)定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類型和電阻率等。 　　據(jù)悉，美國(guó)能源部計(jì)劃到2010年累計(jì)安裝容量4600MW，日本計(jì)劃2010年達(dá)到5000MW，歐盟計(jì)劃達(dá)到6900MW，預(yù)計(jì)2010年世界累計(jì)安裝量至少18000MW。 　?。?）新一代低成本多晶硅工藝技術(shù)研究空前活躍。2005年半導(dǎo)體用多晶硅短缺 6000噸，加上太陽(yáng)能用多晶硅缺口4424噸，合計(jì)10424噸，供給嚴(yán)重不足，導(dǎo)致全球多晶硅價(jià)格上漲。四川峨眉半導(dǎo)體材料廠（所）是國(guó)內(nèi)最早擁有多晶硅生產(chǎn)技術(shù)的企業(yè)，2005年太陽(yáng)能電池用戶投資，擴(kuò)產(chǎn)的220噸多晶硅生產(chǎn)線將于 2006年上半年投產(chǎn)，四川新光硅業(yè)公司實(shí)施的1000噸多晶硅生產(chǎn)線正在加快建設(shè)，計(jì)劃在2006年底投產(chǎn)，此外，云南、揚(yáng)州、上海、黑河、錦州、青海、內(nèi)蒙、宜昌、廣西、重慶、遼寧、邯鄲、保定、浙江等地也有建生產(chǎn)線設(shè)想。 四、行業(yè)發(fā)展的對(duì)策與建議 發(fā)展壯大我國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)條件已經(jīng)基本具備、時(shí)機(jī)已經(jīng)成熟，國(guó)家相關(guān)部門(mén)加大對(duì)多晶硅產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)，科技創(chuàng)新、工藝完善、項(xiàng)目建設(shè)的支持力度，抓住有利時(shí)機(jī)發(fā)展壯大我國(guó)的多晶硅產(chǎn)業(yè)。然后將制得的硅烷氣提純后在熱分解爐生產(chǎn)純度較高的棒狀多晶硅。 此法是美國(guó)聯(lián)合碳化合物公司早年研究的工藝技術(shù)。 3）重?fù)焦鑿U料提純法生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅 據(jù)美國(guó)Crystal Systems資料報(bào)導(dǎo)[1]，美國(guó)通過(guò)對(duì)重?fù)絾尉Ч枭a(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的硅廢料提純后，可以用作太陽(yáng)能電池生產(chǎn)用的多晶硅，最終成本價(jià)可望控制在20美元/Kg以下。 單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。目前晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。 四, 單晶硅棒、單晶硅片加工工藝 20070327 20:44:23 單質(zhì)硅有無(wú)定形及晶體兩種。多晶硅所使用的原材料來(lái)自硅砂（二氧化硅）。 　　OISF密度：利用氧化誘生法在高溫、高潔凈的爐管中氧化，再經(jīng)過(guò)腐蝕后觀察其密度進(jìn)行報(bào)數(shù)。另外一個(gè)原因是CZ法比FZ法更容易生產(chǎn)出大尺寸的單晶硅棒。 （5）等徑生長(zhǎng)：長(zhǎng)完細(xì)頸和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調(diào)整，可使晶棒直徑維持在正負(fù)2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。 外徑滾磨的設(shè)備：磨床 平邊或V型槽處理：指方位及指定加工，用以單晶硅捧上的特定結(jié)晶方向平邊或V型。酸性腐蝕液由硝酸（HNO3），氫氟酸（HF），及一些緩沖酸（CH3COCH，H3PO4）組成。 主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL （3）損耗產(chǎn)生的原因 ......