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[計(jì)算機(jī)軟件及應(yīng)用]第2章cmos集成電路基礎(chǔ)(更新版)

  

【正文】 完美的硅晶體示意圖 硅晶體截面示意圖 ? N型材料 ?使用 Ⅴ 族元素為摻雜雜質(zhì) ,雜質(zhì)的五個(gè)價(jià)電子中,四個(gè)與周圍的硅結(jié)合成共價(jià)鍵,多余的一個(gè)價(jià)電子成為自由電子,參與導(dǎo)電。CMOS集成電路基礎(chǔ) 王智鵬 集成電路 (integrated circuit) ?一種微型電子器件或部件 。 ?引入雜質(zhì)的過程稱為 摻雜 ; ?摻雜不同雜質(zhì),得到的半導(dǎo)體材料分為 N型和 P型 材料。 ? PN結(jié)單向?qū)щ?,只當(dāng) P區(qū)電壓高于 N區(qū)( PN結(jié)正偏)時(shí)允許電流從 P區(qū)流向 N區(qū)。 ?源漏之間被柵極覆蓋的區(qū)域稱為 導(dǎo)電溝道 。 ?版圖要求與對(duì)應(yīng)電路嚴(yán)格匹配,具有完全相同的器件、端口、連線 柵極負(fù)責(zé)施加控制電壓 源極、漏極負(fù)責(zé)電流的流進(jìn)流出 導(dǎo)電溝道 一、單個(gè) MOS管的版圖實(shí)現(xiàn) 有源區(qū) 柵 導(dǎo)電溝道 有源區(qū)注入雜質(zhì)形成晶體管, 柵與有源區(qū)重疊的區(qū)域確定器件尺寸, 稱為 導(dǎo)電溝道 圖形關(guān)系 只要源極、漏極以及導(dǎo)電溝道所覆蓋的 區(qū)域稱為 有源區(qū)
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