【正文】 即 O點為 0V。 （ 334） 二極管的基本電路及其分析方法 簡單二極管電路的圖解分析方法 二極管電路的簡化模型分析方法 （ 335） 簡單二極管電路的圖解分析方法 二極管是一種非線性器件，因而其電路一般要采用非線性電路的分析方法，相對來說比較復雜，而圖解分析法則較簡單，但前提條件是已知二極管的 V I 特性曲線。 （ 328） 半導體二極管 在 PN結上加上引線和封裝，就成為一個二極管。 在某個正向電壓下 ， P 區(qū)中的電子濃度 np(或 N 區(qū)的空穴濃度 pn)分布曲線如圖中曲線 1 所示 。 60 40 20 – – 0 –25 –50 i/ mA u / V 正向特性 死區(qū)電壓 擊穿電壓 U(BR) 反向特性 當 PN結的反向電壓增加到一定數(shù)值時，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為 PN結的 反向擊穿。 外電場方向 內電場方向 耗盡層 V R I 空間電荷區(qū)變窄，有利于擴散運動，電路中有較大的正向電流。 （ 314） 在一塊半導體單晶上一側摻雜成為 P 型半導體 ， 另一側摻雜成為 N 型半導體 ， 兩個區(qū)域的交界處就形成了一個特殊的薄層 ， 稱為 PN 結 。 3 價雜質原子稱為受主原子 。摻入的雜質主要是三價或五價元素。 典型的半導體有 硅Si和 鍺 Ge以及 砷化鎵 GaAs等。 半導體： 另有一類物質的導電特性處于導體和絕緣體之間，稱為 半導體 。 本征半導體中 載流子的濃度公式： T=300 K室溫下 ,本征硅的電子和空穴濃度 : n = p = 1010/cm3 本征鍺的電子和空穴濃度 : n = p = 1013/cm3 ni= pi= K1T3/2 e EGO/(2KT) 本征激發(fā) 復合 動態(tài)平衡 （ 37） 雜質半導體 在本征半導體中摻入某些微量元素作為雜質，可使半導體的導電性發(fā)生顯著變化。 空穴為多數(shù)載流子 ， 電子為少數(shù)載流子 。 擴散運動： 由載流子濃度差引起的載流子的運動稱為 擴散運動 。 P N 不對稱結 （ 318） PN 結的單向導電性 PN結 外加正向電壓時處于導通狀態(tài) 又稱正向偏置，簡稱正偏。 （ 322） )1e(S ?? TD VvD IiIS ：反向飽和電流； VT ：溫度的電壓當量 在常溫 (300 K)下， PN 結 VI 特性表達式 PN結所加端電壓 u與流過的電流 i的關系為 )1e(S ?? KTqvD DIimVVqKTV T 1923??? ???? ??（ 323） PN結的反向擊穿 i = f (u )之間的關系曲線 。 O u Cb （ 326） 2. 擴散電容 Cd ? Q 是由多數(shù)載流子在擴散過程中積累而引起的 。 一般來說，當二極管正向偏置時，擴散電容起主要作用，即可以認為 Cj ? Cd； 在信號頻率較高時，須考慮結電容的作用。 – 50 I / mA U / V – 25 5 10 15 – – 0 溫度增加 （ 333） 二極管的參數(shù) (1) 最大整流電流 IF (2) 反向擊穿電壓 U（ BR） 和最高反向工作電壓 URM (3) 反向電流 IR (4) 極間電容 Cd (5)反向恢復時間 TRR 在實際應用中，應根據(jù)管子所用的場合，按其所承受的最高反向電壓、最大正向平均電流、工作頻率、環(huán)境溫度等條件，選擇滿足要求的二極管。分別用理想模型和恒壓降模型求解，當 vI = 6sin?t V時，繪出相應的輸出電壓 vO的波形。 直流通路、交流通路、靜態(tài)、動態(tài)等概念，在放大電路的分析中非常重要