【正文】 ronsLow Hybrid(wciwwce)2 5 GHzCurrent drive（不用于加熱）qprofile controlMagnetron or KlystronP 163。 237。6）? Pulse time: 1S? Antenna: 2 （2180。（4） 低雜波（Low Hybrid Wave，LHW）電流驅(qū)動(dòng)237。當(dāng)相速度滿足如下圖所示的關(guān)系時(shí)，電子受到TTMP加速（與電場(chǎng)的朗道加速條件類似）說(shuō)明：FW斜入射進(jìn)入托卡馬克等離子體時(shí)，平行縱場(chǎng)方向上有電場(chǎng)、磁場(chǎng)。237。同樣，ECCD也可以作為輔助電流驅(qū)動(dòng)方式，協(xié)助其他電流驅(qū)動(dòng)。V⊥先通過(guò)回旋共振得到加速，V⊥的增加量大。電流驅(qū)動(dòng)的效率高原因：由此可以相應(yīng)降低所需驅(qū)動(dòng)源功率。n磁場(chǎng)旋轉(zhuǎn)方法――在托克馬克中產(chǎn)生沿環(huán)向的電流由此產(chǎn)生小環(huán)向磁場(chǎng)――托卡馬克磁位形。當(dāng)聚變反應(yīng)速率足夠高時(shí)，由聚變產(chǎn)生粒子可以維持氘氚等離子體處于高溫狀態(tài)，使聚變反應(yīng)持續(xù)進(jìn)行。F近年進(jìn)展：EAST裝置輔助加熱系統(tǒng)”是國(guó)家“十二五”大科學(xué)工程，2010年7月正式立項(xiàng)。2003已實(shí)現(xiàn)指標(biāo)： 功率－－，中性束能量――，時(shí)間――10s計(jì)劃指標(biāo)： 功率－－10MW，中性束能量――，時(shí)間――10s（日本研究人員正在裝配負(fù)離子源）（7） 正、負(fù)離子源的中性束加熱技術(shù)比較F正離子比負(fù)離子容易產(chǎn)生，低能NBI均使用基于正離子源的NBIF負(fù)離子不容易產(chǎn)生，電子容易失去，但中性化效率高。）（上圖：負(fù)離子源中電子溫度的軸向分布）（2）在表面產(chǎn)生負(fù)離子：原子從涂敷銫壁上碰撞彈開(kāi)時(shí)，產(chǎn)生負(fù)離子。相應(yīng)要求提高離子源D離子能量，在ITER上。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)等離子體環(huán)向旋轉(zhuǎn)可以觸發(fā)LH約束模式轉(zhuǎn)變（有益?。砸话悴捎脝蜗蚱叫凶⑷?。注入方向：平行于環(huán)向，垂直于環(huán)向。所以，需要在離子進(jìn)入托卡馬克前，將離子束中性化――中性束。 A（高能）＋B＋amp。在紋波度大的環(huán)向磁場(chǎng)中，俘獲快離子引起紋波擴(kuò)散，碰撞濺射托卡馬克壁，造成雜質(zhì)污染。 A（高能）＋B＋），中性粒子能量轉(zhuǎn)化為帶電粒子能量；在高能區(qū)： 高能中性原子與電子的碰撞電離（在高能區(qū)主要為多級(jí)電離）占主導(dǎo)。―――――――――――――――――――――――――――――解決方法：采用負(fù)離子＋中性化方法。負(fù)離子源的重點(diǎn)問(wèn)題： ――負(fù)離子的高效率產(chǎn)生； ――負(fù)離子的加速（電子需要控制，采用橫向磁場(chǎng)阻擋電子，僅引出負(fù)離子）。 FNNBI技術(shù)相對(duì)復(fù)雜，效率低，成本高產(chǎn)生區(qū)：高能電子、低能電子需要隔離；引出區(qū)：負(fù)離子、電子需要控制，采用橫向磁場(chǎng)阻擋電子，僅引出負(fù)離子。最終目標(biāo)――2至4兆瓦中性束注入系統(tǒng)的研制提供強(qiáng)有力的可靠支持。（2） 磁梯度力――環(huán)內(nèi)側(cè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度大于外部，帶電粒子受向外的磁驅(qū)動(dòng)力。聚變反應(yīng)堆電站要求能夠長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定地提供功率輸出，所以，托卡馬克必須通過(guò)其他非感應(yīng)的電流驅(qū)動(dòng)方式來(lái)獲得更長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。（b）NBI驅(qū)動(dòng)電流與電子溫度的關(guān)系（c）NBI驅(qū)動(dòng)電流的優(yōu)點(diǎn) 237。6. 電子碰撞頻，向V∥轉(zhuǎn)移能量。電子回旋電流驅(qū)動(dòng)的優(yōu)點(diǎn) 由于采用回旋共振方式，可以在局部空間驅(qū)動(dòng)電流，控制等離子體電流徑向分布，抑制特定磁面上的MHD不穩(wěn)定性（如：在q＝2的磁面上驅(qū)動(dòng)電流，可以抑制m＝2的撕裂模――tearing mode）（3） RF波電流驅(qū)動(dòng)237。橫電（TE）波。237。一般地： ―――――――――――――――――――――――――――――――――――――――― F低雜波的快波?慢波/傳播?截止（在不同頻段的X波，都有快慢波，） BE～（b）慢波（電場(chǎng)沿“良導(dǎo)體”方向，被截止）（a）快波（電場(chǎng)沿“絕緣”方向，可以傳播）E～BK在垂直入射時(shí)（k//=0, l //→∞, n//= k//c/w=0）:慢波消失，只存在快波,并且快波在低雜波共振層被吸收（在該區(qū)域，主要加熱離子），即使低雜共振層不存在，在快波向托卡馬克內(nèi)部傳播的過(guò)程中，其垂直相速度隨密度增加而降低，當(dāng)快波相速度為離子熱速度的幾倍，快波可以加熱離子。122180。低雜波電流的應(yīng)用（1）電流驅(qū)動(dòng)，維持穩(wěn)態(tài)運(yùn)行最重要的手段（JT60U:, JET:3MA)；（2）Offaxis電流驅(qū)動(dòng)，符合穩(wěn)態(tài)運(yùn)行，產(chǎn)生并維持高約束等離子體；（3）實(shí)現(xiàn)H模等離子體；（4）控制電流密度分布，抑制m=12 撕裂模，控制鋸齒波不穩(wěn)定性。 2 MWCoaxial linesImpurity Alfv233。NBI＋RF（快波、回旋共振） ――――等等其它協(xié)同作用 （7） 等離子體自舉電流（bootstrap current）237。 更為嚴(yán)格的推導(dǎo)結(jié)果為：237。偏轉(zhuǎn)的碰撞頻率， ● 新經(jīng)典輸運(yùn)的預(yù)測(cè)結(jié)果：俘獲區(qū)，新經(jīng)典輸運(yùn)系數(shù)是經(jīng)典輸運(yùn)系數(shù)的 倍（低頻，香蕉俘獲區(qū)）， ● 新經(jīng)典輸運(yùn)的重要理論預(yù)言（1970年）：在沒(méi)有外加驅(qū)動(dòng)源的情況下，托卡馬克等離子體自身也能產(chǎn)生環(huán)向電流，即自舉電流，用于產(chǎn)生約束等離子體所需要的磁場(chǎng)。 問(wèn)題：？ （在等離子體密度、粒子溫度足夠高（高），自舉電流的水平才足夠大；在建立高 等離子體之前，仍然需要其他電流驅(qū)動(dòng)