極管和三極管ppt課件(2)(更新版)
【正文】 EO ICM 安 全 工 作 區(qū) 過 損 耗 區(qū) PCM曲線 ICEO 。A = ? = IC IB = (mA) 6040(181。A 80 181。輸入特性曲線左移。 結(jié)構(gòu)特點： ? 發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高； ? 集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大； ? 基區(qū)很薄，一般在幾個微米至幾十個微米，且摻雜濃度最低。 二極管鉗位電路 D E 3V R ui uo uR uD 例 2： 下圖中 D為理想二極管 , ui = 6 Sin? tV, E= 3V,畫出 uo波形。 PN正偏時，擴散電容較大，反偏時，擴散電容可以忽略不計。 多子擴散 少子漂移 內(nèi)電場方向 空間電荷區(qū) P 區(qū) N 區(qū) 在一定的條件下，多子擴散與少子漂移達到動態(tài)平衡， 空間電荷區(qū)的寬度基本上穩(wěn)定下來。 磷原子 +4 正離子 自由電子 靠自由電子導電的半導體 稱 N型半導體。 完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導體晶體，稱為 本征半導體 。第 14章 半導體二極管和三極管 PN結(jié) 半導體二極管 穩(wěn)壓管 半導體三極管 半導體的導電特性 半導體的導電特性 自然界中很容易導電的物質(zhì)稱為 導體 ，金屬一般都是導體。 在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點陣，每個原子與其相鄰的原子之間形成 共價鍵 ，共用一對價電子。 +4 +4 +4 P半導體和 N型半導體 1. N 型半導體 在硅或鍺的晶體中 摻入少量的五價元 素 ,如磷。 在同一片半導體基片上，分別制造 P型半導體和 N型半導體，經(jīng)過載流子的擴散，在它們的交界面處就形成了 PN結(jié)。 載流子在擴散過程中積累的電荷量隨外加電壓變化所形成的電容稱為擴散電容，用 Cd 與來示。 DA –12V Y A B DB R 二極管的 應(yīng)用范圍很廣 ,它可用在整流、檢波、限幅、 元件保護以及在數(shù)字電路中作為開關(guān)元件。 2? PNP型 P P N C B E C E B 集電極 基極 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) 發(fā)射極 PNP型晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖 PNP型 晶體管的圖形符號 按半導體材料的不同分 為鍺管和硅管，硅晶體 管多為 NPN型，鍺晶體 管多為 PNP型。 條件 特 征 RB EB EC RC IC UCE C E B IB UBE IE 1. 三極管的輸入特性 IB UBE O UCE ? 1V IB = f ( UBE ) UC E = 常數(shù) （二）三極管的特性曲線 死區(qū)電壓 溫度增加時，由于熱激發(fā)形成的 載流子增多，在同樣的 UBE下， 基極電流增加。A 截止區(qū) 飽和區(qū) 60 181。A 6 mA 在輸出特性上求 ? , ? ? = IC IB = 4
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