【正文】 發(fā)生相應(yīng)變化，附近的P型硅中多數(shù)載流子——空穴被排斥，形成所謂耗盡層，如果柵電壓VG超過MOS晶體管的開啟電壓，則在SiSiO2界面處形成深度耗盡狀態(tài)，由于電子在那里的勢(shì)能較低，我們可以形象化地說：半導(dǎo)體表面形成了電子的勢(shì)阱，可以用來存儲(chǔ)電子。也用線對(duì)/mm表示。 (c)設(shè)計(jì)前置放大電路，使輸出的信號(hào)電壓為200mV,求放大器的有關(guān)參數(shù)，并畫出原理圖（a）如圖（b）陰極電流：Ik=SkΦ= =41010A 倍增系統(tǒng)的放大倍數(shù):M==ε0(σε)11 =()11 陽極電流：Ip=MIk=936 μA（c），為什么還要限制其陽極輸出電流小于50~100μA范圍內(nèi)？問其陰極面上最大允許的光通量為多少流明？ 因?yàn)殛枠O電流過大會(huì)加速光電倍增管的疲勞與老化。 直線聚焦式：極間電子渡越時(shí)間的離散性小，時(shí)間響應(yīng)很快，線性好：但絕緣支架可能積累電荷而影響電子光學(xué)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。當(dāng)入射光是非均勻的或是一個(gè)光斑時(shí)，其輸出與光的能量中心有關(guān)。，其光電靈敏度S=，拐點(diǎn)電壓U =10V，輸入輻射功率 =（5+3sin t）μW，偏置電壓Ub=40V，信號(hào)由放大器接收，求取得最大功率時(shí)的負(fù)載電阻Rb和放大器的輸入電阻R 的值，以及輸入給放大器的電流、電壓和功率值。2，探測(cè)靈敏度比較高；3，內(nèi)量子效率較高；4，響應(yīng)速度快；5，可靠性高；6，PIN管能低噪聲工作。（5分） 2CR和2DR，2CU和2DU在結(jié)構(gòu)上有何主要區(qū)別？2DU光電二極管增設(shè)環(huán)極的目的是什么？畫出正確接法的線路圖，使用時(shí)環(huán)極不接是否可用？為什么？ 硅光電池按基底材料不同分為2CR和2DR 。、短路電流與光照度的關(guān)系。功率譜與f成反比，稱1/f 噪聲。光譜特性決定于光電器件的材料。在自建場(chǎng)的作用下，電子流向N區(qū)，空穴流向P區(qū)，從而在勢(shì)壘兩邊形成電荷堆積，使P區(qū)、N區(qū)兩端產(chǎn)生電位差。法拉第效應(yīng)：光波通過磁光介質(zhì)、平行于磁場(chǎng)方向傳播時(shí)，線偏振光的偏振面發(fā)生旋轉(zhuǎn)的現(xiàn)象。光傳播方向與電場(chǎng)施加的方向垂直，這種電光效應(yīng)稱為橫向電光效應(yīng)。但存在波長(zhǎng)(頻率)的抖動(dòng)。，不同溫度下的黑體輻射曲線的極大值處的波長(zhǎng) 隨溫度T的升高而減小。根本區(qū)別在于：前者是物理（或客觀）的計(jì)量方法，稱為輻射度量學(xué)計(jì)量方法或輻射度參數(shù)，它適用于整個(gè)電磁輻射譜區(qū)，對(duì)輻射量進(jìn)行物理的計(jì)量；后者是生理（或主觀）的計(jì)量方法，是以人眼所能看見的光對(duì)大腦的刺激程度來對(duì)光進(jìn)行計(jì)算，稱為光度參數(shù)。，假設(shè)各向發(fā)光均勻，用照度計(jì)測(cè)得正下方地面的照度為30lx，求出該燈的光通量。K。機(jī)械調(diào)制、電光調(diào)制、聲光調(diào)制、磁光調(diào)制。