【正文】 一個(gè)跳轉(zhuǎn)指令，此跳轉(zhuǎn)需要3 個(gè)時(shí)鐘周期。用戶程序的安全性要根據(jù)Flash程序存儲(chǔ)器的兩個(gè)區(qū)：引導(dǎo)(Boot) 程序區(qū)和應(yīng)用程序區(qū)，分開來考慮。在自動(dòng)預(yù)減和后加的間接尋址模式中，寄存器X、Y 和Z 自動(dòng)增加或減少。所有的I/O位置都可以通過IN 與OUT指令來訪問，在32 個(gè)通用工作寄存器和I/O 之間傳輸數(shù)據(jù)。XTAL1 與XTAL2 分別為用作片內(nèi)振蕩器的反向放大器的輸入和輸出，如Figure 11 所示，這個(gè)振蕩器可以使用石英晶體，也可以使用陶瓷諧振器。C1和C2 的數(shù)值要一樣，不管使用的是晶體還是諧振器。其優(yōu)點(diǎn)是大大降低了功耗，但是頻率范圍比較窄，而且不能驅(qū)動(dòng)其他時(shí)鐘緩沖器。要注意的是有些外部中斷由異步邏輯檢測，因此即使I/O 時(shí)鐘停止了這些中斷仍然可以得到監(jiān)控。P 209“存儲(chǔ)器編程”包含使用SPI 或并行編程模式對(duì)EEPROM 編程。直接尋址范圍可達(dá)整個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)。ATmega8具有8K字節(jié)的在線編程Flash，用于存放程序指令代碼。4 個(gè)時(shí)鐘周期后，程序跳轉(zhuǎn)到實(shí)際的中斷處理例程。若中斷條件在中斷使能之前就消失了，中斷不會(huì)被觸發(fā)。第一種由事件觸發(fā)并置位中斷標(biāo)志。當(dāng)使能位置位，且狀態(tài)寄存器的全局中斷使能位I 也置位時(shí)，中斷可以發(fā)生。片內(nèi)ISP Flash 允許程序存儲(chǔ)器通過ISP 串行接口，或者通用編程器進(jìn)行編程，也可以通過運(yùn)行于AVR 內(nèi)核之中的引導(dǎo)程序進(jìn)行編程。所有的寄存器都直接與算邏單元(ALU) 相連接，使得一條指令可以在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)同時(shí)訪問兩個(gè)獨(dú)立的寄存器。 通過將8 位RISC CPU 與系統(tǒng)內(nèi)可編程的Flash 集成在一個(gè)芯片內(nèi)，ATmega8 成為一個(gè)功能強(qiáng)大的單片機(jī)，為許多嵌入式控制應(yīng)用提供了靈活而低成本的解決方案。任一中斷發(fā)生時(shí)全局中斷使能位I 被清零，從而禁止了所有其他的中斷。當(dāng)中斷發(fā)生后，如果相應(yīng)的中斷使能位為“0”，則中斷標(biāo)志位置位，并一直保持到中斷執(zhí)行，或者被軟件清除。這些工作必須由用戶通過軟件來完成。如果中斷在一個(gè)多時(shí)鐘周期指令執(zhí)行期間發(fā)生，則在此多周期指令執(zhí)行完畢后MCU 才會(huì)執(zhí)行中斷程序。Figure 8 給出了ATmega8 SRAM 空間的組織結(jié)構(gòu)。ATmega8的全部32個(gè)通用寄存器、64個(gè)I/O寄存器及1024個(gè)字節(jié)的內(nèi)部數(shù)據(jù)SRAM可以通過所有上述的尋址模式進(jìn)行訪問。 地址為0x00～0x1F 的I/O 寄存器還可用SBI 和CBI 指令直接進(jìn)行位尋址，而SBIS 和SBIC 則用來檢查某一位的值。熔絲位CKOPT 用來選擇這兩種放大器模式的其中之一。最佳的數(shù)值與使用的晶體或諧振器有關(guān)，還與雜散電容和環(huán)境的電磁噪聲有關(guān)。當(dāng)保持CKOPT 為未編程狀態(tài)時(shí)，振蕩器的輸出信號(hào)幅度比較小。I/O 時(shí)鐘還用于外部中斷模塊。EEPROM 的訪問由地址寄存器、數(shù)據(jù)寄存器和控制寄存器決定。寄存器文件中的寄存器R26 到R31 為間接尋址的指針寄存器。在此期間PC( 兩個(gè)字節(jié)) 將被彈出棧，堆棧指針加二，狀態(tài)寄存器SREG 的I 置位。AVR 中斷響應(yīng)時(shí)間最少為4 個(gè)時(shí)鐘周期。這些中斷不需要中斷標(biāo)志。從根本上說有兩種類型的中斷。所有的中斷事件都有自己的使能位。本芯片是以Atmel 高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)生產(chǎn)的。這種結(jié)構(gòu)大大提高了代碼效率，并且具有比普通的CISC 微控制器最高至10 倍的數(shù)據(jù)吞吐率。