其他顯微分析技術(shù)ppt課件(更新版)
【正文】 Ek Ek/ = h? Eb ?A ?A 譜儀功函數(shù) 光電子能譜圖及特征 光電子產(chǎn)額（強度） 光電子動能或電子結(jié)合能的分布圖。 1. 原 理 AFM的原理是類似于指針輪廓儀，但采用 STM技術(shù)。 2) 恒高度模式 針尖在樣品表面某一水平面掃描，隨著樣品表面高低起伏，隧道電流不斷變化。 A具有原子尺度的針尖； B被分析樣品； STM工作時，在樣品和針尖間加一定電壓，當樣品與針尖間的距離小于一定值時，由于 量子隧道效應 ，樣品與針尖間產(chǎn)生 隧道電流 。 ? 雙重峰極小值處的能量代表 Auger電子特征能量 ? 極大值和極小值差代表 Auger電子計數(shù) 從俄歇峰的能量可進行元素定性分析，根據(jù)峰高度可進行半定量和定量分析。 其主體是兩個同心園筒；樣品和內(nèi)筒同時接地；在外筒上施一可調(diào)負偏壓 ， 內(nèi)筒開有園環(huán)狀的電子入口和出口 。與電子探針類似 3. 離子探針質(zhì)譜分析方法 俄歇電子能譜儀 (AES) （ 1） 電子與樣品作用后激發(fā)出的俄歇電子特點 : 1. 分析原理 1) 俄歇電子具有特征能量 ， 適宜作成分分析 2) 俄歇電子的激發(fā)體積很小 ， 其空間分辨率和電子束斑直徑大致相當 ， 適宜作微區(qū)化學成分分析 3) 俄歇電子的平均自由程很短 ， 一般在 ～ 2nm范圍 ， 只能淺表層 (約幾個原子層厚度 )內(nèi)的俄歇電子才能逸出樣品表面被探測器接收 。 ? 分析區(qū)域可降低到 12um直徑和 5nm的深度，大大改善表面了表面成分分析的功能。 初級離子束轟擊樣品 產(chǎn)生等離子體 ，并有樣品的二次離子從樣品表面逸出?？紤]到 A電子的電離引起原子庫侖電場的改組，使 C殼層能級由 EC(Z)變成 EC(Z+?)， 其特征能量為： EABC(Z) = EA(Z) EB(Z) – EC(Z+?) EW EW — 樣品材料逸出功 ? — 修正值 EKL2L2 = EK – EL2 – EL2 EW 例如原子發(fā)射一個 KL2L2俄歇電子，其能量為 ? 引起俄歇電子發(fā)射的電子躍遷多種多樣，有 K系、 L系、M系等。 從而可記錄到 Auger電子計數(shù) NE—能量 E（ ev） 分布曲線 。 具有極優(yōu)異的分辨率。 由上式計算得，當距離 d減小 ，隧道電流 I將增加一個數(shù)量級，即隧道電流對樣品表面的微觀起伏特別敏感。 適用于觀察表面起伏較小的樣品。 下圖是 Binnig于 86年提出的 AFM的結(jié)構(gòu)原
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