當(dāng)光束通過有超聲波的介質(zhì)后就會(huì)產(chǎn)生衍射現(xiàn)象，這就是聲光效應(yīng)。光電探測(cè)器響應(yīng)較快，噪聲小；而熱電探測(cè)器的光譜響應(yīng)與波長(zhǎng)無關(guān)，可以在室溫下工作。光電池、光電二極管、雙光電二極管，光電三極管、光電場(chǎng)效應(yīng)管、光電開關(guān)管、光電雪崩二極管某些金屬或半導(dǎo)體受到光照時(shí)，物質(zhì)中的電子由于吸收了光子的能量，致使電子逸出物質(zhì)表面，這種現(xiàn)象稱為光電發(fā)射效應(yīng)，又稱外光電效應(yīng)。？結(jié)型光電器件必須工作在哪種偏置狀態(tài)? 因?yàn)閜n結(jié)在外加正向偏壓時(shí)，即使沒有光照，電流也隨著電壓指數(shù)級(jí)在增加，所以有光照時(shí)，光電效應(yīng)不明顯。W1,，用于f=5x103Hz的光電儀器中，它能探測(cè)的最小輻射功率為多少？ ？熱釋電探測(cè)器為什么只能探測(cè)調(diào)制輻射？ 熱電晶體的自發(fā)極化矢量隨溫度變化，從而使入射光可引起電容器電容改變的現(xiàn)象成為熱釋電效應(yīng)。如果光子能量超過半導(dǎo)體材料的禁帶寬度，則由半導(dǎo)體能帶理論可知，在PN結(jié)附近會(huì)產(chǎn)生電子和空穴。2DU光電二極管增設(shè)環(huán)極的目的是為了減少暗電流和噪聲。如此反復(fù)，形成雪崩式的載流子倍增。試計(jì)算：1.。 光電發(fā)射是光轟擊材料使電子逸出，二次電子發(fā)射是電子轟擊材料，使新的電子逸出。但極間電壓高，有時(shí)電子可能越級(jí)穿過，從而，收集率較低，渡越時(shí)間離散較大。陰極靈敏度Sk為25μA/lm，倍增系統(tǒng)的放大倍數(shù)為10~5，陽極額定電流為20μA，求允許的最大光照。原因：靶面光電導(dǎo)張弛過程和電容電荷釋放惰性。勢(shì)阱中能夠容納多少個(gè)電子，取決于勢(shì)阱的“深淺”，即表面勢(shì)的大小，而表面勢(shì)又隨柵電壓變化，柵電壓越大，勢(shì)阱越深。在t1時(shí)刻，φ1高電位，φφ3低電位。因此，時(shí)鐘的周期變化，就可使CCD中的電荷包在電極下被轉(zhuǎn)移到輸出端，其工作過程從效果上看類似于數(shù)字電路中的移位寄存器。復(fù)位正脈沖過去后FD區(qū)與RD區(qū)呈夾斷狀態(tài)，F(xiàn)D區(qū)具有一定的浮置電位。RS：復(fù)位脈沖，使復(fù)位場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，將剩余信號(hào)電荷卸放掉，以保證新的信號(hào)電荷接收。存儲(chǔ)壽命長(zhǎng)。⑵信息的讀出 用低功率密度、短脈寬的激光掃描信息道，從反射率的大小辨別寫入的信息。以補(bǔ)償點(diǎn)寫入的磁介質(zhì)為例來討論磁光記錄介質(zhì)的讀、寫、擦原理。⑶擦除信息時(shí)，如圖所示，用原來的寫入光束掃描信息道，并施加與初始方向相同的偏置磁場(chǎng)，則記錄單元的磁化方向又會(huì)回復(fù)原狀。90176。 ③功耗低，顯示板功耗幾十μW/cm2，采用的背光源是10 mW/cm2左右，可用電池長(zhǎng)時(shí)間供電。三片式：用三個(gè)DMD裝置。 反射顯示，光能利用率高。有時(shí)候覺得自己像個(gè)神經(jīng)