ATmega8 具有一整套的編程與系統(tǒng)開發(fā)工具，包括：C 語言編譯器、宏匯編、 程序調(diào)試器/ 軟件仿真器、仿真器及評(píng)估板。用戶軟件可以在中斷程序里置位I 來實(shí)現(xiàn)中斷嵌套。類似的，如果全局中斷標(biāo)志被清零，則所有已發(fā)生的中斷都不會(huì)被執(zhí)行，直到I 置位。使用CLI 指令來禁止中斷時(shí)，中斷禁止立即生效。若中斷發(fā)生時(shí)MCU 處于休眠模式，中斷響應(yīng)時(shí)間還需增加4 個(gè)時(shí)鐘周期。前1120 個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包括了寄存器文件、I/O 存儲(chǔ)器及內(nèi)部數(shù)據(jù)SRAM。ATmega8 包含512 字節(jié)的EEPROM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。使用IN 和OUT指令時(shí)地址必須在 0x00 0x3F之間。當(dāng)CKOPT 被編程時(shí)振蕩器在輸出引腳產(chǎn)生滿幅度的振蕩。而且這種模式的頻率范圍比較寬。I/O時(shí)鐘用于主要的I/O 模塊，如定時(shí)器/ 計(jì)數(shù)器、SPI 和USART。EEPROM 的壽命至少為100000 次擦除周期。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的尋址方式分為5 種：直接尋址、帶偏移量的間接尋址、間接尋址、帶預(yù)減量的間接尋址和帶后增量的間接尋址。中斷返回需要4 個(gè)時(shí)鐘。下面的例子說明了如何在寫EEPROM 時(shí)使用這個(gè)指令來防止中斷發(fā)生以避免對(duì)EEPROM 內(nèi)容的破壞。第二種類型的中斷則是只要中斷條件滿足，就會(huì)一直觸發(fā)。執(zhí)行RETI 指令后I 自動(dòng)置位。每個(gè)中斷和復(fù)位在程序空間都有獨(dú)立的中斷向量。工作于空閑模式時(shí)CPU 停止工作，而SRAM、T/C、 SPI 端口以及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作；掉電模式時(shí)晶體振蕩器停止振蕩，所有功能除了中斷和硬件復(fù)位之外都停止工作；在省電模式下，異步定時(shí)器繼續(xù)運(yùn)行，允許用戶保持一個(gè)時(shí)間基準(zhǔn)，而其余功能模塊處于休眠狀態(tài)； ADC 噪聲抑制模式時(shí)終止CPU 和除了異步定時(shí)器與ADC 以外所有I/O 模塊的工作，以降低ADC 轉(zhuǎn)換時(shí)的開關(guān)噪聲； Standby 模式下只有晶體或諧振振蕩器運(yùn)行，其余功能模塊處于休眠狀態(tài)，使得器件只消耗極少的電流，同時(shí)具有快速啟動(dòng)能力。ATmega8 有如下特點(diǎn)：8K 字節(jié)的系統(tǒng)內(nèi)可編程Flash( 具有同時(shí)讀寫的能力，即RWW)，512 字節(jié) EEPROM，1K 字節(jié) SRAM，32 個(gè)通用I/O 口線，32 個(gè)通用工作寄存器，三個(gè)具有比較模式的靈活的定時(shí)器/ 計(jì)數(shù)器(T/C), 片內(nèi)/ 外中斷，可編程串行USART，面向字節(jié)的兩線串行接口， 10 位6 路 (8 路為TQFP 與MLF 封裝)ADC，具有片內(nèi)振蕩器可編程看門狗定時(shí)器，一個(gè)SPI 串端口，以及五種可以通過軟件進(jìn)行選擇的省電模式。AVR有不同的中斷源。此時(shí)所有的中斷都可以中斷當(dāng)前的中斷服務(wù)程序。然后掛起的各個(gè)中斷按中斷優(yōu)先級(jí)依次執(zhí)行。沒有中斷可以在執(zhí)行CLI 指令后發(fā)生，即使它是在執(zhí)行CLI 指令的同時(shí)發(fā)生的。此外還要考慮到不同的休眠模式所需要的啟動(dòng)時(shí)間。起始的96 個(gè)地址為寄存器文件與I/O 存儲(chǔ)器，接著是1024 字節(jié)的內(nèi)部數(shù)據(jù)SRAM。它是作為一個(gè)獨(dú)立的數(shù)據(jù)空間而存在的，可以按字節(jié)讀寫。如果要象SRAM樣通過LD 和ST 指令訪問I/O 寄存器，相應(yīng)的地址要加上0x20。這種模式適合于噪聲環(huán)境，以及需要通過XTAL2 驅(qū)動(dòng)第二個(gè)時(shí)鐘緩沖器