【正文】 飽和電流 ICEO ICEO=（ 1+ ） ICBO ? 2. 極間反向電流 ICEO (1) 集電極基極間反向飽和電流 ICBO 發(fā)射極開 路時，集電結(jié)的反向飽和電流。 vCE ? 1V (1) 當(dāng) vCE=0V時，相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向伏安特性曲線。 IB=IBEICBO?IBE IB B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE CBE III ??發(fā)射區(qū)發(fā)射電子 電子在基區(qū)擴散和復(fù)合 集電區(qū)收集電子 2. 電流分配關(guān)系 發(fā)射極注入電流傳輸?shù)郊姌O的電流設(shè) ?? EnCII?? 即根據(jù)傳輸過程可知 IC= InC+ ICBO IB= IB’ ICBO 通常 IC ICBO ECII?? 則有 ? 為電流放大系數(shù)，它只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無關(guān) 。 外部條件： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。變?nèi)荻O管的容量很小，為皮法數(shù)量級，它有一定的電容變化范圍，主要用于高頻場合下，例如電調(diào)諧、調(diào)頻信號的產(chǎn)生等。 若忽略管壓降，二極管可看作短路， UAB = 0 V 例 5: D1承受反向電壓為 － 6 V 流過 D2 的電流為 mA43122D ??I求： UAB 在這里， D2 起鉗位作用， D1起隔離作用。 + +UIuRE FRi u O判斷二極管在電路中的工作狀態(tài)，常用的方法是： 先假設(shè)將二極管斷開，求二極管正負極間的電壓，若該電壓大于二極管導(dǎo)通電壓，則二極管處于正偏而導(dǎo)通；反之，則處于反偏而截止。 DDd ivr???即 )1( /SD D ?? TVveIi根據(jù) 得 Q點處的微變電導(dǎo) QdvdigDDd ? QVvTTeVI /S D?TVID?dd1gr ?則 DIVT?常溫下（ T=300K） )mA()mV(26DDd IIVr T ?? 1 二極管 V I 特性的建模 例 1： 二極管構(gòu)成的限幅電路如圖所示 ， R＝ 1kΩ ， UREF=2V， 輸入信號為 ui。 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? (3) PN結(jié) V I 特性表達式 其中 i D / mA1 . 00. 5– 0. 5– 1 . 0 0. 50 1 . 0 ? D /VPN結(jié)的伏安特性 i D = – I S––)1( /SD D ?? TVveIiIS ——反向飽和電流 VT ——溫度的電壓當(dāng)量 且在常溫下（ T=300K） ?? qkTV TmV 26? PN結(jié)的反向擊穿 當(dāng) PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為 PN結(jié)的 反向擊穿 。此時將在N型半導(dǎo)體和 P型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過程 : 因濃度差 空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場 ? 內(nèi)電場促使少子漂移 ? 內(nèi)電場阻止多子擴散 最后 ,多子的 擴散 和少子的 漂移 達到 動態(tài)平衡 。 N 型半導(dǎo)體 2. P型半導(dǎo)體 因三價雜質(zhì)原子在與硅原子形成共價鍵時，缺少一個價電子而在共價鍵中留下一個空穴。 1. N型半導(dǎo)體 因五價雜質(zhì)原子中只有四個價電子能與周圍四個半導(dǎo)體原子中的價電子形成共價鍵，而多余的一個價電子因無共價鍵束縛而很容易形成自由電子。 空穴的移動 ——空穴的運動是靠相鄰共價鍵中的價電子依次充填空穴來實現(xiàn)的。 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 在外界某種因素作用下會發(fā)生顯著變化。 導(dǎo)體： 很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為 導(dǎo)體 ，金屬一般都是導(dǎo)體 (電阻率 103Ω 光敏性 在光照下，一些半導(dǎo)體的電阻率可以發(fā)生明顯變化，有的甚至可以產(chǎn)生電動勢，人們利用這種特性可以做成各種光電晶體管、光電耦合器和光電池。 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì)，可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性發(fā)生顯著變化。 +4 +4 +5 +4 多余 電子 磷原子 在硅或鍺的晶體中摻入微量的五價元素（ P）。三價雜質(zhì) 因而也稱為 受主雜質(zhì) 。 多子的擴散運動 ? 由 雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū) ? PN結(jié)的單向?qū)щ娦? 當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)中 P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為加 正向電壓 ，簡稱 正偏 ；反之 稱為加 反向電壓 ， 簡稱 反偏 。 (1) 點接觸型二極管 PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。 mA2k1 2VV4R E Fi ???? RUuI ＝V2R EFo ?? Uu E Fi ????? R UUuI －＝2 . 7 V0 . 7 VV2DR EFo ????? UUu2 應(yīng)用舉例 （ 2） 如果 ui為幅度 177。 0?BDImAAARVIIVVUYRDYA1101109999110933????????????解 :忽略二極管的導(dǎo)通壓降： (1)二極管Ｄ Ａ 優(yōu)先導(dǎo)通，則 Ｄ Ｂ 反向偏置，截止， ADIUA UB BDI1KΩ 1KΩ R 9kΩ RIＤ Ｂ Ｄ A (2)UA=6V,UB=。 ui t ?18V 參考點 二極管陰極電位為 8 V D 8V R uo ui + + – – 特殊二極管 穩(wěn)壓二極管 變?nèi)荻O管 光電子器件 1. 光電二極管 2. 發(fā)光二極管 3. 激光二極管 穩(wěn)壓二極管 1. 符號及穩(wěn)壓特性 (a)符號 (b) 伏安特性 利用二極管反向擊穿特性實現(xiàn)穩(wěn)壓。 end 光二極管 光電子器件 三極管結(jié)構(gòu)簡介 晶體三極管 三極管的電流分配與放大原理 三極管的特性曲線 三極管的主要參數(shù) 三極管 的結(jié)構(gòu)簡介 半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。 三極管的電流分配與放大原理 電流放大原理 EB RB EC IE 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴散可忽略。 共基極接法 ， 基極作為公共電極，用 CB表示。 iC=f(vCE)? iB=const 2. 輸出特性曲線 輸出特性曲線的三個區(qū)域 : 三極管的特性曲線 放大區(qū)： iC平行于 vCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。 +bceuAIe=0VCCIC B O+bceVCCIC E OuA(1) 集電極最大允許電流 ICM (2) 集電極最大允許功率損耗 PCM PCM= ICVCE 3. 極限參數(shù) 三極管的主要參數(shù) (3) 反向擊穿電壓 ? V(BR)CBO—— 發(fā)射極開路時的集電結(jié)反 向擊穿電壓。 當(dāng) VDS增加到使 VGD=VP 時，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。 gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求得，單位是 mS(毫西門子 )。 P N N G S D UDS UGS P N N G S D UDS UGS 當(dāng) UDS不太大時，導(dǎo)電溝道在兩個 N區(qū)間是均勻的。輸入、輸出電壓都是以地為參考的。 若 VU z 61 ? VUz 31 ?tu s 314s i n10?解： 穩(wěn)壓管正向降為 若 Vz1反向擊穿 , Vz2導(dǎo)通 VUUzo ???若 Vz1正向?qū)?, Vz2反向擊穿 , VVUU zs ?????則 則 VUV s ???則 Vz1和 Vz2中各有一個截止 ,此時 so UU ?