離子注入技術(shù)implant(更新版)
【正文】 離子注入機(jī)一般根據(jù)其束流大小分為中束流、大束流和高強(qiáng)度三種類型，其中前兩類應(yīng)用較為廣泛。 質(zhì)量分析器原理圖由得，代入，得：當(dāng)時(shí)，即當(dāng)時(shí)，離子不被偏轉(zhuǎn)。 針尖的曲率半徑為 ro = 1 ~ 5 mm，改變 E2 可以調(diào)節(jié)針尖與引出極之間的電場(chǎng)，使液態(tài)金屬在針尖處形成一個(gè)圓錐，此圓錐頂?shù)那拾霃?僅有 10 nm 的數(shù)量級(jí)，這就是 LMIS 能產(chǎn)生小束斑離子 束的關(guān)鍵。⑦工作室： 放置樣品的地方，其位置可調(diào)。（d） 基本結(jié)構(gòu)離子注入機(jī)總體上分為七個(gè)主要的部分，分別是：①離子源： 用于離化雜質(zhì)的容器。 入射離子能量損失是由于離子受到核阻擋與電子阻擋。由此看來，這種技術(shù)的重要性不言而喻。本文從對(duì)該技術(shù)的基本原理、基本儀器結(jié)構(gòu)以及一些具體工藝等角度做了較為詳細(xì)的介紹，同時(shí)介紹了該技術(shù)的一些新的應(yīng)用領(lǐng)域。它是將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場(chǎng)中加速而獲得極高的動(dòng)能后，注入到硅中而實(shí)現(xiàn)摻雜。的計(jì)算較簡(jiǎn)單，離子受電子的阻力正比于離子的速度。③加速器： 為高壓靜電場(chǎng)，用來對(duì)離子束加速。而聚焦方式則需要高亮度小束斑離子源，當(dāng)液態(tài)金屬離子源（LMIS）出現(xiàn)后才得以順利發(fā)展。若改變E2的極性 ，則可排斥離子而拉出電子，使這種源改變成電子束源。 缺點(diǎn)：① 離子注入將在靶中產(chǎn)生大量晶格缺陷； ② 離子注入難以獲得很深的結(jié)深；③ 離子注入的生產(chǎn)效率比擴(kuò)散工藝低；④ 離子注入系統(tǒng)復(fù)雜昂貴。離子束能量分類：80KeV 形式：2 80KeV（也可選90KeV）160KeV形式：5 – 160KeV(也可選180KeV)（a）80KeV注入機(jī)的最大束流（b）160KeV注入機(jī)的最大束流可以看出，最大束流強(qiáng)度隨著離子能量的增加而變大，但當(dāng)增大到一定值時(shí)則停止增加，這說明束流強(qiáng)度已經(jīng)達(dá)到
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